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        新結(jié)構(gòu)高可靠性大功率整流器的設(shè)計(jì)

        2012-05-18 08:49:02海灣電子山東有限公司董志強(qiáng)岳躍忠范永勝侯志剛
        電子世界 2012年22期
        關(guān)鍵詞:焊錫高可靠性跳線

        海灣電子(山東)有限公司 董志強(qiáng) 岳躍忠 范永勝 侯志剛

        1.引言

        近幾年來,隨著科技技術(shù)的進(jìn)步及各種電器&設(shè)備功能的提升,大功率的整流器使用越來越廣泛,同時(shí),對大功率整流器功能的要求也越來越高,不僅需要大功率整流器能夠在不同環(huán)境溫度下的正常工作,而且要求大功率整流器在溫度有突變時(shí),仍然可以正常工作,大功率的整流器向高可靠性、穩(wěn)定性強(qiáng)等方向發(fā)展,大功率整流器的制造技術(shù)即成為了制約其發(fā)展的瓶頸。如何能夠增強(qiáng)整流器抗溫度突變的能力、抗高溫的能力,成為目前整流器的研究發(fā)展方向。

        2.抗溫度突變的高可靠性大功率整流器的設(shè)計(jì)

        2.1 高可靠性的設(shè)計(jì)

        2.1.1 芯片在產(chǎn)品本體內(nèi)的分布設(shè)計(jì)

        由于整流器由四顆芯片封裝而成,出于散熱等各方面的考慮,四顆芯片在產(chǎn)品本體內(nèi)的分布要均勻,且排列方向一致,這樣會有利于散熱及產(chǎn)品熱量的平均分布。如果分布不均勻,那么整流器的發(fā)熱就會集中,在集中點(diǎn)就容易出現(xiàn)高溫失效。目前市場上常見的整流器,芯片分布大多不均勻,有的即使分布均勻,但是排列方向不一致,導(dǎo)致產(chǎn)品的可靠性大打折扣。

        根據(jù)我們長期生產(chǎn)整流器總結(jié)的數(shù)據(jù)發(fā)現(xiàn),芯片分布不均勻的整流器,其在客戶端失效的幾率比芯片分布均勻的整流器平均要大5%。而在芯片排列方向不一致的整流器,失效的產(chǎn)品中,芯片P面朝向產(chǎn)品焊接框架的腳位失效比例(該腳位失效數(shù)量占總失效數(shù)量的比例)高達(dá)75%。根據(jù)統(tǒng)計(jì)發(fā)現(xiàn),在生產(chǎn)過程中良率低的批次,在客戶端失效的概率就高,所以芯片P面朝向產(chǎn)品焊接框架的腳位,在客戶端失效的概率就遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于芯片P面背向產(chǎn)品焊為此,我們設(shè)計(jì)了一種芯片排列對稱,且芯片排列方向一致的大功率整流器,結(jié)構(gòu)如右圖1所示,四顆方形芯片于產(chǎn)品中對稱排列,且上下錯(cuò)開,確保產(chǎn)品發(fā)熱分布均勻,另外四顆芯片全部背向產(chǎn)品焊接框架,使產(chǎn)品生產(chǎn)的失效比例減小,提升產(chǎn)品良率,同時(shí)也能減少在客戶端的失效比例,而客戶端的驗(yàn)證即是對產(chǎn)品可靠性的驗(yàn)證,以此結(jié)構(gòu)提升產(chǎn)品可靠性。

        2.1.2 芯片焊接點(diǎn)的設(shè)計(jì)

        如圖1,圖中有四顆芯片分別與框架、跳線焊接。目前大多廠家使用圓形凸點(diǎn)與芯片焊接,且框架上沒有任何設(shè)計(jì),僅僅是一個(gè)焊接的平面,不僅焊接面積大大縮小,而且芯片在焊接時(shí),很容易隨著圓形凸點(diǎn)進(jìn)行旋轉(zhuǎn),導(dǎo)致芯片的一個(gè)角偏出框架或者跳線的保護(hù),在后工序中造成失效,而有的則受到大的應(yīng)力,在產(chǎn)品測試時(shí)無法測出,導(dǎo)致流到客戶端失效,無法保證產(chǎn)品的高可靠性。

        為此,我們進(jìn)行了兩點(diǎn)改進(jìn)。

        1)之前的圓形凸點(diǎn)改為方形凸點(diǎn),與芯片保持相同的形狀,使跳線可以與芯片的焊接面充分接觸焊接,增大焊接面積,減小產(chǎn)品的正向壓降,降低產(chǎn)品在使用中的功耗,同時(shí)由于焊料通過跳線對芯片的張力作用,使芯片四個(gè)邊與跳線方形凸點(diǎn)的四個(gè)邊平行,減小產(chǎn)品芯片的旋轉(zhuǎn)度。

        2)在框架上設(shè)計(jì)與芯片N面相同的導(dǎo)流槽,使焊料在熔融狀態(tài)時(shí),可以完全存留于芯片下方,確保芯片焊接的可靠度,同時(shí)由于導(dǎo)流槽與芯片大小相同,而且也是方形,同樣可以在焊接過程中對芯片產(chǎn)生張力,使芯片與導(dǎo)流槽重疊,大幅減小芯片的旋轉(zhuǎn),確保產(chǎn)品的可靠度。

        2.2 抗溫度突變的設(shè)計(jì)

        現(xiàn)行的大功率整流器的焊接工藝,多以焊錫膏作為焊料,焊錫膏在高溫熔融后,連接框架、芯片、跳線;當(dāng)產(chǎn)品受到溫度突變的外界環(huán)境沖擊時(shí),產(chǎn)品內(nèi)部框架、芯片、跳線之間熱脹冷縮,由于銅與硅熱膨脹系數(shù)不同,故框架、芯片、跳線之間會互相作用,對較脆弱的芯片形成應(yīng)力破壞;焊錫膏中92.5%的成分為鉛,由于鉛硬度(相對于硅)較小,當(dāng)上述熱脹冷縮發(fā)生時(shí),介于框架與芯片之間、芯片與跳線之間的焊錫(主要成分為鉛)起到緩沖作用,通過鉛自身變形,緩解框架或者跳線作用于芯片的應(yīng)力,從而保護(hù)芯片不受損壞。

        傳統(tǒng)的焊錫膏成分,在裝填過程中,受到工裝的擠壓,存于框架與芯片之間、芯片與跳線之間的厚度無法保證;在高溫焊接過程中,焊錫膏變?yōu)槿廴诘囊簯B(tài)焊錫,受到芯片及跳線自身重力的擠壓,厚度更是無法保證。

        焊錫膏熔融點(diǎn)位283℃,而鋁的熔點(diǎn)為660℃,且鋁的硬度(相對于硅)也較小,故我們將鋁粉摻入焊錫膏中,那么焊錫熔融后,框架與芯片之間、芯片與跳線之間的焊錫厚度將≥鋁粉的直徑;所以我們要確保焊錫厚度,只要保證鋁粉的直徑即可。根據(jù)試驗(yàn)數(shù)據(jù)表明,焊錫厚度至少要0.05mm,才能更好地起到緩沖作用,確保芯片不受損壞,故我們將鋁粉直徑設(shè)計(jì)為0.05~0.06mm;另外為了防止鋁粉過多,鋁粉堆積導(dǎo)致焊錫厚度過大,我們將摻入鋁粉的數(shù)量加以控制,平均保證每個(gè)焊錫點(diǎn)有4~5粒鋁粉以支撐芯片、跳線,其它成分保持原有焊錫膏不變。

        3.抗溫度突變的高可靠性大功率整流器的工藝實(shí)現(xiàn)

        3.1 抗溫度突變的高可靠性大功率整流器焊接工藝流程

        圖2為我們設(shè)計(jì)的抗溫度突變的高可靠性大功率整流器焊接工藝流程。選用0.6mm的框架厚度,0.3mm的跳線厚度,焊錫膏的成分為鉛:錫:銀=92.5%:5%:2.5%(助焊劑含量15%),鋁粉直徑0.05~0.06mm,鋁粉摻入數(shù)量為1粒/立方毫米。

        3.2 不同設(shè)計(jì)方案,實(shí)驗(yàn)對比數(shù)據(jù)(如表1所示)

        表1 實(shí)驗(yàn)對比數(shù)據(jù)

        圖1 整流器焊接件

        圖2 大功率整流器焊接裝填流程

        4.結(jié)果與討論

        (1)由上面的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)可以得出:

        1)芯片均勻分布的新框架結(jié)構(gòu)、方形凸點(diǎn),可以提升產(chǎn)品常溫良率及可靠性。

        2)焊錫膏中摻入鋁粉,能夠有效的保證焊錫厚度,確保產(chǎn)品在受到溫度突變或者惡劣環(huán)境時(shí)正常工作。

        (2)于是,我們得出一種大功率整流器的較優(yōu)設(shè)計(jì)為:

        1)芯片均勻分布的框架結(jié)構(gòu)(芯片排列方向一致),框架上設(shè)計(jì)與芯片大小一致的導(dǎo)流槽。

        2)跳線“縮脖”設(shè)計(jì)。

        3)跳線凸點(diǎn)設(shè)計(jì)為方形。

        4)焊錫膏中摻入0.05~0.06mm直徑的鋁粉,鋁粉摻入數(shù)量為1粒/立方毫米。

        5.結(jié)束語

        隨著社會的進(jìn)步,對于電子器件的可靠性要求會越來越高,但為了降低成本,電子產(chǎn)品中的保護(hù)線路又被簡化甚至去掉,這樣對器件的抗沖擊能力又有更高的要求,更加要求器件能夠適應(yīng)各種惡劣的環(huán)境。所以,將來對于這種高性能的電子器件的研究會越來越多,而所要求的性能也會越來越高。

        [1]Michael Quirk.半導(dǎo)體制造技術(shù)[M].電子工業(yè)出版社,2009:23-24.

        [2]田民波.電子封裝工程[M].清華大學(xué)出版社,2003,9:51-53.

        [3]中國電子學(xué)會生產(chǎn)技術(shù)學(xué)分會叢書編委會.微電子封裝技術(shù)[M].中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)出版社,2003,4:46-49.

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