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        PAA/TiO2一維光子晶體的制備

        2012-05-05 01:06:40張玉琦魏清渤宋延衛(wèi)
        化學(xué)與生物工程 2012年1期
        關(guān)鍵詞:質(zhì)量

        張玉琦,魏清渤,王 俏,宋延衛(wèi)

        (延安大學(xué)化學(xué)與化工學(xué)院,陜西 延安 716000)

        光子晶體是一種介電常數(shù)不同的材料周期性排列的晶體,其折射率相應(yīng)地周期性變化,從而產(chǎn)生布拉格衍射形成光子能帶,頻率落在能帶中的光子無法穿越此晶體,即頻率落在禁帶內(nèi)的光將不會透過而會被反射[1~3],具有光子禁帶的性質(zhì)。光子晶體由于其獨特的光學(xué)特性和靈活的設(shè)計而在諸多領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用。

        一維光子晶體(又稱布拉格反射鏡,1D-PCs),是指在一個方向上具有光子頻率禁帶的材料,由兩種介質(zhì)交替層疊而成。一維光子晶體對環(huán)境氣氛、pH值、不同的客體分子具有靈敏的光學(xué)響應(yīng)性,受到科研工作者的廣泛關(guān)注。其主要制備方法有旋涂或提拉技術(shù)的溶膠凝膠法、脈沖激光沉積法、化學(xué)氣相沉積法、電化學(xué)刻蝕法等[4~10]。其中旋涂技術(shù)由于設(shè)備簡單、膜厚易控而倍受青睞。Bonifacio等[6]和Lotsch等[9]以金屬氧化物納米粒子、粘土等無機材料通過旋涂法或提拉法層層沉積制備了一維光子晶體,實現(xiàn)了光子禁帶的調(diào)控以及對有機溶劑、聚合物分子等的檢測。Wang等[10]報道了功能共聚物和TiO2納米溶膠交替旋涂制備的一維光子晶體,并實現(xiàn)了對水蒸氣的彩色傳感。

        作者采用旋涂法層層沉積低折射率功能聚合物聚丙烯酸(PAA)和高折射率TiO2納米粒子,制備了具有不同光子禁帶的色彩鮮艷的一維光子晶體,并對其進行了結(jié)構(gòu)表征和光子禁帶研究。

        1 實驗

        1.1 主要試劑及儀器

        聚丙烯酸水溶液(質(zhì)量分?jǐn)?shù)35%,分子量100 000),Acros公司;鈦酸四丁酯、冰乙酸,分析純,天津耀華化學(xué)試劑有限責(zé)任公司;無水乙醇,優(yōu)級純,西安三浦精細化工廠;雙氧水(H2O2),分析純,天津致遠化學(xué)試劑有限責(zé)任公司;濃硫酸,分析純,天津華北特種化學(xué)試劑開發(fā)中心。

        KW-4A型臺式勻膠機,中國科學(xué)院微電子研究所;JSM-6700型場發(fā)射掃描電子顯微鏡,日本JEOL;UV-2550型紫外可見分光光度計,日本Shimadzu公司。

        1.2 方法

        1.2.1 PAA溶液的配制

        稱取一定量35%的PAA溶液加蒸餾水超聲稀釋,得無色透明液體,分別制得質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.1%、0.4%、0.7%的PAA溶液。

        1.2.2 TiO2溶膠的制備

        稱取4 g鈦酸四丁酯加入16 mL乙醇中,磁力攪拌下緩慢滴加4 mL冰乙酸,室溫下攪拌5 h,得到淡黃色透明TiO2溶膠[11]。

        1.2.3 PAA/TiO2一維光子晶體的制備

        旋涂法制備PAA/TiO2一維光子晶體流程如圖1所示。

        圖1 旋涂法制備PAA/TiO2一維光子晶體流程

        將20 mm× 20 mm的硅片放入硫酸-雙氧水洗液(H2SO4∶H2O2=7∶3,體積比)中浸泡2 h,然后用大量的水沖洗,再用蒸餾水沖洗,烘干。采用旋涂法交替沉積PAA溶液和TiO2溶膠:每次滴加0.50 mL PAA溶液,在一定旋轉(zhuǎn)速度下旋轉(zhuǎn)60 s,然后于80 ℃ 烘10 min,于同樣條件下再旋涂TiO2溶膠(每次滴加0.25 mL),再于80 ℃ 烘10 min;一層PAA和一層TiO2為一個雙層,記作(PAA/TiO2)1,重復(fù)旋涂PAA溶液和TiO2溶膠各6次,制備得到(PAA/TiO2)6一維光子晶體。通過調(diào)節(jié)旋涂速度以及PAA溶液質(zhì)量分?jǐn)?shù),制備具有不同光子禁帶,即不同色彩的一維光子晶體。

        2 結(jié)果與討論

        2.1 層層沉積結(jié)構(gòu)表征

        旋涂速度分別為6000 r·min-1、5000 r·min-1,旋涂時間為60 s,以質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.7%的PAA溶液與TiO2溶膠交替旋涂成膜,所制(PAA/TiO2)6一維光子晶體的掃描電鏡側(cè)面圖見圖2。

        由圖2可知,通過旋涂法交替沉積可以制備均勻致密的薄膜。PAA在旋轉(zhuǎn)成膜過程中發(fā)生團聚;由于所制TiO2溶膠濃度較低且旋涂速度較快,故形成的TiO2層較薄。旋涂速度為6000 r·min-1時制備的一維光子晶體的厚度為581 nm,每層(PAA/TiO2)的平均厚度為97 nm,PAA層的平均厚度約為79 nm,TiO2的平均厚度約為18 nm;旋涂速度為5000 r·min-1時制備的一維光子晶體的厚度為637 nm(比旋涂速度為6000 r·min-1時厚度增加56 nm),每層(PAA/TiO2)的平均厚度為106 nm,PAA層的平均厚度約為86 nm,TiO2的平均厚度約為20 nm。由此可見,在所用聚合物質(zhì)量分?jǐn)?shù)和TiO2溶膠濃度不變的情況下,旋涂速度減慢導(dǎo)致旋涂層厚度增大。

        注:灰色區(qū)域為PAA層、白色區(qū)域為TiO2層

        2.2 光子禁帶研究

        2.2.1 旋涂速度對光子禁帶的影響(圖3)

        旋涂速度分別為6000 r·min-1、5000 r·min-1、4000 r·min-1,以質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.7%的PAA溶液和TiO2溶膠交替沉積,制備了具有不同光子禁帶的(PAA/TiO2)6一維光子晶體,所對應(yīng)的反射光譜見圖3a、光子禁帶與旋涂速度的關(guān)系見圖3b。

        圖3 不同旋涂速度下制備的(PAA/TiO2)6一維光子晶體的反射光譜(a)和光子禁帶與旋涂速度的關(guān)系(b)

        由圖3a可知,轉(zhuǎn)速為4000 r·min-1、5000 r·min-1、6000 r·min-1時制備的一維光子晶體光子禁帶的中心位置分別位于750 nm、682 nm和610 nm。由此可見,在旋涂液濃度不變的條件下,(PAA/TiO2)6一維光子晶體的光子禁帶隨著旋涂速度的加快發(fā)生了明顯的藍移,且為線性藍移(圖3b)。

        這一規(guī)律是符合布拉格定律的。根據(jù)布拉格定律[12]:λmax=2(n1d1+n2d2),其中:λmax為一級衍射峰的最大波長,即光子禁帶的中心位置;n1為電介質(zhì)1的折光率,d1為其薄膜層的厚度;n2為電介質(zhì)2的折光率,d2為其薄膜層的厚度。在溶液濃度不變的情況下,加快旋涂速度,旋涂薄膜的厚度減小,即布拉格方程中的d減小,因而導(dǎo)致波長藍移。如5000 r·min-1和6000 r·min-1時制備的光子晶體薄膜厚度由637 nm減小到581 nm(圖2)、其中PAA的厚度由86 nm減小到79 nm(圖2),相應(yīng)的光子禁帶由682 nm藍移到610 nm。因此,采用簡單的旋涂成膜方法,通過調(diào)節(jié)旋涂速度,就可以有效地改變電介質(zhì)層薄膜的厚度,制備出具有不同光子禁帶的一維光子晶體。

        2.2.2 PAA溶液質(zhì)量分?jǐn)?shù)對光子禁帶的影響

        旋涂速度為5000 r·min-1,以質(zhì)量分?jǐn)?shù)分別為0.1%、0.4%、0.7%的PAA溶液和TiO2溶膠交替沉積,制備了具有不同光子禁帶的(PAA/TiO2)6一維光子晶體,所對應(yīng)的反射光譜見圖4a、光子禁帶與PAA溶液質(zhì)量分?jǐn)?shù)的關(guān)系見圖4b。

        圖4 不同PAA溶液質(zhì)量分?jǐn)?shù)下制備的(PAA/TiO2)6一維光子晶體的反射光譜(a)和光子禁帶與PAA溶液質(zhì)量分?jǐn)?shù)的關(guān)系(b)

        由圖4a可知,PAA溶液質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.1%、0.4%和0.7%時,光子晶體光子禁帶的中心位置分別位于632 nm、663 nm和703 nm。由此可見,在旋涂速度一定、TiO2溶膠濃度保持不變時,一維光子晶體的光子禁帶隨PAA溶液質(zhì)量分?jǐn)?shù)的增大而發(fā)生紅移,且為線性紅移(圖4b)。這一規(guī)律是符合布拉格定律的。在旋涂速度、TiO2溶膠濃度一定的情況下,PAA質(zhì)量分?jǐn)?shù)增大時,所旋涂的PAA層薄膜厚度增大,即布拉格方程中的d增大,波長λmax紅移。因此,采用旋涂成膜法,通過調(diào)節(jié)PAA溶液的質(zhì)量分?jǐn)?shù),也可以有效地調(diào)控電介質(zhì)薄膜的厚度,制備出具有不同光子禁帶的一維光子晶體。

        3 結(jié)論

        以聚丙烯酸(PAA)和TiO2納米粒子為電介質(zhì)材質(zhì),采用旋涂技術(shù)制備了PAA/TiO2一維光子晶體。用掃描電子顯微鏡對其層層沉積的結(jié)構(gòu)進行了表征,用紫外可見反射光譜對光子禁帶進行了研究,考察了光子禁帶與成膜參數(shù)的關(guān)系。結(jié)果表明,通過調(diào)控旋涂速度或PAA溶液質(zhì)量分?jǐn)?shù),可以制備出具有不同光子禁帶的PAA/TiO2一維光子晶體,且光子禁帶隨旋涂速度的加快線性藍移、隨PAA溶液質(zhì)量分?jǐn)?shù)的增大線性紅移。

        參考文獻:

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