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        一種新型圓柱形介質(zhì)諧振器微帶天線(xiàn)仿真分析

        2012-04-24 08:12:38王蕾蕾安合志張文輝
        電子科技 2012年8期
        關(guān)鍵詞:圓柱形駐波諧振器

        王蕾蕾,安合志,李 萍,張文輝

        (1.武警工程大學(xué)研究生大隊(duì),陜西西安 710086;2.武警工程大學(xué)通信工程系,陜西西安 710086)

        早在20世紀(jì)30年代末,美國(guó)斯坦福大學(xué)學(xué)者R.D.Richtmyer從理論上證明了:未金屬化的高介電常數(shù)和低損耗的介質(zhì)可作為微波電磁諧振器,稱(chēng)之為介質(zhì)諧振器(Dielectric Resonator,DR)。僅限于當(dāng)時(shí)的工藝和技術(shù)水平,未研制出微波損耗較小的高介電常數(shù)的介質(zhì)材料。直到1983年,S.A.Long等人的研究成果才表明,在選擇適當(dāng)形狀、介電常數(shù)以及饋電方式的情況下,介質(zhì)諧振器也可作為天線(xiàn)使用[1]。由于其不存在導(dǎo)體和表面波損耗且輻射效率高,近年來(lái)在無(wú)線(xiàn)通信領(lǐng)域顯示出潛在應(yīng)用價(jià)值。

        1 圓柱形介質(zhì)諧振器

        圓柱形介質(zhì)諧振器通常采用損耗低、頻率溫度系數(shù)小、介質(zhì)常數(shù)高的陶瓷材料,且其工作主要在微波頻段。為分析其頻率特性,首先孤立介質(zhì)諧振器,默認(rèn)邊界條件為z=0的平面上,Er=0,Eφ=0。

        假設(shè)圓柱表面為理想磁壁,則沿z軸方向的TE和TM的方程可以寫(xiě)成[2]

        式中,c是真空中光速;Jn是第一類(lèi)貝塞爾函數(shù)。

        Jn(Xnp)=0,J'n(X'np)=0,n=1,2,3,…;m=1,2,3,…;p=1,2,3,…,

        主模就是頻率最低的模式,即m=0,n=1,p=1,X'11=1.841其頻率計(jì)算公式為

        計(jì)算主模等效磁面電流,主模的波方程為

        由于饋電位置在φ=0°的面,所以上式中沒(méi)有正弦。切線(xiàn)電場(chǎng)由下式?jīng)Q定

        頂面和底面電流為

        在實(shí)際應(yīng)用中,天線(xiàn)通常工作于TM110模,其諧振頻率公式為[3-4]

        2 諧振器各參數(shù)對(duì)天線(xiàn)性能仿真分析

        文中天線(xiàn)的基本結(jié)構(gòu)如圖1所示。介質(zhì)基板尺寸為L(zhǎng)×W,上層厚度為b;下層厚度為上層的1/2;相對(duì)介電常數(shù)為εr;沿天線(xiàn)橫軸與縱軸方向在基板上層加載對(duì)稱(chēng)U型槽,圓柱形介質(zhì)諧振器垂直置于槽上,并采用微帶—槽耦合饋電機(jī)制。連接端口1的微帶線(xiàn)為對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu),連接端口2的微帶線(xiàn)采用不對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu),以此來(lái)降低耦合度。其中,U型槽的橫向槽長(zhǎng)度為L(zhǎng)f;豎向槽長(zhǎng)度為Wf;槽寬度為d;圓柱形介質(zhì)諧振器的半徑為Rc;高度為 Hc。

        圖1 天線(xiàn)基本結(jié)構(gòu)圖

        2.1 圓柱形介質(zhì)諧振器半徑

        利用Ansoft HFSS 12軟件進(jìn)行仿真,分析對(duì)稱(chēng)型圓柱形介質(zhì)諧振器微帶天線(xiàn)半徑Rc的變化對(duì)天線(xiàn)駐波的影響。Rc分別取2.7 mm、2.8 mm、2.9 mm和3.0 mm,仿真結(jié)果如圖2所示。

        圖2 Rc對(duì)天線(xiàn)VSWR的影響

        圖2中,虛線(xiàn)為2.7 mm、點(diǎn)線(xiàn)為2.8 mm、實(shí)線(xiàn)為2.9 mm、長(zhǎng)虛線(xiàn)為3.0 mm。由圖2可知,隨著圓柱形介質(zhì)諧振器半徑Rc的增加,端口1對(duì)應(yīng)天線(xiàn)的諧振頻率接近線(xiàn)性降低,但VSWR<2帶寬變化不明顯。對(duì)于端口2而言,天線(xiàn)的低頻諧振點(diǎn)和高頻諧振點(diǎn)隨著圓柱形介質(zhì)諧振器半徑Rc的增加略向左移,但高頻諧振點(diǎn)移動(dòng)的速度明顯比低頻諧振點(diǎn)快。同時(shí),低頻諧振點(diǎn)的駐波值基本無(wú)變化,而高頻諧振點(diǎn)的天線(xiàn)性能明顯改善。

        2.2 圓柱形介質(zhì)諧振器高度

        利用Ansoft HFSS 12軟件進(jìn)行仿真,分析對(duì)稱(chēng)型圓柱形介質(zhì)諧振器微帶天線(xiàn)高度Hc的變化對(duì)天線(xiàn)駐波的影響。Hc分別取3.8 mm、3.9 mm、4.0 mm 和4.1 mm,仿真結(jié)果如圖3所示。

        圖3中,虛線(xiàn)為3.8 mm、點(diǎn)劃線(xiàn)為3.9 mm、實(shí)線(xiàn)為4.0 mm、長(zhǎng)虛線(xiàn)為4.1 mm。由圖3可知,隨著圓柱形介質(zhì)諧振器高度Hc的增加,端口1對(duì)應(yīng)天線(xiàn)的諧振頻率略有降低,諧振點(diǎn)的駐波值呈先減小后增大的趨勢(shì)。端口2中,低頻諧振點(diǎn)的駐波值略有減小,高頻諧振點(diǎn)的駐波值略有增大,但整體變化并不明顯。此外與兩個(gè)端口相對(duì)應(yīng)的、天線(xiàn)VSWR<2的帶寬均無(wú)明顯變化。

        圖3 Hc對(duì)天線(xiàn)VSWR的影響

        3 結(jié)束語(yǔ)

        文中主要分析了影響天線(xiàn)性能的圓柱形介質(zhì)諧振器的兩個(gè)重要參數(shù),通過(guò)比對(duì),可總結(jié)出變化規(guī)律:隨著圓柱形介質(zhì)諧振器半徑Rc和高度Hc的增加,天線(xiàn)的諧振頻率均有所降低。這主要是因?yàn)镠c/Rc的比值發(fā)生變化,引起其他諧振模式造成干擾,從而導(dǎo)致天線(xiàn)的諧振頻率普遍降低。在實(shí)際應(yīng)用中,大都要求諧振腔在一定的工作頻率范圍內(nèi)只諧振于一種模式,因此在圓柱形介質(zhì)諧振器設(shè)計(jì)時(shí),應(yīng)盡可能地消除干擾模的影響并保留所需要的模式。

        [1] LONG S A.The resonant cylindrical dielectric cavity antenna[J].IEEE Transactions on Antennas and Propagation,2008(1):25-31.

        [2] LONG S A,MCALLISTER M,SHEN L C.The resonant cylindrical cavity antenna[J].IEEE Transactions on Antennas Propagation,1983,AP -31(6):406 -412.

        [3] KISHK A A,ITTIPIBOON A,ANTAR Y M M,et al.Slot excitation of the dielectric disk radiator[J].IEEE Transactions.Antennas Propagat,1995,43(2):198 -201.

        [4] 湯小蓉.雙極化介質(zhì)諧振器天線(xiàn)和低旁瓣圓極化微帶天線(xiàn)陣的研究[D].上海:上海大學(xué),2009.

        [5] 鄧曄輝,逯貴禎,劉儉.小型EMC寬帶嗽叭天線(xiàn)設(shè)計(jì)[J].現(xiàn)代電子技術(shù),2006(14):144-146.

        [6] 范結(jié)義,高成.商用電磁仿真軟件的現(xiàn)狀與發(fā)展[J].電子科技,2011,24(1):125 -127.

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