摘 要：借助半導(dǎo)體仿真軟件Silvaco，仿真一種具有結(jié)終端擴(kuò)展(JTE)結(jié)構(gòu)的碳化硅(SiC)肖特基二極管(SBD)。其機(jī)理是通過JTE結(jié)構(gòu)降低肖特基結(jié)邊緣的電場(chǎng)集中效應(yīng)，從而優(yōu)化肖特基二極管的反向耐壓能力。研究JTE區(qū)深度、寬度及摻雜濃度對(duì)碳化硅肖特基二極管的反向耐壓的影響。通過優(yōu)化結(jié)終端結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)參數(shù)使碳化硅肖特基二極管的反向耐壓特性達(dá)到更好的性能要求。

關(guān)鍵詞：碳化硅； 肖特基二極管； Silvaco； 結(jié)終端擴(kuò)展結(jié)構(gòu)

中圖分類號(hào)：TN311+.834 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：A 文章編號(hào)：1004373X(2012)09017003