0 引言

隨著超大規(guī)模集成電路的制造工藝的進(jìn)步，在單一芯片上動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)了更高密度的比特位，使得計(jì)算機(jī)系統(tǒng)在計(jì)算速度迅猛發(fā)展的同時(shí)，內(nèi)存容量極大的擴(kuò)大。伴隨著集成度的提高，存儲(chǔ)器單元呈現(xiàn)失效的可能性隨之增大，失效的形式和原因也趨于更加復(fù)雜化。存儲(chǔ)器測(cè)試的目的是確保其每個(gè)單元能夠存儲(chǔ)數(shù)據(jù)并且惟一的尋址、讀、寫。存儲(chǔ)器的測(cè)試面臨兩方面的要求：較高失效類型覆蓋率，盡可能檢測(cè)出潛在的存儲(chǔ)器故障；較少的存儲(chǔ)器操作，以便縮短檢測(cè)時(shí)間。因此存儲(chǔ)器測(cè)試應(yīng)能夠在一定的測(cè)試時(shí)間內(nèi)得到可能的最佳故障覆蓋率。由于對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行物理檢測(cè)是不可能的，可行的辦法是將待測(cè)存儲(chǔ)器的訪存結(jié)果與認(rèn)定無故障的存儲(chǔ)器的訪存結(jié)果做比較。