目前，高電壓、高平均功率的固體開關一般由大量的功率電子器件構成。功率電子器件具有高速通斷能力、低觸發(fā)能量、脈寬可調(diào)的特性，構成的固體開關具有高重復頻率、脈寬可調(diào)、可靠性高等優(yōu)點。而且開關可控、脈寬可任意調(diào)節(jié)，并有著快速的故障保護功能，因而廣受青睞。重點研究基于固體開關的驅(qū)動技術，對雪崩管、功率MOSFET的機理進行了調(diào)研，對其開關原理和開關特性進行了綜合分析，著重對提高功率MOSFET開關速度的柵極驅(qū)動及特殊的“過”驅(qū)動方法開展研究，運用ORC.AD Pspice軟件對“過”驅(qū)動電路進行仿真，著重分析并驗證功率MOSFET單管驅(qū)動理論，以提高脈沖的前沿的方法措施，達到電路的優(yōu)化設計。