目前，高電壓、高平均功率的固體開關(guān)一般由大量的功率電子器件構(gòu)成。功率電子器件具有高速通斷能力、低觸發(fā)能量、脈寬可調(diào)的特性，構(gòu)成的固體開關(guān)具有高重復(fù)頻率、脈寬可調(diào)、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)。而且開關(guān)可控、脈寬可任意調(diào)節(jié)，并有著快速的故障保護(hù)功能，因而廣受青睞。重點(diǎn)研究基于固體開關(guān)的驅(qū)動(dòng)技術(shù)，對(duì)雪崩管、功率MOSFET的機(jī)理進(jìn)行了調(diào)研，對(duì)其開關(guān)原理和開關(guān)特性進(jìn)行了綜合分析，著重對(duì)提高功率MOSFET開關(guān)速度的柵極驅(qū)動(dòng)及特殊的“過”驅(qū)動(dòng)方法開展研究，運(yùn)用ORC.AD Pspice軟件對(duì)“過”驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行仿真，著重分析并驗(yàn)證功率MOSFET單管驅(qū)動(dòng)理論，以提高脈沖的前沿的方法措施，達(dá)到電路的優(yōu)化設(shè)計(jì)。