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        中周模型在Multisim中的實現(xiàn)

        2012-04-12 00:00:00殷國東等
        現(xiàn)代電子技術 2012年1期

        摘 要:為了解決用Multisim仿真高頻單諧調(diào)諧振放大模塊無中周模型的問題,通過對高頻小信號放大模塊的理論分析,總結出用LC電路模型替代中周電路模型的方法,做了高頻單諧調(diào)諧振放大模塊的仿真實驗,獲得了正確的仿真實驗結果,該方法對用Multisim仿真高頻諧調(diào)諧振放大模塊具有借鑒意義。

        關鍵詞:高頻電子; 諧振放大器; 中周; Multisim仿真

        中圖分類號:TN722-34

        文獻標識碼:A

        文章編號:1004-373X(2012)01-0195-04

        Implementation of intermediate frequency model in Multisim

        YIN Guo-dong, ZHANG Min

        (Harbin Institute of Technology at Weihai, Weihai 264209, China)

        

        Abstract:

        To solve the problem that there is no intermediate frequency model based on Multisim, through theoretical analysis of the high-frequency small-signal amplification module, LC circuit model is summarized to substitute intermediate frequency model. The simulation of high-frequency single-resonator amplifier module is performed. The correct simulation results are obtained. This method should be used for reference for the simulating the high-frequency single-resonator amplifier based on Multisim.

        Keywords: high-frequency electronic; resonator amplifier; intermediate frequency; Multisim simulation

        

        收稿日期:2011-09-21

        0 引 言

        高頻單諧調(diào)諧振放大器實驗是高頻電子教學的一個重要組成部分。中周在該實驗中損耗較多,增加了學生從理論上分析高頻小信號放大器的難度。

        隨著計算機仿真軟件的發(fā)展,Multisim仿真教學實驗方式逐漸興起。Multisim包含豐富的虛擬儀器和電子元件庫,學生可方便地完成原理圖的設計、仿真、原型設計和測試。但在Multisim中沒有中周模型,通過對單諧調(diào)諧振放大器的原理分析,提出了中周模型仿真的替代方法,取得了滿意的仿真效果,實驗對Multisim仿真單諧調(diào)諧振放大模塊具有借鑒意義。

        1 高頻單諧調(diào)諧振放大器的原理及參數(shù)

        高頻單諧調(diào)諧振電路圖[1]如圖1所示。其主要指標如下:

        1.1 諧振頻率

        電路的諧振頻率f0的表達式為:

        f0=12πLCΣ

        (1)

        式中:

        L為電感線圈的電感量;CΣ為調(diào)諧電路的總電容[2];CΣ=C+P21Coe+P22Cie;Coe為晶體管的輸出電容,Cie為晶體管的輸入電容,P1為初級線圈的抽頭系數(shù),P2為變壓器T1的變比。

        圖1 高頻單諧調(diào)諧振電路圖

        1.2 電壓放大倍數(shù)

        電壓放大倍數(shù)Av0為:

        Av0=-vovi=-P1P2yfegΣ

        =-P1P2yfeP21goe+P22gie+G

        (2)

        1.3 通頻帶

        電壓放大倍數(shù)Av0下降到0.707倍所對應的頻率范圍稱為放大器的通頻帶Bw[3],其表達式為:

        Bw=2Δf0.7=f0/QL

        (3)

        式中QL為諧振電路的有載品質因數(shù)。

        1.4 矩形系數(shù)

        矩形系數(shù)Kv0.1為電壓放大倍數(shù)下降到0.1倍的Av0時對應的頻率與通頻帶Bw之比,即:

        Kv0.1=2Δf0.1/2Δf0.7=2Δf0.1/Bw

        (4)

        2 仿真參數(shù)估算

        放大器工作在高頻條件下,根據(jù)晶體管的π參數(shù)模型設計諧振等效電路[4-5]如圖2所示。

        圖2 放大器的高頻等效電路

        晶體管參數(shù)yie,yoe,yfe和yre分別為:

        輸入導納:

        yie ≈gb′e +jωCb′e 1+rb′b (gb′e+jωCb′e)

        (5)

        輸出導納:

        yoe ≈gmrb′bjωCb′e1+rb′b(gb′e+jωCb′e)+jωCb′e

        (6)

        正向傳輸導納:

        yfe≈gm1+rb′b(gb′e+jωCb′e)

        (7)

        反向傳輸導納:

        yre≈-jωCb′e1+rb′b(gb′e+jωCb′e )

        (8)

        式中:gm為晶體管的跨導,與發(fā)射極電流的關系為gm={Ie} 26S,{Ie}的單位為mA;gb′e為發(fā)射結電導,與晶體管放大系數(shù)β及Ie有關,gb′e表達式為:

        gb′e=1rb′e={Ie}26β

        (9)

        式中:rb′b為基極體電阻,一般為幾十歐姆;Cb′c 為集電極電容,一般為幾皮法;Cb′e 為發(fā)射極結電容,一般為幾十皮法至幾百皮法。

        晶體管高頻分布參數(shù)與靜態(tài)工作電流Ie、電流放大系數(shù)β和工作頻率ω有關,晶體管手冊中給出的參數(shù)是在上述條件給定的情況下測得的。高頻電路的參數(shù)計算采用工程估算方法,如在f0=30 MHz,Ie=2 mA,Uce=8 V條件下測得3DG6C的參數(shù)為:gie=1/rie=2 mS,Cie=12 pF,goe=1/roe=250 mS,Coe=4 pF,yfe=40 mS,yre=350 μS。

        表1 晶體管3DG6主要參數(shù)

        集電極反向擊穿電壓Vbeo /V集電集最大電流Icm/mA耗散功率PCM/W特征頻率fT /MHz

        3DG6A15200.1100

        3DG6B20200.1150

        3DG6C20200.1250

        3DG6D30200.1150

        根據(jù)實驗需要,輸入信號的頻率是12 MHz,從表1中選擇3GD6C即可滿足要求。估算時參照其在f0=30 MHz,Ie=2 mA和Uce=8 V條件下的工作參數(shù)。

        圖2所示的等效電路中,P1為晶體管集電極接入系數(shù),P1=N1/N2;N2為電感L線圈的總匝數(shù);P2為輸出變壓器T的副邊與原邊的匝數(shù)比,P2=N3/N2。

        通常小信號放大器的下一級仍為放大器,放大器的輸出負載電導gL將是下一級放大器的輸入導納gie2。并聯(lián)回路的總電導gΣ表達式為:

        gΣ=P21goe+P21gL+G

        (10)

        式中:G為LC回路本身的損耗電導。根據(jù)圖2輸出導納為:

        yΣ=gΣ+jωCΣ+1/jωL

        (11)

        輸出電壓為:

        U#8226;o=-P1P2yfeUbe/yΣ

        (12)

        電壓增益為:

        A#8226;u=U#8226;oU#8226;i=-P1P2yfeYΣ, Ube=Ui

        (13)

        當放大器處于諧振時,諧振頻率可以由式(1)算出。

        3 電路仿真

        根據(jù)估算參數(shù),構造單回路諧振放大器的無中周仿真電路[6]如圖3所示。電路中的元件分別為:Q1為3DG6C;R1,R2是用于調(diào)節(jié)Q1工作點的偏置電阻;CT,C,R和L構成了選頻網(wǎng)絡,用于替代中周功能的模型;C1為隔直電容;Ce為發(fā)射極旁路電容;Ui為信號源。

        圖3 無中周單回路諧振放大器結構圖

        根據(jù)上述電路結構,在Multisim軟件中繪制如圖4所示的高頻小信號諧振放大器仿真電路[7-9]。各元件的名稱及標稱值如表2所示。

        

        圖4 無中周單回路諧振放大器仿真電路

        表2 仿真電路元件清單

        序號元件名稱及標號標稱值

        1信號源XFG150 MV/12 MHz

        2可調(diào)偏置電阻R22,W310 kΩ,100 kΩ

        3偏置電阻100 kΩ

        4諧振回路阻尼電阻R11 kΩ

        5發(fā)射極負反饋電阻R5470 Ω

        6信號源耦合電容C1220 pF

        7諧振回路電容C230 pF

        8諧振回路電感1 μH

        9示波器XSC1

        4 性能參數(shù)分析

        4.1 靜態(tài)參數(shù)

        放大器的直流工作點如表3所示。

        表3 放大器的靜態(tài)參數(shù)值

        序號直流工作點分析數(shù)值

        1V(2):12000 00 V

        2V(1):963668 96 mV

        3l(V1):-2155 05 mV

        4V(6):1595 04 V

        5V(4):0000 00 V

        6V(5):2751 15 V

        7V(8):12000 00 V

        8V(7):1595 04 V

        9V(3;r1):12000 00 V

        10V(9):12000 00 V

        11V(3;r4):797521 87 mV

        12V(3;r5):481834 48 mV

        4.2 動態(tài)參數(shù)

        4.2.1 電壓增益

        加入信號激勵Ui,得到如圖5所示的輸入、輸出波形,可以讀出電壓增益約為40倍。

        

        圖5 輸入、輸出波形

        4.2.2 矩形系數(shù)

        諧振放大器特性曲線如圖6所示??梢钥闯?,諧振頻率為11.99 MHz,上限截止頻率為12.52 MHz,下限截止頻率為11.42 MHz,通頻帶為1.11 MHz。根據(jù)式(4)得出矩形系數(shù)約為10。

        圖6 放大器的特性曲線

        4.2.3 高頻管的電流放大倍數(shù)β

        集電極與基極電流如圖7所示。由此可得,放大倍數(shù)β=4.071 mA/22.596 μA=180。

        圖7 集電極與基極電流

        4.3 部分元件對電路的影響

        通過仿真發(fā)現(xiàn),發(fā)射極反饋電阻R5的改變對電路的通頻帶和輸出增益有較大影響。在不影響放大器正常工作的情況下,增大R5,頻帶增大,輸出增益減小;減小R5,頻帶減小,輸出增益增大。

        阻尼電阻R1增大,頻帶減小,輸出增益增大;R1減小,頻帶增大,增益減小。當R1減小到一定程度,放大器不能正常工作,信號失真。中周等效阻尼電阻不僅影響系統(tǒng)的帶寬,還能影響放大器的靜態(tài)工作點,在設計電路時應合理選擇它的阻值。

        諧振回路中電感L1、電容C的選擇應符合式(1),使中周的工作頻率為12 MHz,當電感取值為1 μH,電容調(diào)至68 pF時,電路處于諧振狀態(tài),且輸出增益最大。

        5 結 論

        通過對高頻諧調(diào)諧振電路的分析,總結出中周替換電路模型。對該電路模型進行了仿真,獲得了理想的仿真波形,證明替換電路仿真模型是正確的。最后通過實際電路的制作與調(diào)試,并與仿真電路的參數(shù)做對比,驗證了替換電路模型的可行性。

        參 考 文 獻

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        作者簡介:

        殷國東 男,1968年出生,山東人,碩士生。主要研究方向為信號檢測。

        張 敏 男,1976年出生,甘肅人,碩士生。主要研究方向為信號檢測。

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