1免疫傳感器的制備及應(yīng)用"/>
摘 要 依次電沉積氧化石墨烯、2,5-二(2-噻吩)-1-對(duì)苯甲酸吡咯和氯金酸于金電極表面, 以EDC/NHS為活化劑, 將黃曲霉毒素B1(AFB1)抗體共價(jià)連接在導(dǎo)電高分子膜上, 最后滴涂1,3-二丁基咪唑六氟磷酸鹽離子液體于上述修飾電極表面, 制得AFB1免疫傳感器。以Fe(CN)6 3-/4-的磷酸鹽緩沖溶液(pH 7.0)為測試底液, 采用循環(huán)伏安法和交流阻抗法考察此免疫傳感器的電化學(xué)行為。研究表明: 石墨烯和納米金的引入明顯提高了修飾層的電子轉(zhuǎn)移速率, 使電極的表觀活性面積由裸金電極的0.1772 cm2增加到0.2188 cm2和0.2640 cm2。當(dāng)AFB1濃度在3.2×10-15~3.2×10-13mol/L范圍內(nèi), 傳感器的交流阻抗響應(yīng)值與濃度呈線性關(guān)系, 相關(guān)系數(shù)R2=0.994, 檢出限為1.1×10-15mol/L。傳感器在4 ℃下保存20周以上, 電化學(xué)響應(yīng)保持基本不變。本方法的靈敏度和穩(wěn)定性優(yōu)于現(xiàn)有文獻(xiàn)報(bào)道, 并應(yīng)用于花生樣品中痕量AFB1的測定。
關(guān)鍵詞 導(dǎo)電高分子;石墨烯;納米金;電沉積;免疫傳感器;黃曲霉毒素B1