Vishay Intertechnology,Inc.（NYSE股市代號：VSH）宣布，其45V TMBS?Trench MOS勢壘肖特基整流器和VJ系列無磁性MLCC分別榮獲EDN China 2012創(chuàng)新獎年度最佳產(chǎn)品獎和年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎，頒獎典禮在上海舉行。

EDN China創(chuàng)新獎始于2005年，表彰中國市場上IC和相關(guān)產(chǎn)品在設(shè)計上的創(chuàng)新成就。今年共有71家公司的128款產(chǎn)品角逐9個技術(shù)門類的獎項。EDN China的在線讀者投票選出入圍產(chǎn)品，由技術(shù)專家組和EDN的高級編輯選出最后的獲勝者。Vishay的45 V TMBS整流器包括雙片V(B，F(xiàn))T1045CBP、V(B,F)T2045CBP、V(B,F)T3045CBP和V(B,F)T6045CBP。每款器件均提供功率TO-220AB、ITO-220AB和TO-263AB封裝。這些整流器的電流等級從10 A至60 A，在10 A下具有0.33 V的極低正向壓降，非常適合在太陽能電池接線盒中用做保護旁路二極管。

所有45 V整流器的最高工作結(jié)溫為150℃，在沒有反向偏置 （t≤1 h）的直流正向電流情況下的最高結(jié)溫小于200℃。TO-263AB封裝的潮濕敏感度等級達到J-STD-020的1級，LF最高峰值達到245℃。TO-220AB和ITO-220AB封裝的最高焊浴溫度為275℃，持續(xù)10秒，符合per JESD 22-B106及IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)定。

Vishay的VJ無磁性系列MLCC采用無磁材料制造，在進行最后封裝前對磁特性進行了100%的安全篩選。器件一般可用于MRI設(shè)備、植入式醫(yī)療設(shè)備、對強磁性敏感的設(shè)備、電子測試系統(tǒng)和高端音頻放大器的濾波電路中。

VJ無磁性系列具有0402至3640共11種外形尺寸，電壓范圍從6.3 VDC至3 000 VDC。器件的容量范圍0.5pF～56nF（采用C0G電介質(zhì)）和100 pF～6.8μF（采用X7R/X5R電介質(zhì)），工作溫度-55℃～+125℃。電容器在-55℃～+125℃溫度下容量溫度系數(shù)（TCC）為 30 ppm/℃（C0G），-55℃～+85℃的 TCC為 15%（X5R），-55℃～+125℃的 TCC 為15%（X7R）。