瑞薩電子宣布開發(fā)出了導(dǎo)通電阻僅為150 mΩ（柵源間電壓為10V 時的標(biāo)稱值） 的600 V 耐壓超結(jié)型功率MOSFET“RJL60S5 系列”，將從2012年9 月開始樣品供貨。超結(jié)是可在不犧牲耐壓的情況下，降低導(dǎo)通電阻的功率MOSFET 的元件構(gòu)造。雖然其他競爭公司已經(jīng)推出了采用這種構(gòu)造的功率MOSFET，但據(jù)瑞薩電子介紹，“RJL60S5系列”在600 V 耐壓產(chǎn)品中實現(xiàn)了業(yè)界最小水平的導(dǎo)通電阻。馬達(dá)驅(qū)動電路和逆變器等采用RJL60S5 系列功率MOSFET 后，可以降低功耗，該產(chǎn)品主要面向空調(diào)等家電產(chǎn)品。

RJL60S5 系列的柵源間電壓為±30 V，額定漏電流為20 A。漏源間電壓為25 V 時，反饋電容為13 pF（標(biāo)稱值）。柵源間閾值電壓的最小值為3 V，最大值為5 V。內(nèi)置快恢復(fù)二極管（FRD：Fast Recovery Diode），F(xiàn)RD 的正向電壓為0.96 V。該產(chǎn)品將FRD 的反向恢復(fù)時間縮短至150 ns，約相當(dāng)于瑞薩原來的SJ 型功率MOSFET 的約1/3，因此還可應(yīng)用于高速電動機(jī)驅(qū)動用途。

RJL60S5 系列備有3 種封裝的產(chǎn)品，分別是采用TO-220EP 封裝的“RJL60S5DPP”， 采用TO-3PSG 封裝的“RJL60S5DPK”，以及采用LDPAK封裝的“RJL60S5DPE”。三款產(chǎn)品的樣品價格均為200 日元，將從2012 年12 月開始量產(chǎn)，量產(chǎn)規(guī)模方面，預(yù)定截至2013 年3 月達(dá)到月產(chǎn)50 萬個。

研究人員說，這種技術(shù)目前只能在低溫環(huán)境下工作，還需進(jìn)一步完善，以滿足在室溫條件下工作的要求。此外，還希望制造出可產(chǎn)生白色光的OLED。