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        影響TD-SCDMA網(wǎng)絡(luò)MOS值的因素及優(yōu)化方法

        2012-01-19 08:10:30彭海巖邢小剛
        關(guān)鍵詞:子幀外環(huán)發(fā)射功率

        彭海巖, 邢小剛

        (1 中國(guó)移動(dòng)通信集團(tuán)福建有限公司廈門分公司, 廈門 361009; 2 中國(guó)移動(dòng)通信集團(tuán)設(shè)計(jì)院有限公司, 北京 100080)

        隨著TD-SCDMA網(wǎng)絡(luò)的建設(shè)優(yōu)化,當(dāng)前網(wǎng)絡(luò)KPI指標(biāo)非常好:接通率大于99%、掉話率小于0.5%,切換成功率大于99%,但實(shí)際用戶感知反應(yīng)卻不如意,TD-SCDMA網(wǎng)絡(luò)在很大范圍內(nèi)并未被用戶接受。TDSCDMA用戶感知較差的問(wèn)題,是影響TD-SCDMA用戶大規(guī)模放號(hào)和競(jìng)爭(zhēng)超越電信和聯(lián)通競(jìng)爭(zhēng)的最大障礙。語(yǔ)音質(zhì)量又是反映用戶感知的一個(gè)關(guān)鍵指標(biāo),目前國(guó)內(nèi)國(guó)際主要用來(lái)評(píng)估語(yǔ)音質(zhì)量的方法是通過(guò)PESQ MOS得分來(lái)評(píng)估語(yǔ)音質(zhì)量,分析影響TD-SCDMA MOS值的因素,有針對(duì)性給以優(yōu)化是提升用戶感知的重要舉措。

        1 影響MOS值的主要因素

        1.1 激活優(yōu)化策略

        激活可以針對(duì)子幀來(lái)定義,對(duì)于某個(gè)子幀,如果上行檢測(cè)到的有用信號(hào)高于一定門限,則認(rèn)為該子幀處于激活狀態(tài),相當(dāng)于承載了有效數(shù)據(jù)。

        對(duì)于語(yǔ)音業(yè)務(wù)來(lái)說(shuō),一個(gè)TTI是20ms,包括2個(gè)10ms的無(wú)線幀,每個(gè)無(wú)線幀又包括2個(gè)5ms的子幀,以往的策略是必須20ms TTI中所有的子幀都處于激活狀態(tài)才會(huì)嘗試解碼。通??焖ヂ涞某掷m(xù)時(shí)間是4~20ms左右,而深度甚至可達(dá)20~30dB。因此,在快衰落發(fā)生的時(shí)候,很有可能造成20ms中的某些子幀處于未激活狀態(tài),據(jù)了解目前廠家的策略不會(huì)嘗試進(jìn)行解碼,這樣的做法有兩個(gè)很明顯的問(wèn)題:

        (1)如果20ms TTI中有3個(gè)子幀激活,1個(gè)子幀未激活,由于編碼增益的存在以及交織的作用,此時(shí)是有可能正確解碼的;

        (2)如果Node B不進(jìn)行解碼,就不會(huì)就數(shù)據(jù)分組發(fā)給RNC;如果解碼的話,即便解錯(cuò)了,也會(huì)將錯(cuò)誤的分組發(fā)給RNC。這2種處理方式對(duì)RNC來(lái)說(shuō)差別巨大,RNC的上行外環(huán)控制就是依賴于Node B上報(bào)的錯(cuò)分組來(lái)進(jìn)行了,因此Node B應(yīng)該盡可能嘗試解碼。

        1.2 功控

        TD-SCDMA系統(tǒng)屬于CDMA系統(tǒng),存在自干擾,為了減小自干擾,提高系統(tǒng)的容量,要求在滿足QoS要求的前提下,盡量用更少的功率發(fā)射,這一切就是靠功率控制來(lái)完成的。

        TD-SCDMA系統(tǒng)中的功控分為內(nèi)環(huán)功控和外環(huán)功控,其中內(nèi)環(huán)功控的作用是讓SIR的測(cè)量值盡可能接近SIR的目標(biāo)值,其基本思想是:

        (1)SIR測(cè)量值>SIR目標(biāo)值,要求對(duì)端降功率;

        (2)SIR測(cè)量值<=SIR目標(biāo)值,要求對(duì)端升功率。

        外環(huán)功控的思想就為內(nèi)環(huán)設(shè)定一個(gè)合適的SIR目標(biāo)值,從而保證業(yè)務(wù)的BLER符合預(yù)期的目標(biāo)值,其中BLER的目標(biāo)值是根據(jù)業(yè)務(wù)的QoS需求來(lái)的,對(duì)于語(yǔ)音業(yè)務(wù)通常設(shè)為1%,外環(huán)的基本思想是:

        (1)BLER測(cè)量值>BLER目標(biāo)值,要求Node B提高上行SIR目標(biāo)值;

        (2)BLER測(cè)量值

        (3)BLER測(cè)量值=BLER目標(biāo)值,保持當(dāng)前SIR目標(biāo)值不變。

        在內(nèi)環(huán)和外環(huán)的共同作用下,就能保證用戶總是用合理的功率來(lái)發(fā)射。

        由于TD-SCDMA的內(nèi)環(huán)功率只有200次/秒,在移動(dòng)速率超過(guò)30km的時(shí)候,基本就跟不上快衰了,會(huì)造成誤塊率上升。為了保證業(yè)務(wù)的質(zhì)量,建議通過(guò)適當(dāng)調(diào)整外環(huán)功控參數(shù)及內(nèi)環(huán)步長(zhǎng),使得當(dāng)網(wǎng)絡(luò)側(cè)發(fā)現(xiàn)用戶的BLER較高的時(shí)候,能快速的提升SIR目標(biāo)值,且為了防止后續(xù)突發(fā)的衰落,能較慢的降低SIR目標(biāo)值。

        1.3 切換頻次

        切換是移動(dòng)通信中最基本、最重要的特征。在切換過(guò)程中,語(yǔ)音通話會(huì)被暫時(shí)中斷(軟切換除外),從原信道切換到目標(biāo)信道可能存在IUB接口下行語(yǔ)音幀丟失,對(duì)語(yǔ)音質(zhì)量有一定的影響。當(dāng)出現(xiàn)頻繁的乒乓切換時(shí),在用戶聽(tīng)覺(jué)上會(huì)引起語(yǔ)音中斷。切換越頻繁,則對(duì)應(yīng)的MOS值越低。

        圖1 切換與非切換周期對(duì)比

        從圖1可以看出,切換周期MOS值要低于非切換周期,而切換是移動(dòng)通信最基本,最重要的特征,在網(wǎng)絡(luò)優(yōu)化過(guò)程中只能避免乒乓切換,減少切換,及時(shí)切換。

        1.4 覆蓋

        當(dāng)無(wú)線環(huán)境的信號(hào)場(chǎng)強(qiáng)變化引起C/I變差時(shí),終端和Node B的解調(diào)性能較差,語(yǔ)音幀解析出錯(cuò),MOS值將會(huì)受到影響。當(dāng)手機(jī)接收電平較差時(shí),C/I降低,BLER升高,使得MOS值降低。

        圖2 不同覆蓋環(huán)境MOS對(duì)比

        從圖2可以看出,覆蓋越好其MOS越高,且波動(dòng)較小,隨著覆蓋的變差,MOS值降低,且波動(dòng)較大。

        1.5 其它因素對(duì)MOS值的影響

        (1)外部干擾對(duì)MOS的影響也比較大,因?yàn)橥獠繒?huì)造成Uu口無(wú)線環(huán)境的惡化,排除干擾是提升MOS值的前提之一;

        (2)傳輸鏈路對(duì)MOS值存在影響。傳輸抖動(dòng)時(shí)延較大時(shí),會(huì)降低語(yǔ)音還原能力影響MOS值;

        (3)核心網(wǎng)的問(wèn)題導(dǎo)致單通,串話或雜音等現(xiàn)象時(shí),MOS值會(huì)嚴(yán)重下降。

        2 影響MOS值因素的參數(shù)優(yōu)化效果評(píng)估

        上述影響MOS的因素中,我們重點(diǎn)針對(duì)激活優(yōu)化策略應(yīng)用、功控參數(shù)、TrFO帶外協(xié)商機(jī)制應(yīng)用,提出MOS提升方案。

        2.1 啟用激活優(yōu)化策略

        將激活優(yōu)化策略修改為任何一個(gè)20ms中任何一個(gè)子幀激活,則嘗試解碼。

        2.2 功控參數(shù)調(diào)整方案

        目前功控參數(shù)設(shè)置較保守,我們采用“快升慢降”策略:

        (1) 增大上行外環(huán)功控的SIR目標(biāo)值上調(diào)步長(zhǎng),終端發(fā)射功率及時(shí)跟隨環(huán)境變化,上行DCH信道BLER差的問(wèn)題會(huì)快速得到改善,MOS值得到改善;

        (2) 降低上行外環(huán)功控的SIR目標(biāo)值下調(diào)步長(zhǎng),終端發(fā)射功率每次調(diào)整下降的幅度變小,拉長(zhǎng)終端強(qiáng)功率發(fā)射的時(shí)間,降低BLER惡化的概率,如表1所示;

        表1 功控參數(shù)調(diào)整方案

        (3) 下行最小發(fā)射功率調(diào)整方案:通過(guò)提升下行最小發(fā)射功率,避免在無(wú)線信號(hào)良好的地方,下行最小發(fā)射功率過(guò)低。當(dāng)無(wú)線環(huán)境突然惡化時(shí),能夠?qū)篃o(wú)線信號(hào)的快衰落。

        表2 下行最小發(fā)射功率調(diào)整方案

        2.3 TrFO功能應(yīng)用

        TrFO是Transcoder Free Operation的縮寫,是一種帶外的協(xié)商機(jī)制,可通過(guò)MSC Server之間的信令進(jìn)行協(xié)商,使得網(wǎng)絡(luò)可以在呼叫建立前就對(duì)Codec的類型和模式進(jìn)行協(xié)商,經(jīng)協(xié)商后,移動(dòng)用戶之間的呼叫可以完全不經(jīng)過(guò)編解碼器,從而提高話音質(zhì)量。因?yàn)椴捎玫氖菐獾膮f(xié)商機(jī)制,所以TrFO不需要TC資源,從而節(jié)省了昂貴的TC資源及其帶來(lái)的功耗。TrFO的另一好處是分組承載中使用時(shí)可以節(jié)省網(wǎng)絡(luò)帶寬,因?yàn)樵捯艨梢砸訟MR 12.2kbit/s的速率在核心網(wǎng)中傳輸。

        經(jīng)過(guò)優(yōu)化后,在不同場(chǎng)景下其MOS值提升情況如圖3所示(3種場(chǎng)景下4種策略為從左至右依次實(shí)施后的疊加效果)。

        (1)激活策略優(yōu)化后MOS值提升,且MOS差點(diǎn)比例減少;

        (2)功控參數(shù)優(yōu)化后MOS值也有一定提升,且MOS差點(diǎn)比例減少;

        (3)TrFO功能應(yīng)用后MOS值明顯提升,且MOS差點(diǎn)比例進(jìn)一步減少。

        圖3 MOS值提升情況

        由于多用戶情況下依次實(shí)施了優(yōu)化策略,涉及到了功控參數(shù)的調(diào)整,干擾有可能會(huì)增加,所以在評(píng)估MOS值的同時(shí),還要評(píng)估現(xiàn)網(wǎng)的KPI指標(biāo),在幾個(gè)策略分別實(shí)施后,主要的幾個(gè)KPI指標(biāo)變化情況如圖4所示。

        從圖4可以看出,經(jīng)過(guò)激活策略應(yīng)用、功控參數(shù)優(yōu)化及TrFO功能應(yīng)用后,語(yǔ)音接通率、語(yǔ)音掉話率、PS接通率、PS掉線率指標(biāo)均有所改善,沒(méi)有惡化。

        圖4 主要的幾個(gè)KPI指標(biāo)變化情況

        3 結(jié)語(yǔ)

        通過(guò)以上幾個(gè)方面對(duì)MOS影響因素的研究,為了進(jìn)一部提升TD-SCDMA用戶感知,提升語(yǔ)音質(zhì)量,應(yīng)主要從以下幾個(gè)方面入手:

        (1) 基帶激活策略優(yōu)化;

        (2) 當(dāng)?shù)鼐W(wǎng)絡(luò)的實(shí)際情況,修改功控參數(shù);

        (3) 合理調(diào)整覆蓋及2G/3G切換,避免乒乓切換;

        (4) 合理規(guī)劃頻率,減少內(nèi)部干擾,避免外部干擾;

        (5) 有條件的可以打開(kāi)核心網(wǎng)的TrFO功能。

        注釋:目前國(guó)內(nèi)國(guó)際主要用來(lái)評(píng)估語(yǔ)音質(zhì)量的方法是通過(guò)PESQ(Perceptual Evaluation of Speech Quality)MOS得分來(lái)評(píng)估語(yǔ)音質(zhì)量。

        [1] 萬(wàn)斌. TD-SCDMA無(wú)線網(wǎng)絡(luò)評(píng)估與優(yōu)化[M]. 北京:人民郵電出版社.

        [2] 中興TD-SCDMA無(wú)線參數(shù)指導(dǎo)書(V2.1)[Z].

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