李菊萍,劉詩斌,郭 博,劉雨鑫
(西北工業(yè)大學(xué)電子信息學(xué)院,西安 710072)
磁通門傳感器(簡稱磁通門)是一種用于測量微弱磁場(如地磁場)的傳感器。與其它類型測磁儀器相比,磁通門傳感器具有分辨率高,測量弱磁場范圍寬,噪音低,可靠、簡易、經(jīng)濟、耐用,能夠直接測量磁場的分量和適于在高速運動系統(tǒng)中使用等特點,尤其具有高溫下穩(wěn)定性好的優(yōu)點,能夠滿足高溫條件下的作業(yè)要求,是綜合性能最好的磁場測量傳感器,因而近些年來成為研究的重點。磁通門已廣泛應(yīng)用于地質(zhì)探礦、工業(yè)探傷、車輛控制、搜查武器以及飛機、衛(wèi)星、船艦和車輛導(dǎo)航等許多領(lǐng)域。在各種空間計劃中,磁場測量往往是整個空間計劃中的一個重要組成部分,國際上已將高精度磁通門磁力計作為荷載(Fluxgate Sensor Magnetometer,F(xiàn)GM)在空間衛(wèi)星上搭載。
磁通門鐵芯的磁感應(yīng)強度與磁場強度是非線性的,在交變磁場的飽和激勵下,外磁場對輸出信號產(chǎn)生某些非對稱的調(diào)制作用,磁通門測磁法的物理實質(zhì)是通過檢測輸出信號中的這些非對稱的變化來測量弱磁場的[1-2]。被測磁場可以通過檢測輸出信號遲滯時間差而得到[3-5],為了解決線圈匝數(shù)增大而帶來傳感器體積增大和動態(tài)性能差的問題,還出現(xiàn)了檢測輸出電流的電流輸出型磁通門傳感器[6-7]。大多數(shù)磁通門都是通過檢測其輸出信號的二次諧波幅度來測量磁場的[8-12],文獻[13]比較了四次諧波和二次諧波,結(jié)果顯示在外磁場較小時適合采用四次諧波選擇法。文獻[13]采用反正切函數(shù),并未考慮矯頑力對四次諧波和二次諧波的影響。本文采用分段折線近似磁滯回線,從理論上研究了磁滯回線形狀對四次諧波和二次諧波的影響,詳細分析了四次諧波的適用條件。
為方便分析考慮矯頑力對磁通門輸出的影響,假設(shè)鐵心的B-H磁滯回線近似為折線形狀,如圖1。Hk為飽和磁場強度,當|H|<Hk時,鐵芯的相對磁導(dǎo)率近似為Ms/(Hk-Hc);當|H|>Hk時,鐵芯達到飽和。
圖1 磁滯回線簡化為分段折線
檢測線圈中的感應(yīng)電動勢ε在一個周期內(nèi)可表示為:
其中A為磁芯的橫截面積,N為感應(yīng)線圈的匝數(shù),μ≈Ms/(Hk-Hc)為磁芯的相對磁導(dǎo)率,μ0為真空磁導(dǎo)率。
t1、t2、t3、t4滿足以下關(guān)系:
其中x=Ha/Hk,y=Hc/Hk,z=H0/Hk,Hc為矯頑力,Ha為被測磁場,H0為激勵磁場幅值。
外磁場在鐵芯中形成的磁通被交變磁場所調(diào)制,直流外磁場在一半周期內(nèi)使鐵芯提前達到飽和,而在另外半個周期內(nèi)使鐵芯推遲飽和。激勵周期內(nèi)正負半周不對稱,為了消除變壓器效應(yīng)的影響,通常采用兩個單鐵心磁通門將初級線圈反接構(gòu)成雙鐵心磁通門,兩次級線圈順接,從而使輸出電壓曲線中出現(xiàn)偶次諧波。采用諧波選擇法將磁通門信號提取出來,感應(yīng)電動勢各偶次諧波的實部幅值為:
電動勢各偶次諧波的虛部幅值為:
各偶次諧波幅值為
磁滯回線近似為三段折線[1-2]不考慮矯頑力時,二次諧波靈敏度在激勵磁場幅值與與飽和磁場比值為時達到最大??紤]矯頑力后磁滯回線近似為圖1,圖2為二次諧波靈敏度(m=2)與比值y的關(guān)系,曲線 a、b、c、d、e、f對應(yīng)比值z分別為 1.05、1.2、1.4、1.8、2、2.5。隨著矯頑力與飽和磁場強度比值y增大,二次諧波靈敏度增大,當比值y較小時,隨著激勵磁場幅值與飽和磁場比值z增大,靈敏度先增大后減小,當比值y較大時,隨著激勵磁場幅值與飽和磁場比值z增大,靈敏度減小。當激勵磁場幅值與飽和磁場比值z較大時,靈敏度隨比值y變化不大。
圖2 二次諧波靈敏度(m=2)同矯頑力與飽和磁場比值 y的關(guān)系,α=2μ0NAωMs/(πHk)
圖3為二次諧波(m=2)與四次諧波(m=4)的靈敏度比值同比值y的關(guān)系。曲線 a、b、c、d、e、f、g、h、i、j、k、l對應(yīng)激勵磁場幅值與飽和磁場比值z分別為1.01、1.05、1.1、1.2、1.3、1.4、1.6、1.8、2、2.5、3、4。由圖3可得:當比值z大約大于2時,不論矯頑力與飽和磁場強度多大,四次諧波靈敏度大于二次諧波靈敏度,且隨著比值y增大,四次諧波靈敏度與二次諧波靈敏度比值增大。比值z大約小于時,隨著矯頑力與飽和磁場度比值y增大,四次諧波靈敏度與二次諧波靈敏度比值先減小后增大。
圖3 二次諧波(m=2)與四次諧波(m=4)的靈敏度比值同比值y的關(guān)系,y為矯頑力與飽和磁場強度比值。
與文獻[13]比較,文獻[13]采用反正切函數(shù),忽略矯頑力,只分析了激勵磁場幅值較大時,四次諧波靈敏度大于二次諧波靈敏度的情況。采用分段折線考慮矯頑力,從圖2和圖3分析可得選取四次諧波還是選取二次諧波,不僅取決于比值z,還取決于y。由圖2可得,當不考慮矯頑力,二次諧波在激勵磁場與飽和磁場比值為時達到最大值。這與文獻[1-2]結(jié)果一致。由圖3可得,盡管激勵磁場與飽和磁場比值為時二次諧波達到最大,矯頑力與飽和磁場比值大約大于0.35時,應(yīng)考慮使用四次諧波。
考慮兩個極端情況,當矯頑力與飽和磁場比值y較小,而且激勵磁場幅值較小時四次諧波幅值大于二次諧波幅值,隨著激勵磁場幅值增大,二次諧波幅值先增大后減小,四次諧波幅值先減小后增大,最后四次諧波幅值大于二次諧波幅值。當矯頑力與飽和磁場比值y較大,適合四次諧波法,而且激勵磁場幅值越小,靈敏度越大。若要確保深度飽和激勵以消除剩磁[14],應(yīng)采用四次諧波法。
表1為線性范圍和非線性誤差隨矯頑力與飽和磁場強度比值y,激勵磁場與飽和磁場強度比值z的變化關(guān)系。δ2(δ4)為二次(四次)諧波誤差,被測磁場為x×Hk,激勵磁場為z×Hk,Hk為飽和磁場。
表1
由表1可得四次諧波小于二次諧波線性范圍,隨著激勵磁場幅值與飽和磁場比值z增大,線性范圍增大,而且四次諧波與二次諧波線性范圍差距變大。由表1(z=1.05)可得激勵磁場幅值較小且矯頑力較小時,雖然四次諧波大于二次諧波靈敏度,但量程很小。
比值z大約大于1.4時,隨著矯頑力與飽和磁場強度比值y增大,二次諧波非線性誤差單調(diào)減小,四次諧波非線性誤差先急劇減小再增大,但是增大幅值很小。比值小于1.4時,非線性誤差隨矯頑力與飽和磁場強度比值y變化不單調(diào)。隨比值y增大,二次諧波非線性誤差先減小后增大,且增大幅值很小。四次諧波非線性誤差在y小于0.3內(nèi)波動較大。
傳統(tǒng)磁通門采用二次諧波法,文獻[13]用反正切函數(shù)近似磁滯回線,提出采用四次諧波選擇法。本文采用分段折線近似磁滯回線,通過理論推導(dǎo)得到各偶次諧波靈敏度解析表達式。詳細比較了二次諧波選擇法和四次諧波選擇法靈敏度,量程和非線性度。研究結(jié)果表明選取四次諧波還是選取二次諧波,不僅取決于激勵磁場幅值與飽和磁場強度比值,還取決于矯頑力與飽和磁場強度比值。
[1]劉詩斌.微型智能磁航向系統(tǒng)研究[D].[博士學(xué)位論文].西安:西北工業(yè)大學(xué),2001.
[2]張學(xué)孚,陸怡良.磁通門技術(shù)[M].北京:國防工業(yè)出版社,1995,30-49.
[3]Andò B,Baglio S,Bulsara A R,et al.Design and Characterization of a Microwire Fluxgate Magnetometer[J].Sensors and Actuators A,2009,151(2):145-153.
[4]Dari A,Bosi L,Gammaitoni L,et al.Nonlinear Sensors:An Approach to the Residence Time Detection Strategy[J].Phys.Rev.E,2010,81:011115.
[5]Ando B,Baglio S,Sacco V,et al.PCB Fluxgate Magnetometers with a Residence Times Difference Readout Strategy:The Effects of Noise[J].IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement,2008,57(1):19-24.
[6]Primdahl F,Ripka P,Petersen J R,et al.The Sensitivity Parameters of the Short-Circuited Fluxgate[J].Meas.Sci.Technol,1991,2:1039-1045.
[7]劉詩斌,段哲民,嚴家明.電流輸出型磁通門傳感器的靈敏度[J].儀表技術(shù)與傳感器,2002,4-6.
[8]Huang Weng Sheng,Jeng Jen-Tzong,Lu Chih-Cheng.Harmonic Frequency Characterisations of a CMOS Micro Fluxgate Sensor for Low Magnetic Field Detection[J].Procedia Engineering,2010,5:993-996.
[9]劉石,李寶清,童官軍,等.一種平面四軸向磁通門傳感器的設(shè)計[J].傳感技術(shù)學(xué)報,2010,23(11):1565-1569.
[10]Baschirotto A,Dallago E,Malcovati P,et al.An Integrated Micro-Fluxgate Magnetic Sensor with Front-End Circuitry[J].IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement,2009,58(9):3269-3275.
[11]Baschirotto A,Dallago E,Malcovati P,et al.A Fluxgate Magnetic Sensor:From PCB to Micro-Integrated Technology[J].IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement,2007,56(1):25-31.
[12]Janosek M,Ripka P.PCB Sensors in Fluxgate Magnetometer with Controlled Excitation[J].Sensors and Actuators A,2009,151:141-144.
[13]Trujillo H,Cruz J,Rivero M,et al.Analysis of the Fluxgate Response Through a Simple Spice Model[J].Sensors and Actuators,1999,75:1-7.
[14]劉詩斌,崔智軍,劉昭元.低剩磁誤差磁通門的激勵電路研究[J].傳感技術(shù)學(xué)報,2009,22(12):1709-1712.