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        ZPW-2000A發(fā)送器電源口浪涌設(shè)計方案

        2011-07-13 09:27:14李云川賈敏捷
        鐵路通信信號工程技術(shù) 2011年5期
        關(guān)鍵詞:發(fā)送器差模壓敏電阻

        李云川 賈敏捷

        (沈陽鐵路信號有限公司,沈陽 110025)

        當(dāng)前,鐵路建設(shè)快速發(fā)展,鐵路運輸向著更快速、更高效、更安全的方向發(fā)展?,F(xiàn)在國內(nèi)鐵路區(qū)間主要采用ZPW—2000A無絕緣移頻自動閉塞系統(tǒng),該系統(tǒng)由北京全路通信信號研究設(shè)計院有限公司設(shè)計。系統(tǒng)主要包括室內(nèi)設(shè)備和室外設(shè)備,其中發(fā)送器屬于室內(nèi)設(shè)備,它在系統(tǒng)中產(chǎn)生18種低頻、8種載頻的高精度、高穩(wěn)定的移頻信號源,屬于直接影響鐵路行車安全的信號設(shè)備。發(fā)送器內(nèi)部由數(shù)字電路和模擬電路組成,它們耐沖擊小,易損害,而發(fā)送器工作的DC 24 V電源又是由外部電源屏提供,也是浪涌通過傳導(dǎo)方式進入設(shè)備內(nèi)部的一個主要通道。為了阻止浪涌從電源口進入產(chǎn)品內(nèi)部對電路形成危害,必須在電源口采取防護措施。由于受發(fā)送器體積影響,需采用最直接、最簡單的浪涌抑制器件來進行防護。

        1 主要浪涌抑制器件

        目前主要使用的抑制浪涌器件有氣體放電管、壓敏電阻、硅瞬變電壓吸收二極管和半導(dǎo)體放電管[1]。

        1.1 氣體放電管

        優(yōu)點:電流通容量大(上千安);寄生電容最小,通常在2~10 pF;導(dǎo)通時殘余電壓低,約10~35 V。

        缺點:標(biāo)稱電壓范圍75~1 000 V,檔位稀疏,離散性大;響應(yīng)時間較慢,為80 ns左右,不能單獨用于保護敏感電子器件;有續(xù)流問題,在直流及交流系統(tǒng)中使用時需注意克服后續(xù)電流有害影響。

        1.2 壓敏電阻

        優(yōu)點:電流通容量大(上千安);標(biāo)稱電壓范圍在11~1 800 V,其間檔次較多;響應(yīng)時間快,為25 ns左右;無續(xù)流問題。

        缺點:容易老化,動作次數(shù)多后,漏電流會增大,從而導(dǎo)致壓敏電阻過熱,最終導(dǎo)致老化失效;寄生電容較大,其值在幾百pF至幾千pF之間,不利于對高頻電子電路的保護。

        1.3 硅瞬變電壓吸收二極管

        優(yōu)點:響應(yīng)時間最快,可達ps級;標(biāo)稱電壓范圍在3~495 V,其間檔次極多,適合做最后一級精密保護;無續(xù)流問題。

        缺點:通流量??;寄生電容較大,其值在幾百pF至幾千pF之間,不利于對高頻電子線路的保護。

        1.4 半導(dǎo)體放電管

        優(yōu)點:響應(yīng)時間快,可達ns級;標(biāo)稱電壓范圍5~550 V,其間檔次極多,且導(dǎo)通時殘壓低(3~5 V),適合做最后一級精密保護;寄生電容較小,通常在幾十pF;功耗極低,可無限重復(fù)使用,基本不會老化。

        缺點:通流量一般;有續(xù)流問題。

        綜上所述,不同的抑制器件有不同的特性,適用于不同的應(yīng)用環(huán)境。有時在實際中采用一種器件很難起到所要的效果,這時可以把幾種器件組合起來使用,比如吸收能力大而響應(yīng)時間慢的(如氣體放電管)做一級粗保護,而速度快、限壓精度高的(如硅瞬變電壓吸收二極管和半導(dǎo)體放電管)做后級保護,這樣能起到更好的保護作用;有時也可以采用濾波器和鐵氧體磁芯來作為后級電路的保護。

        2 電源口浪涌(沖擊)抗擾度設(shè)計方案

        結(jié)合發(fā)送器實際電路和各浪涌抑制器件的優(yōu)缺點進行綜合分析,最終選擇壓敏電阻作為一級防護,在數(shù)字電路前再用一個濾波器作為數(shù)字電路的二級防護。電路如圖1所示。

        2.1 一級防護

        圖1中壓敏電阻FR1、FR2、 FR3選擇的是某國外公司的S20K30型壓敏電阻,該壓敏電阻的直流最大連續(xù)工作電壓為38 V,標(biāo)稱電壓為47 V,最大限制電壓為93 V,8/20 us波形時的通流為2 000 A,選擇該型號壓敏電阻依據(jù)原則如下[1]。

        1)交流回路中,壓敏電阻的標(biāo)稱電壓應(yīng)為交流額定電壓(有效值)的2.2~2.5倍。

        2)直流回路中,壓敏電阻的標(biāo)稱電壓應(yīng)為直流額定電壓的1.8~2倍。

        3)最大連續(xù)工作電壓應(yīng)大于設(shè)備的額定工作電壓。

        4)最大限制電壓應(yīng)小于后級保護設(shè)備耐壓水平,否則達不到保護作用。

        發(fā)送器工作電壓為DC 23~25 V,后級保護電路中模擬電路里的大功率管V30、V18的VCE0、VCB0均為120 V,濾波器橫向耐壓220 V,縱向耐壓2 500 V,電源模塊縱向耐壓≥1 000 V,橫向耐壓100 V,按照壓敏電阻選擇原則,所選壓敏電阻最大直流連續(xù)工作電壓應(yīng)大于發(fā)送器的最大直流工作電壓25 V, 標(biāo)稱電壓值應(yīng)大于1.8×25=45 V,最大限制電壓應(yīng)小于后級保護電路中耐壓水平最低的100 V(電源模塊橫向耐壓值),S20K30型壓敏電阻正好滿足各項指標(biāo)要求。

        2.2 二級防護

        經(jīng)上述分析,一級防護已能對后級電路進行完全保護,之所以還要在數(shù)字電路前再增加一個濾波器作為二級防護,是因為一個設(shè)備電源口的電磁兼容除了浪涌外,還包括電快速脈沖群、傳導(dǎo)發(fā)射及輻射發(fā)射等。壓敏電阻僅在浪涌上起關(guān)鍵作用,在其他電磁兼容方面起作用很小,甚至不起作用。而數(shù)字電路中有大量的集成電路和時鐘電路,它們都是易受電快速脈沖群干擾的器件,同時也是產(chǎn)生傳導(dǎo)干擾及輻射發(fā)射的主要來源,濾波器正是防護電快速脈沖群、傳導(dǎo)發(fā)射及輻射發(fā)射的重要器件[2],它在防浪涌中也起一定作用,經(jīng)壓敏電阻后的殘壓浪涌進行再次衰減,減小對后級數(shù)字電路的沖擊。

        濾波器在其他電磁兼容方面工作原理不再分析,這里主要分析它的防浪涌原理。

        圖2是所選擇的濾波器的電路原理圖,圖中C1、C2、C3、C6是差模電容,C4、C5、C7、C8是共模電容,L1、L2是差模電感,L3、L4是共模電感。

        縱向:以P對地的縱向分析為例,P對地有共模干擾時,濾波器里的L1、L3的上半線圈及C4構(gòu)成I級防護,因為L3是共模電感,對共模干擾信號呈現(xiàn)高阻,對共模干擾信號進行一次衰減;同理,L4上半線圈和C7構(gòu)成Ⅱ級防護,共模電感L4對共模干擾信號進行二次衰減。

        橫向:P對N有差模干擾時,濾波器里的L1、C2、L2構(gòu)成I級防護,因為L1、L2是差模電感,對差模干擾呈現(xiàn)高阻,對差模干擾信號進行一次衰減;雖然L3是共模電感,但其存在一定漏感,所以L3和C3構(gòu)成II級防護,L3的漏感對差模干擾信號呈現(xiàn)一定阻抗而對差模干擾信號二次衰減;同理,L4和C6構(gòu)成III級防護, L4的漏感對差模干擾信號三次衰減。

        3 試驗

        依據(jù)GB/T 24338.5-2009 軌道交通電磁兼容第4部分:信號和通信設(shè)備的發(fā)射與抗擾度中《電源端口抗擾度試驗》在發(fā)送器電源口施加1.2/50 us不同幅值的雷電波來驗證設(shè)計方案。

        3.1 試驗內(nèi)容

        如表1所示進行試驗。

        表1 試驗內(nèi)容

        3.2 波形采樣

        因為后級防護電路中的縱向耐壓值都比較高,橫向耐壓值相對較低,所以,只采集橫向試驗時圖1中1-2、4-5雷電波形,如圖3、圖4所示。

        由采集波形可見,在電源口+24 V、024 V間施加1.2/50 us 1 000 V雷電波時,經(jīng)FR3壓敏電阻后衰減為45.4 V,經(jīng)過濾波器二次衰減后變?yōu)?3.6 V,這兩個值均小于后級電路保護水平。

        3.3 試驗結(jié)果

        發(fā)送器在整個試驗過程中工作正常,無異常現(xiàn)象。

        4 結(jié)論

        根據(jù)理論分析和試驗結(jié)果,設(shè)計的電源口浪涌防護方案完全滿足要求,目前,發(fā)送器已在現(xiàn)場大量使用,其運行穩(wěn)定。

        [1] 錢振宇.3C認(rèn)證中的電磁兼容測試與對策[M].北京:電子工業(yè)出版社,2004.

        [2] 楊繼深.電磁兼容技術(shù)之產(chǎn)品研發(fā)與認(rèn)證[M].北京:電子工業(yè)出版社,2004.

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