電子技術(shù)應(yīng)用網(wǎng)記者 陳穎瑩

2011年4 月業(yè)界最轟動的消息一定是德州儀器（TI）以 65億美元收購美國國家半導(dǎo)體，很多人都大為吃驚。其實，仔細想想，此次收購也有一定的必然性。TI一直頻繁推出模擬器件，并且在多個場合表示要爭取在模擬器件領(lǐng)域的霸主地位，此次收購將成為TI模擬器件發(fā)展的一個里程碑。TI與競爭對手的博弈必將更加激烈，而推出優(yōu)秀的產(chǎn)品是必經(jīng)之路。

近日，TI宣布推出業(yè)界最低功耗的4通道16位1.25 GSPS數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)以及 15A與 25A SWIFT降壓轉(zhuǎn)換器。雖然歸屬不同的產(chǎn)品，但是它們都是針對通信應(yīng)用，可見TI對通信領(lǐng)域十分重視，對3G和4G通信市場充滿期待。TI的工程師們與記者分享了新推出的模擬產(chǎn)品的獨特性能和優(yōu)勢。

低功耗、高速DAC

無線基站制造商面臨的挑戰(zhàn)是需要不斷推出既可確保低功耗，又能突破帶寬與性能限制的系統(tǒng)。DAC3484及其兩款關(guān)聯(lián)DAC就可幫助設(shè)計 3G、LTE及 WiMAX基站、寬帶中繼器以及軟件定義無線電的客戶優(yōu)化系統(tǒng)，以更小的封裝實現(xiàn)低功耗。TI高性能模擬器件事業(yè)部產(chǎn)品應(yīng)用工程師冷愛國把該芯片與其他競爭的產(chǎn)品進行了比較，DAC3484在1.25 GSPS速率下比速度最接近的4通道DAC快25%，而每通道功耗僅為 250 mW，比性能最接近的同類競爭產(chǎn)品低 65%。此外，DAC3484 9 mm×9 mm的多行 QFN封裝還比其他4通道DAC解決方案小40%，可實現(xiàn)更高密度的主發(fā)送器與分集發(fā)送器；支持高達250 MHz的寬帶功率放大器線性化；具有更高輸入總線的DAC34H84或雙通道DAC3482可支持高達500 MHz的線性化帶寬。

冷愛國先生還強調(diào)了DAC3482的其他一些獨特性能：16位交錯式1.25 GSPS輸入可將I/O數(shù)量銳減一半，從而可降低FPGA成本，簡化電路板布線；2x～16x內(nèi)插可降低接口速率以及FPGA/DUC成本；多DAC同步可為分集與智能天線無線電降低設(shè)計復(fù)雜性；兩個獨立32位數(shù)控振蕩器(NCO)支持獨立微調(diào)的寬泛輸出頻率；支持增益、相位與組延遲校準，連接TRF370315等IQ調(diào)制器時，可抑制不需要的邊帶，如圖1所示。

圖1 組延遲校準的作用

SWIFT降壓轉(zhuǎn)換器

集成NexFET的SWIFT降壓轉(zhuǎn)換器TPS56221和TPS56121以業(yè)界最小的封裝實現(xiàn)最高功率密度與效率。TI電源產(chǎn)品業(yè)務(wù)拓展工程師吳濤介紹到，它們不但提供300 kHz、500 kHz以及1 MHz三種可選頻率以實現(xiàn)更高的設(shè)計靈活性，而且還支持 4.5 V～14 V的寬泛輸入電壓。其總體解決方案尺寸僅為315 mm2，比其他分立式方案小30%；在25 A與15 A峰值負載電流下，效率都超過90%；功率密度高達200 W/in。25 A、14 V TPS56221與其他 25 A解決方案相比，功耗降低20%，效率提升 5%，開關(guān)速度提高1.5倍；而15 A、14 V TPS56121可在 15 A電流下將效率提升3%，開關(guān)速度提高2倍。吳濤先生還向記者透露，集成NexFET將是今后TI針對高電流和高功率密度應(yīng)用產(chǎn)品的一個趨勢，以充分發(fā)揮 NexFET的優(yōu)勢。

當(dāng)TI向著其模擬帝國一步步前進的時候，相信其競爭對手也會推出優(yōu)秀的產(chǎn)品并推行我們無法預(yù)料的商業(yè)策略與TI抗衡，無論如何，消費者都將是受益者。