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        多晶制絨工藝與設(shè)備的研究

        2011-03-23 03:44:54于皓潔林立姚雁林
        電子工業(yè)專用設(shè)備 2011年1期
        關(guān)鍵詞:進(jìn)液硅片溢流

        于皓潔,林立,姚雁林

        (北京七星華創(chuàng)電子股份有限公司,北京 100015)

        隨著光伏市場的快速發(fā)展,鑄造多晶硅成為最主要的太陽能電池原材料。制絨工藝是晶體硅太陽能電池片生產(chǎn)的第一道工序,也是極為重要的一道工序。制絨環(huán)節(jié)是在硅片損傷層的基礎(chǔ)上制備織構(gòu)表面,以便減少光的反射率,提高開路電壓(Voc)和短路電流(Isc),最終提高電池的光電轉(zhuǎn)換效率。詳見圖1~圖4及表1。由圖1~圖4及表1可以得出:

        圖1 切割完之后硅片

        圖2 堿腐蝕之后的硅片

        圖3 無掩膜RIE之后的硅片

        圖4 掩膜RIE之后的硅片

        表1 不同制絨方法的比較

        切割后的硅片,雖有比較低的反射率,但表面損傷層和裂痕嚴(yán)重,金屬離子等污染也比較嚴(yán)重,所以做成的電池片開路電壓很低;堿腐蝕后的硅片,由于多晶硅片表面晶向不一致,所以反射率比較高,做成的電池片短路電流損失嚴(yán)重;酸腐蝕后的硅片,反射率較低,制作成的電池片電性能比較理想,但是酸制絨反應(yīng)劇烈,需要比較大的制冷設(shè)備控制反應(yīng);無掩膜RIE制絨后的硅片,由于等離子體的轟擊,造成硅片的損傷嚴(yán)重,開路電壓比較低;掩膜RIE制絨后的硅片雖然電性能最優(yōu),但是工業(yè)上大規(guī)模生產(chǎn)的掩膜以及RIE技術(shù)還沒開發(fā)成熟,比較難以實(shí)現(xiàn)。綜上所述,對(duì)于多晶硅片來說,酸腐蝕是比較理想的制絨手段。

        多晶硅酸制絨的反應(yīng)機(jī)理:

        硅片在酸溶液中的腐蝕一般分為兩個(gè)步驟,第一個(gè)步驟是硅片的氧化反應(yīng),用HNO3將硅片表面氧化成SiO2,同時(shí)生成副產(chǎn)物HNO2。而HNO2也參與硅片的氧化反應(yīng),并且主導(dǎo)整個(gè)氧化反應(yīng)的速率;第二個(gè)步驟是硅片氧化層的去除反應(yīng),用HF溶液將硅片表面的氧化層去除。

        制絨所需的生產(chǎn)設(shè)備目前分為槽式和鏈?zhǔn)絻煞N。鏈?zhǔn)街平q設(shè)備較槽式更易實(shí)現(xiàn)整線自動(dòng)化,但在產(chǎn)能、均值減薄量、反射率等指標(biāo)相當(dāng)?shù)那闆r下,槽式制絨設(shè)備在碎片率和價(jià)格方面的優(yōu)勢(shì)卻極為突出。北京七星華創(chuàng)股份有限公司針對(duì)該工藝的生產(chǎn)特點(diǎn),開發(fā)出槽式多晶硅片的制絨設(shè)備。

        制絨反應(yīng)瞬間放出大量熱量,使得溶液溫度迅速升高,溫度對(duì)擴(kuò)散及溶解反應(yīng)的影響較小,但對(duì)氧化反應(yīng)的影響卻很大。溫度升高,反應(yīng)速度常數(shù)會(huì)增大,如果不加以控制,反應(yīng)溫度會(huì)在很短的時(shí)間升高致很大,使反應(yīng)處于失控狀態(tài)。由于工業(yè)化生產(chǎn)每批次需要處理大量的硅片,這就對(duì)設(shè)備制絨槽內(nèi)溶液的控溫提出了很高的要求。

        在制絨槽的設(shè)計(jì)上可以采取用大流量的循環(huán)藥液迅速帶走多余的熱量,來實(shí)現(xiàn)控溫的目的。在溶液的大流量循環(huán)冷卻過程中,溢流量可根據(jù)進(jìn)液量的大小自行進(jìn)行相應(yīng)的調(diào)節(jié),以達(dá)到控制工藝溫度恒定的目的。見圖5。

        圖5 制絨槽

        如圖5所示:進(jìn)液磁力泵將冷卻槽內(nèi)的溶液通過進(jìn)液管路注入反應(yīng)槽,溶液注滿后,溢流至外槽,外槽的溶液通過溢流管路回流至冷卻槽。以此達(dá)到用大流量的循環(huán)藥液帶走反應(yīng)熱的目的。為保證反應(yīng)液溫度的恒定,除在溫度控制上采用多點(diǎn)控溫外,在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)上采用進(jìn)液流量可調(diào)來實(shí)現(xiàn),原因?yàn)椋海?)整個(gè)反應(yīng)過程中釋放的反應(yīng)熱是由高到低變化的;(2)與鏈?zhǔn)街平q設(shè)備的連續(xù)性不同,槽式制絨在硅片移載時(shí)間內(nèi),槽內(nèi)液體無反應(yīng)熱可吸收。為保證溶液溫度恒定,可通過調(diào)節(jié)進(jìn)液磁力泵控制器和進(jìn)液管路上的調(diào)節(jié)閥來調(diào)節(jié)進(jìn)液流量。為保證進(jìn)液量均勻,進(jìn)液管路分為4個(gè)分支,分別由制絨槽的底部和側(cè)面進(jìn)入制絨槽,總進(jìn)液量由進(jìn)液磁力泵控制器控制,各分支流量由各分支上的調(diào)節(jié)閥控制。因?yàn)檫M(jìn)液是由磁力泵提供動(dòng)力,如果僅采用自然溢流重力回流至冷卻槽則勢(shì)必對(duì)溢流管路的管徑、數(shù)量、安裝高度、位置空間都有很多要求。為解決這一問題,采用自然溢流和溢流管路外接動(dòng)力源相結(jié)合的溢流方法。如圖5所示,高位溢流管路采用自然溢流,低位溢流管路外接磁力泵將外槽內(nèi)的溶液泵入冷卻槽。具體工作過程為:根據(jù)反應(yīng)槽內(nèi)溶液溢流至外槽的溢流量即內(nèi)槽進(jìn)液量的大小,溢流磁力泵控制器根據(jù)高位傳感器和低位傳感器發(fā)來的信號(hào),控制低位溢流管路,通過低位溢流管路和高位溢流管路相配合,使液面始終保持在高位傳感器和低位傳感器之間。若外槽的進(jìn)液量較小,可只通過高位溢流管路進(jìn)行排液。若外槽的進(jìn)液量較大,使外槽的溶液液位超過了高位傳感器,溢流磁力泵控制器接收到高位傳感器的信號(hào),則啟動(dòng)溢流磁力泵,將溶液自低位溢流管路抽出,直至液位低于低位傳感器,溢流磁力泵控制器接收到低位傳感器的信號(hào),關(guān)閉溢流磁力泵,低位溢流管路停止排液。低位溢流管路的溢流量大小可通過溢流磁力泵控制器來調(diào)節(jié),當(dāng)?shù)臀灰缌鞴苈吠ㄟ^溢流磁力泵將溶液輸送至冷卻槽時(shí),高位溢流管路仍負(fù)責(zé)排出一部分溶輸送至冷卻槽。即在整個(gè)溢流過程中,高位溢流管路都將參與將溶液輸送至冷卻槽的工作,并根據(jù)溶液沒過溢流口的高低進(jìn)行流量微調(diào),低位溢流管路在溢流量發(fā)生較大變化時(shí)參與工作,并進(jìn)行相應(yīng)調(diào)節(jié)。當(dāng)循環(huán)溶液不再使用,需要更換時(shí),則通內(nèi)槽排放管路和外槽排放管路將反應(yīng)液排出。

        由于反應(yīng)會(huì)放出大量H2,會(huì)對(duì)片藍(lán)承載框架在槽內(nèi)的定位造成影響,因此在槽底設(shè)置定位塊,以保證片藍(lán)承載框架在槽內(nèi)的穩(wěn)定性,從而提高機(jī)械手抓取的成功率。

        硅片制絨設(shè)備是根據(jù)制絨工藝設(shè)計(jì)的,設(shè)備各方面的工作性能,不僅要滿足特定工藝的需求,同時(shí)也要滿足工藝所涉及的調(diào)整范圍。在生產(chǎn)過程中,有時(shí)往往由于設(shè)備方面的一些配合改進(jìn),就能解決工藝方面難以解決的大問題。因此,只有將設(shè)備和工藝兩者有機(jī)的結(jié)合起來,才能生產(chǎn)出高品質(zhì)的電池片。

        [1]劉志剛,孫鐵囤,于化叢,周之斌,崔容強(qiáng).酸腐蝕在多晶硅太陽能電池上的應(yīng)用[A];第八屆全國光伏會(huì)議暨中日光伏論壇論文集[C].北京,中國學(xué)術(shù)期刊(光盤版)電子雜志社,2004.

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