王 麗
(華南理工大學(xué)廣州汽車學(xué)院, 廣東 廣州 510800)
19世紀(jì)末,人們在研究類熱解時,發(fā)現(xiàn)在催化劑表面生成物中混有極小的纖維狀物質(zhì),這是納米碳纖維(CNFS)的最早發(fā)現(xiàn).20世紀(jì)90年代S. Iijima發(fā)現(xiàn)納米碳管以后,人們才開始有目的地合成納米碳纖維,其質(zhì)量輕、厚度薄、韌性好、強(qiáng)度大、導(dǎo)電性強(qiáng)、低密度、寬頻帶的多功能特性受到了極大關(guān)注.通過幾十年的發(fā)展,CNFS的研究已越來越廣泛,且技術(shù)也越來越完善,制備的性能也越來越好,應(yīng)用也越來越廣泛.
制備螺旋CNFS的方法采用化學(xué)氣相沉積法(CVD法),該方法主要以低碳烴化合物乙炔(C2H2)為碳源,含硫化合物為生長促進(jìn)劑,Ni為催化劑,H2和Ar為載氣,石英舟作基片.CVD法有以下幾個優(yōu)點(diǎn):
(1)設(shè)備簡單:無須高真空和高溫加熱設(shè)備,優(yōu)化了實(shí)驗(yàn)裝置,有利于實(shí)驗(yàn)的快速進(jìn)行.
(2)成本較低,可就地取材.
(3)用途廣泛:我們制備的螺旋納米碳纖維用途是很廣泛的.如用于電磁信息發(fā)射,可防止信息泄露,避免政治、經(jīng)濟(jì)、國防、科技等方面因信息泄露而造成的損失.
設(shè)備組裝好后制備CNFS,要使石英管內(nèi)源源不斷地供應(yīng)氣體,而又不使氣體壓強(qiáng)過大影響實(shí)驗(yàn)結(jié)果,則應(yīng)使流入反應(yīng)管內(nèi)的氣體量與流出的氣體量保持平衡.不同工藝條件制備的CNFS其性能如表1所示.
納米碳纖維的形貌(特別是直徑)和微觀結(jié)構(gòu)對其物理、化學(xué)性質(zhì)有著極大的影響,在不同的制備方法和工藝條件下可以得到各種不同形貌和微觀結(jié)構(gòu)的納米碳纖維.
真空中的電磁場為
表1 不同工藝條件制備的CNFS
D=ε0E,B=μ0H
(1)
式中E為電場強(qiáng)度,D為電感應(yīng)強(qiáng)度,H為磁場強(qiáng)度,B為磁感應(yīng)強(qiáng)度,ε0和μ0均為常數(shù).
類似得到物質(zhì)方程式:
D=εε0E,B=μμ0H
(2)
ε=1+xE,μ=1+xt
(3)
xE和xt分別稱為電介質(zhì)的極化率和磁化率.確定電感應(yīng)強(qiáng)度D和磁感應(yīng)強(qiáng)度B與電場強(qiáng)度E′磁場強(qiáng)度H之間關(guān)系的等式(2)稱為物質(zhì)方程.xE和xt表征了材料內(nèi)部存在電磁場的實(shí)際介質(zhì)以及相應(yīng)的性質(zhì).還有另外一個物質(zhì)方程,以使傳導(dǎo)電流密度I與電場強(qiáng)度聯(lián)系起來,即
I=σE
(4)
式中σ為材料的電導(dǎo)率,電導(dǎo)率是材料電阻率的倒數(shù).
把ε和μ表示為復(fù)數(shù):
ε=ε′-jε″,μ=μ′-jμ″
(5)
上式中ε′和μ′分別為在電場或磁場作用下產(chǎn)生的極化和磁化程度的變量,而ε″是外加電場作用下材料電偶矩產(chǎn)生重排引起損耗的程度,μ″是外加磁場作用下材料磁偶矩產(chǎn)生重排引起損耗的量度.其損耗角正切分別為:
(6)
(7)
式中ω為角頻率.這些參數(shù)也可用復(fù)波數(shù)(或傳播常數(shù))k表示:
(8)
式中c為真空中的光速.
一般來說,材料的性質(zhì)都借助于綜合參數(shù)ε和μ來表征,這兩個參數(shù)決定著介質(zhì)中電磁能的積蓄和消耗[1].根據(jù)ε和μ特性的不同,材料對電磁波輻射的吸收能力也不一樣.理想電解質(zhì)的介電常數(shù)和磁導(dǎo)率是實(shí)數(shù),因此不能吸收電磁波輻射,但在一般情況下介質(zhì)或材料的介電常數(shù)和磁導(dǎo)率具有參數(shù)性質(zhì).如果其介電常數(shù)和磁導(dǎo)率的虛部與實(shí)部相比很小,則可忽略不計,因此仍不能吸收電磁波輻射,這類介質(zhì)或材料為透波介質(zhì)或透波材料.當(dāng)介質(zhì)或材料的介電常數(shù)和磁導(dǎo)率的虛部不能忽略時,便具有吸收電磁波的輻射的性質(zhì),稱其為吸波介質(zhì)或吸波材料[2].由此可見,虛部主要承擔(dān)對電磁波輻射的吸收.
除了ε和μ以外還常常采用表征同一現(xiàn)象的其他一些參數(shù),其中一個參數(shù)是介質(zhì)損耗角正切tgδ.在損耗取決于電導(dǎo)率σ時,
(9)
為了評價介質(zhì)的質(zhì)量,常采用Q值,它稱為品質(zhì)因數(shù),即
(10)
在計算中,常常用來描述材料特征的另一個參數(shù)是復(fù)波數(shù),
(11)
如果沒有磁損耗(μ″=0),則復(fù)波數(shù)的實(shí)部和虛部為
(12)
對電磁波的傳播過程可簡稱如下:當(dāng)電磁波在空氣中傳播而遇到媒質(zhì)時,由于媒質(zhì)的阻抗與自由空間的阻抗不匹配則電磁波在媒質(zhì)與空氣的前界面發(fā)生反射.除反射波外,透射波進(jìn)入媒質(zhì)內(nèi)部并在其中傳播.在傳播中,由于電磁波與媒質(zhì)相互作用而發(fā)生能量損耗.當(dāng)電磁波遇到與空氣的后界面時,再次出現(xiàn)阻抗不匹配,從而一部分電磁波出射進(jìn)入空氣,另外一部分被后界面反射回而繼續(xù)在媒質(zhì)中重復(fù)上述過程.而最后電磁波吸收性能與材料的性質(zhì)—電磁參數(shù):復(fù)介電常數(shù)和復(fù)磁導(dǎo)率相關(guān)[3].
測試方法為一個比較經(jīng)典的方法—反射法.其測試原理主要依據(jù)3.1與3.2中所述原理.在這種方法中,將介質(zhì)試樣置于測量系統(tǒng)的末端,其輸出端接短路板或開路器以產(chǎn)生全反射,根據(jù)試樣引起的駐波節(jié)點(diǎn)和駐波系數(shù),可確定試樣的相對介電常數(shù)和損耗因子.
在裝有介質(zhì)試樣的終端短路波導(dǎo)中,從介質(zhì)試樣的輸入端面輸入的等效阻抗Z1為:Z1=Zαlhγlt,式中Zα為介質(zhì)波導(dǎo)的特性阻抗,γ=α+jβ為波在介質(zhì)波導(dǎo)中的傳播系數(shù),lt為介質(zhì)的長度.Z1也可看作空氣中波導(dǎo)的負(fù)載阻抗,而這個阻抗由駐波系數(shù)和駐波最小點(diǎn)離開負(fù)載端(即介質(zhì)式樣的輸入端面)的距離d來決定,它們是:
由此超越方程解出γ后,則可得到生物組織試樣的相對介電常數(shù)和損耗因子.
在傳輸TE10波的矩形測量系統(tǒng)中
式中λ0為自由空間波長,α為波導(dǎo)的寬邊尺寸.
用反射法測試CNFS吸波性能時,所用PX16頻率計、YM 1123標(biāo)準(zhǔn)信號發(fā)生器產(chǎn)生入射波,經(jīng)隔離器調(diào)節(jié)后,到達(dá)測量線選擇駐波節(jié)點(diǎn),在YM 13892選頻放大器上觀察. 測試數(shù)據(jù)列于表2.
表2 吸波性能測試表
(1) 由表2可見:材料的介電常數(shù)的虛部不為0,即ε≠0,而根據(jù)文獻(xiàn)[4]ε是外加電磁場作用下材料電偶矩產(chǎn)生重排引起損耗的量度,且文獻(xiàn)[2]中所述:介電常數(shù)的虛部存在時,便具有吸收電磁波的性質(zhì),可見我們測量的材料是有吸波性能的.對于表2中所示的樣品,實(shí)部與虛部相差不多,根據(jù)文獻(xiàn)[2],虛部與實(shí)部相比不能忽略時,即相差不大時,便具有可很好的吸波電磁波的性能,說明我們制備的CNFS稀吸波性能優(yōu)良.
(2) 從電磁波的衰減來看,5#產(chǎn)品入射波頻率為1 GHz,經(jīng)過0.628 cm的CNFS衰減到0.08 GHz,即相當(dāng)于21.7 db,吸收率達(dá)92%.對于6#產(chǎn)品入射頻率為1 GHz,經(jīng)過0.628 cm的CNFS衰減到0.05 GHz,即相當(dāng)于26 db,吸收率達(dá)95%.對于7#產(chǎn)品,入射1 GHz波后經(jīng)過0.628 cm距離的CNFS衰減到了0.018 GHz,即相當(dāng)于35 db,吸收率達(dá)98.2%.由此可見,相同的入射波在經(jīng)過相同的距離后7#產(chǎn)品衰減的最多,則7#產(chǎn)品的吸波性能最佳.
制備的螺旋CNFS的吸收特性測試結(jié)果表明,其實(shí)部與虛部相差不大,根據(jù)文獻(xiàn)[4]中的原理,說明制備的螺旋CNFS的吸波性能優(yōu)良,且催化劑為200目制備的螺旋CNFS比催化劑數(shù)目大于200目的螺旋CNFS的吸波性能好.H2∶Ar∶C2H2=8∶3∶3制備的螺旋CNFS的吸波性能要優(yōu)于 H2∶Ar∶C2H2=20∶10∶11制備的螺旋CNFS.
由上述結(jié)果,我們可以設(shè)想:當(dāng)入射波入射碰到材料后,經(jīng)過處理使波全部進(jìn)入材料達(dá)到98%衰減后,經(jīng)材料的后表面反射再次進(jìn)入材料又為98%的衰減,這樣多次衰減則吸收率可達(dá)99.99%.
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