從近幾年的現(xiàn)實發(fā)展情況看，2002年前國內(nèi)LED芯片完全依賴進口，2003年國家半導體照明工程啟動后，GaN功率型芯片從無到有，并帶動了小功率芯片的發(fā)展，逐步替代進口。

2003年，半導體照明的“十一五”863重大項目自實施以來，代表了國內(nèi)研發(fā)的最高水平。如今，我國LED外延材料、芯片制造、器件封裝、熒光粉等方面均已顯現(xiàn)具有自主技術(shù)產(chǎn)權(quán)的單元技術(shù)，部分核心技術(shù)具有原創(chuàng)性，初步形成了從上游材料、中游芯片制備、下游器件封裝及集成應用等比較完整的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)體系，為我國LED產(chǎn)業(yè)做大做強在一定程度上奠定了基礎(chǔ)。

截至2008年底，國家半導體照明工程取得重大進展:探索性、前沿性材料生長和器件研究出現(xiàn)部分原創(chuàng)性技術(shù)。國內(nèi)已研制出280納米紫外LED器件，20毫安輸出功率達到毫瓦量級，處于國際先進水平;非極性氮化鎵的外延生長，X射線衍射半峰寬由原來的780弧秒下降至559弧秒，這一數(shù)值是目前國際上報道的最好結(jié)果之一;首次實現(xiàn)大面積納米和薄膜型光子晶格LED，20mA室溫連續(xù)驅(qū)動小芯片輸出功率由4.3mW提升至8mW;全磷光型疊層白光OLED發(fā)光效率已達到45lm/w;成功開發(fā)出6片型和7片型MOCVD樣機，正在進行工藝驗證。

一些科研院所，如中國科學院物理所和長春光機與物理所、北京大學、北京有色金屬研究院、石家莊十三所等單位也相繼開展了這方面的研究工作。目前已取得了可喜的進步，正在縮短與國際先進水平的差距。眼下市場上的白光LED大都是國內(nèi)LED廠家采用進口芯片和熒光粉自行封裝的。由于技術(shù)力量和自主開發(fā)能力薄弱，藍光芯片的選用和白光LED的性能受到一定限制和影響。

盡管國內(nèi)的技術(shù)在快速地進步，但總體技術(shù)水平與國外還存在一定的差距，主要體現(xiàn)在規(guī)模產(chǎn)業(yè)化的穩(wěn)定性和可靠性方面。