在2004年年底，當時為了更好的指導我國半導體照明產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，并充分考慮到我國的實際情況，國家半導體照明工程項目管理辦公室制訂了中國第一部半導體照明技術發(fā)展路線圖，具體技術指標如下圖所示。

2004年年底，用藍光+黃色熒光粉制成的標準φ5白光 LED的光效只有60～70 lm/W，而大功率1W白光LED的光效只有25 lm/W左右。在近兩年期間，φ5白光LED的光效已經(jīng)達到130 lm/W，而1W白光LED的光效也已達到70～80 lm/W，是2004年指標的3倍。LED光效的提高主要是通過LED外延與芯片結構優(yōu)化，改善內(nèi)量子效率和出光效率得到的，同時從散熱著手，最大限度地提高LED光電轉換的能力。

從國內(nèi)實際發(fā)展情況來看，2006年國內(nèi)生產(chǎn)的半導體照明用LED芯片和大功率LED的技術指標已經(jīng)超出當初的預期，同時在成本方面的降低速度也超出了當時的預期。但2008年的指標看來具有非常大的挑戰(zhàn)性，在5瓦的條件下達到60lm/W，在今天看來難度很大。下表1列出了近五年來的國產(chǎn)大功率白光LED發(fā)展進程:

從表1可以看出，雖然大功率LED的用途是照明，但其發(fā)展規(guī)律和速度更像是半導體行業(yè)，按此速度發(fā)展下去，半導體照明走進我們?nèi)粘Ｉ畹哪_步正越來越近了。