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        Ni-Cr/Ti/瓷界面反應(yīng)機(jī)制

        2010-10-30 07:25:20邱小明王紅穎孫大千姚漢偉韓秀紅
        材料工程 2010年10期
        關(guān)鍵詞:烤瓷中間層合金

        劉 杰,邱小明,王紅穎,孫大千,姚漢偉,韓秀紅

        (1吉林大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院,長(zhǎng)春130025;2中國(guó)北車(chē)集團(tuán)長(zhǎng)春軌道客車(chē)股份有限公司,長(zhǎng)春130062;3長(zhǎng)春三友汽車(chē)部件制造有限公司,長(zhǎng)春130031)

        Ni-Cr/Ti/瓷界面反應(yīng)機(jī)制

        劉 杰1,2,邱小明1,王紅穎1,孫大千1,姚漢偉3,韓秀紅3

        (1吉林大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院,長(zhǎng)春130025;2中國(guó)北車(chē)集團(tuán)長(zhǎng)春軌道客車(chē)股份有限公司,長(zhǎng)春130062;3長(zhǎng)春三友汽車(chē)部件制造有限公司,長(zhǎng)春130031)

        采用磁控濺射技術(shù),在Ni-Cr合金表面濺射一層 Ti薄膜作為中間層,研究了Ni-Cr/Ti/瓷界面組織結(jié)構(gòu),產(chǎn)物種類、分布及反應(yīng)機(jī)制。結(jié)果表明:Ni-Cr/Ti/瓷界面反應(yīng)復(fù)雜,界面處形成的新物相有 Ti2Ni,AlTi3,TiO2,SnCr0.14OX,NiCr2O4和Cr2O3。高溫烤瓷過(guò)程中,Ti與Ni以穩(wěn)定的化合物 Ti2Ni形式結(jié)合,同時(shí) Ti與陶瓷中Al2O3反應(yīng)生成AlTi3化合物,與SnO2和SiO2發(fā)生置換反應(yīng)生成 TiO2,TiO2與陶瓷中氧化物結(jié)合,更好的實(shí)現(xiàn)了Ni-Cr合金與陶瓷的連接。

        Ni-Cr/Ti/瓷界面;微觀結(jié)構(gòu);結(jié)合強(qiáng)度;反應(yīng)機(jī)制

        金屬烤瓷修復(fù)體是將牙科陶瓷材料(多元瓷粉調(diào)成瓷漿)敷于金屬或合金基體表面在真空條件下燒結(jié)而成,其實(shí)質(zhì)上是牙科陶瓷材料與金屬的連接。Ni-Cr合金價(jià)格低,彈性和強(qiáng)度高,可以使合金冠做得更薄,在牙齒缺失和缺損修復(fù)過(guò)程中減少對(duì)天然牙的打磨,受到醫(yī)生和患者的普遍歡迎,在國(guó)內(nèi)金屬烤瓷修復(fù)中占據(jù)主導(dǎo)地位[1,2]。

        隨著生物科學(xué)技術(shù)的發(fā)展,人們發(fā)現(xiàn)Ni-Cr合金在唾液長(zhǎng)期作用下產(chǎn)生腐蝕,易出現(xiàn)牙齦黑線,析出的鎳離子具有致敏、致癌、致畸等危害。如何降低鎳離子的析出,提高Ni-Cr合金的生物相容性,受到臨床醫(yī)生和研究人員的普遍關(guān)注[3]。鈦具有良好的生物相容性,在金屬與陶瓷釬焊過(guò)程中,作為活性元素,通過(guò)化學(xué)反應(yīng)可以在陶瓷材料表面產(chǎn)生分解,形成反應(yīng)層,實(shí)現(xiàn)金屬與陶瓷的可靠連接[4]。

        采用磁控濺射技術(shù),在Ni-Cr合金表面濺射 Ti中間層,Ni-Cr合金表面濺射 Ti中間層后烤瓷,形成Ni-Cr/Ti/瓷界面,此時(shí)的Ni-Cr/瓷界面連接轉(zhuǎn)變成 Ni-Cr/Ti/瓷界面的連接問(wèn)題。作者對(duì)Ni-Cr/Ti/多元陶瓷連接界面組織和性能進(jìn)行了詳細(xì)的研究[5-7]。研究結(jié)果表明,作為中間層的 Ti易氧化,過(guò)度氧化后失去活性,熔點(diǎn)較高,如何有效地控制和利用 Ti中間層成為Ni-Cr/Ti/瓷界面連接的難點(diǎn),本工作著重研究Ni-Cr/Ti/瓷界面組織結(jié)構(gòu),產(chǎn)物種類、分布及反應(yīng)機(jī)制。

        1 實(shí)驗(yàn)材料與方法

        實(shí)驗(yàn)用烤瓷金屬為日本SHOFUUNIMETALⅡ型Ni-Cr合金,化學(xué)成分見(jiàn)表 1。瓷粉 PA2O(遮色瓷)、A2B(體瓷)由日本松風(fēng)株式會(huì)社出品,化學(xué)成分見(jiàn)表2。

        表1 Ni-Cr合金化學(xué)成分(質(zhì)量分?jǐn)?shù)/%)Table 1 Chemical composition of Ni-Cr alloy(mass fraction/%)

        表2 瓷粉的化學(xué)成分(質(zhì)量分?jǐn)?shù)/%)Table 2 Chemical composition of PA2O and A2B(mass fraction/%)

        將Ni-Cr合金采用離心鑄造機(jī)鑄造成30mm×25 mm×10mm的薄板,再用線切割切成15mm ×10 mm ×1mm的試樣用作微觀分析和按照ISO 9693標(biāo)準(zhǔn)制成25mm×3mm×0.5mm試樣用作三點(diǎn)彎曲試驗(yàn)[8]。所有試樣表面用粒度120μm Al2O3噴砂處理后,用丙酮超聲清洗10min,去離子水沖洗5min。采用DPS-Ⅲ型超高真空對(duì)靶磁控濺射鍍膜機(jī),在Ni-Cr合金表面濺射一層Ti,Ti中間層厚度為3μm。鈦靶材的規(guī)格 φ60mm×3mm,純度為 99.9%(質(zhì)量分?jǐn)?shù))。濺射沉積工作氣體為氬氣,濺射電流0.4A,系統(tǒng)本底氣壓低于4×10-4Pa,工作氣壓0.8 Pa。Ni-Cr合金表面濺射 Ti中間層后,在德國(guó) Multimat 99,VACV MAT 2500型真空烤瓷爐中,進(jìn)行兩層遮色瓷和一層體瓷的烤瓷過(guò)程,烤瓷的工藝參數(shù)見(jiàn)表3[7]??敬蓸悠返拇蓪映叽绶謩e為10mm×10mm×1.0mm和8mm×3mm×1.0mm,形貌如圖1所示。

        采用英國(guó)J SM-5310掃描電鏡(SEM)和 OXFORD能譜儀(EDS),研究Ni-Cr/Ti/瓷界面反應(yīng)層及元素分布;用日本 D/Max2500Pc型 X射線衍射儀(XRD)在平行于界面的不同平面內(nèi)逐層進(jìn)行物相分析,獲得了界面反應(yīng)層的物相。

        表3 烤瓷工藝參數(shù)Table 3 Firing technological parameter

        圖1 烤瓷后樣品形貌(a)微觀分析樣品;(b)三點(diǎn)彎曲試驗(yàn)樣品Fig.1 Morphology of the samples after porcelain firing(a)sample for microcosmic analysis;(b)sample for three-point bending test

        2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與分析

        2.1 Ni-Cr/Ti/瓷界面微觀結(jié)構(gòu)

        圖2分別是Ni-Cr/Ti/瓷界面組織、元素線掃描和XRD分析。由圖2(a)可見(jiàn),Ni-Cr/Ti,Ti/瓷界面結(jié)合致密,界面無(wú)裂紋、孔隙等缺陷;界面處可見(jiàn)較寬的灰色區(qū)域,即界面反應(yīng)層。經(jīng)能譜線掃描分析,各元素在界面處仍呈梯度分布,Ti峰在界面處有積聚,同時(shí)向Ni-Cr合金和陶瓷兩側(cè)呈梯度分布,Ti向陶瓷中的擴(kuò)散程度要大于 Ti向Ni-Cr合金中的擴(kuò)散,如圖2(b)所示。界面處物相有 SnCr0.14OX,NiCr2O4,Cr2O3,TiO2,AlTi3,Ti2Ni和 AlNi3,如圖2(c)所示。排除 Ni-Cr合金中原有相 AlNi3,界面反應(yīng)產(chǎn)物有Ti2Ni,AlTi3,TiO2,SnCr0.14OX,NiCr2O4和 Cr2O3。這些新物相的生成,說(shuō)明界面處發(fā)生了復(fù)雜的化學(xué)反應(yīng)。

        2.2 Ni-Cr/Ti/瓷界面結(jié)合強(qiáng)度和斷口分析

        在烤瓷溫度T=990℃,烤瓷時(shí)間t=2.5min,Ti中間層厚度為3μm時(shí),Ni-Cr/Ti/瓷界面結(jié)合強(qiáng)度可達(dá)到48.4MPa,與Ni-Cr/瓷界面結(jié)合強(qiáng)度比較提高了20.4%。圖3是三點(diǎn)彎曲試驗(yàn)后Ni-Cr合金側(cè)的斷口形貌和能譜點(diǎn)掃描分析。由圖3可見(jiàn),斷裂發(fā)生在瓷層和 Ti/瓷界面,在Ni-Cr合金表面殘留有大量的瓷層,部分瓷層呈塊狀分布,如圖3(a)所示。經(jīng)高倍分析可以看到,在界面嵌合處也殘留有薄的瓷層,如圖3(b)所示。由能譜點(diǎn)掃描分析可知,1點(diǎn)區(qū)主要含有Si,Al,K,O和Sn元素,經(jīng)分析是 KAlSi2O6和 SnO2,即瓷層,如圖3(c)所示;2點(diǎn)區(qū)含有 Si,Al,K和O元素外,還有 Ti元素,且O元素相對(duì)峰增強(qiáng),說(shuō)明此處是界面反應(yīng)層的近陶瓷區(qū),如圖3(d)所示;3點(diǎn)區(qū)除含有 Si,O,Al,Sn,K和 Ti元素外,還有 Ni和 Cr元素,說(shuō)明此處為界面反應(yīng)層的近金屬區(qū),如圖3(e)所示。合金表面噴砂處理后利于 Ti中間層的嵌入及瓷的熔附,在界面嵌合處也殘留有薄的瓷層,斷裂屬于內(nèi)聚性和黏附性混合斷裂,以內(nèi)聚性斷裂為主。瓷層從金屬基底內(nèi)聚性斷裂說(shuō)明除了機(jī)械嵌合作用之外,化學(xué)結(jié)合對(duì)界面結(jié)合強(qiáng)度起著至關(guān)重要的作用。高溫烤瓷過(guò)程中,Ti積極向Ni-Cr合金和陶瓷兩側(cè)擴(kuò)散并與Ni-Cr合金、陶瓷均發(fā)生化學(xué)反應(yīng),生成的新物相有Ti2Ni,AlTi3,TiO2,SnCr0.14OX,NiCr2O4和 Cr2O3,形成了擴(kuò)散型和化合物型混合型界面對(duì)提高界面結(jié)合強(qiáng)度十分有利。

        2.3 Ni-Cr/Ti/瓷界面反應(yīng)機(jī)制

        Ni-Cr合金表面濺射 Ti中間層后烤瓷,形成Ni-Cr/Ti/瓷界面,界面反應(yīng)包括 Ti與 Ni-Cr合金和 Ti與瓷之間發(fā)生的反應(yīng),分別研究了Ni-Cr/Ti和 Ti/瓷界面反應(yīng)過(guò)程。

        2.3.1 Ni-Cr/Ti界面反應(yīng)

        由元素鍵參數(shù)理論可知,化學(xué)元素間都有一定的化學(xué)親和力,元素間化學(xué)親和力大小可用式(1)計(jì)算:

        式中:η表示化學(xué)親和力參數(shù),η越大說(shuō)明A,B兩元素的化學(xué)親和性越強(qiáng);Z/rk表示金屬元素的電荷與原子半徑之比;Δx表示A,B兩元素電負(fù)性差,即原子在分子中吸引電子的能力。通過(guò)表4中給出的 Ti-Ni和Ti-Cr系統(tǒng)化學(xué)親和力參數(shù)[9],得到 Ti-Ni和 Ti-Cr系統(tǒng)η的計(jì)算結(jié)果。Ti-Ni的化學(xué)親和力大于 Ti-Cr之間的化學(xué)親和力,表明 Ti與Ni反應(yīng)的傾向性要大于Ti與Cr反應(yīng)。Ni-Cr/Ti界面發(fā)生的化學(xué)反應(yīng)主要是Ti和Ni-Cr合金中的Ni反應(yīng)。

        結(jié)合 Ti-Ni二元相圖分析,Ni-Cr/Ti界面可能發(fā)生的反應(yīng)及Δ計(jì)算結(jié)果如下:

        圖3 三點(diǎn)彎曲試驗(yàn)后Ni-Cr合金側(cè)的斷口形貌和能譜點(diǎn)掃描分析(a)斷口形貌;(b)局部放大;(c)1點(diǎn)EDS分析;(d)2點(diǎn)EDS分析;(e)3點(diǎn)EDS分析Fig.3 Fracture morphology and element point scanning analyses of Ni-Cr alloy side after three-point bending test(a)microcosmic morphology;(b)high magnification;(c)EDS of 1 point;(d)EDS of 2 point;(e)EDS of 3 point

        表4 Ti-Ni和 Ti-Cr系統(tǒng)的η值Table 4 Theηvalue of Ti-Ni and Ti-Cr systems

        通過(guò)文獻(xiàn)[10]中給出的熱力學(xué)數(shù)據(jù),計(jì)算式(2)~(4)中反應(yīng)的 Gibbs自由能ΔGΘT。ΔGΘT隨溫度變化的曲線,如圖4所示。由圖4可知,式(2)~(4)中反應(yīng)的Gibbs自由能在烤瓷溫度范圍內(nèi)均為負(fù)值,說(shuō)明以上3個(gè)反應(yīng)在熱力學(xué)上均能自發(fā)進(jìn)行。在實(shí)際烤瓷過(guò)程中,烤瓷起始溫度是680℃(953K),升溫過(guò)程中,隨著烤瓷溫度的升高,Ti與Ni在界面處的互擴(kuò)散能力增強(qiáng),其驅(qū)動(dòng)力為成分濃度差,擴(kuò)散速度決定于原子固相擴(kuò)散系數(shù)。由 Ti-Ni二元相圖可知[11],942℃時(shí)發(fā)生共晶轉(zhuǎn)變?yōu)?L→β+Ti2Ni。當(dāng)烤瓷溫度達(dá)到或稍高于942℃時(shí),Ti與Ni的互擴(kuò)散后,局部成分點(diǎn)達(dá)到了共晶點(diǎn),形成了 Ti2Ni相。Ti在Ni中的擴(kuò)散系數(shù)比Ni在Ti中的擴(kuò)散系數(shù)要小得多,從而可防止在界面區(qū)Ti中間層內(nèi)形成擴(kuò)散孔洞,與Ni形成的金屬間化合物 Ti2Ni具有一定的塑性,韌性強(qiáng)度更高,這將有利于提高界面結(jié)合強(qiáng)度。

        圖4 Ni-Cr/Ti界面反應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)生成吉布斯能與溫度關(guān)系Fig.4 Relation between standard Gibbs free energy and temperature of Ni-Cr/Ti interface reaction

        2.3.2 Ti/瓷界面反應(yīng)

        為了確定中間層 Ti與陶瓷中的 SnO2,SiO2和Al2O3究竟如何反應(yīng),先對(duì)可能發(fā)生的反應(yīng)及計(jì)算結(jié)果如下:

        根據(jù)文獻(xiàn)[10]中給出的熱力學(xué)數(shù)據(jù),計(jì)算式(5)~(7)中反應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)吉布斯自由能隨溫度變化的曲線,如圖5所示。由圖5可知,式(5)和(6)中反應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)吉布斯自由能在烤瓷溫度范圍內(nèi)均為負(fù)值,說(shuō)明以上2個(gè)反應(yīng)在熱力學(xué)上均能自發(fā)進(jìn)行,同時(shí)式(5)中反應(yīng)的ΔGΘ1263更低一些;式(7)中反應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)吉布斯自由能在烤瓷溫度范圍內(nèi)為正值,說(shuō)明該反應(yīng)不能自發(fā)進(jìn)行。高溫烤瓷過(guò)程中,Ti原子向陶瓷中擴(kuò)散,導(dǎo)致 Ti的氧化和Al3+離子的還原,被還原的 Al與 Ti反應(yīng)形成了AlTi3金屬間化合物。Ni-Cr/Ti/瓷界面XRD分析也已證實(shí) Ti與Al2O3反應(yīng)并沒(méi)有還原出單質(zhì)Al,而是生成了AlTi3金屬間化合物。

        圖5 Ti/瓷界面反應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)生成吉布斯能與溫度關(guān)系Fig.5 Relation between standard Gibbs free energy and temperature of Ti/porcelain interface reaction

        Ni-Cr/Ti/瓷界面Ni-Cr合金側(cè)的XRD分析表明有少量的Cr2O3和SnCr0.14OX存在。經(jīng)分析可知,Cr與SnO2可能發(fā)生反應(yīng)生成了Cr2O3。

        研究結(jié)果表明,瓷粉中的 SnO2結(jié)晶相除了能夠很好地起到遮蓋金屬底色的作用,對(duì)Ni-Cr合金與陶瓷連接起著關(guān)鍵的作用。在Ni-Cr合金表面濺射 Ti中間層后烤瓷,Ti/瓷界面處易出現(xiàn)Sn4+離子的聚集,這些錫離子作為“錫橋”即可與氧結(jié)合,又可與 Ti反應(yīng)生成 TiO2和Sn,使得界面處的電子結(jié)構(gòu)呈連續(xù)性,在金屬與陶瓷間起到了過(guò)渡層的作用,使氧化物與陶瓷之間形成牢固的離子鍵和共價(jià)鍵結(jié)合,形成牢固致密的連接界面,這是遮色瓷與 Ti中間層產(chǎn)生化學(xué)結(jié)合的一個(gè)重要因素。另一方面,由于 Ti/瓷界面生成了TiO2,TiO2又是一種良好的結(jié)晶成核劑,易使界面處的玻璃基質(zhì)析晶,進(jìn)一步促進(jìn)界面的化學(xué)反應(yīng),提高界面結(jié)合強(qiáng)度。但是大量 TiO2的生成會(huì)在 Ti/瓷界面形成氧化鈦層,過(guò)厚的氧化鈦層結(jié)構(gòu)變得疏松對(duì)界面結(jié)合反而不利。因此,對(duì) Ti中間層厚度的控制是保證Ni-Cr/Ti/瓷界面良好連接的關(guān)鍵。

        3 結(jié)論

        (1)高溫烤瓷過(guò)程中,Ti與Ni以穩(wěn)定的化合物Ti2Ni形式結(jié)合,同時(shí) Ti與陶瓷中 Al2O3反應(yīng)生成AlTi3化合物,與 SnO2和 SiO2發(fā)生置換反應(yīng)生成TiO2,TiO2與陶瓷中氧化物結(jié)合。

        (2)Cr與SnO2發(fā)生反應(yīng)生成 Cr2O3,部分Cr2O3與SnO2反應(yīng)生成復(fù)合氧化物 SnCr0.14OX,更好的實(shí)現(xiàn)了Ni-Cr合金與陶瓷的連接。

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        Reaction Mechanism of Ni-Cr/Ti/Porcelain Interface

        LIU Jie1,2,QIU Xiao-ming1,WANG Hong-ying1,SUN Da-qian1,YAO Han-wei3,HAN Xiu-hong3
        (1 College of Materials Science and Engineering,Jilin University,Changchun 130025;2 CNR Changchun Railway Vehicles Co.,Ltd.,Changchun 130062;3 Changchun Sanyou Automobile Parts Manufacturing Co.,Ltd.,Changchun 130031)

        Ti film was sputtered on Ni-Cr alloy substrate with magnetron sputtering and so it acted as an interlayer for Ni-Cr/porcelain interface.Microstructure,products category,distribution and reaction mechanism of bonding interface of Ni-Cr/Ti/porcelain have been investigated.Experimental results showed that the Ni-Cr/Ti/porcelain interface was very complicated and the interface has new phase composition with Ti2Ni,AlTi3,TiO2,SnCr0.14OX,NiCr2O4and Cr2O3.During the high temperature firing,AlTi3compound was produced by the reaction between Ti and Al2O3in porcelain,stable Ti2Ni compound between Ti and Ni,and TiO2produced by the displacement reaction between Ti and SnO2,SiO2,etc,then TiO2reacts with the oxides in porcelain and exits with sosoloid mode.Ti interlayer reacts with porcelain as well as Ni-Cr alloy during high temperature firing after sputtering Ti interlayer on Ni-Cr alloy surface which can realize the bond Ni-Cr alloy with porcelain.

        Ni-Cr/Ti/porcelain interface;microstructure;bond strength;reaction mechanism

        TG425.2

        A

        1001-4381(2010)10-0043-05

        吉林省科技發(fā)展基金資助項(xiàng)目(20050511)

        2010-06-20;

        2010-07-12

        劉杰(1979—),女,博士,研究方向?yàn)樾虏牧线B接,聯(lián)系地址:吉林大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院(130025),E-mail:liujieququ@126.com

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