飛兆半導(dǎo)體以封裝高效產(chǎn)品應(yīng)對(duì)DC-DC設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
2010-08-15 00:51:01本刊通訊員
電子與封裝 2010年3期
飛兆半導(dǎo)體公司推出具高效率和出色熱性能，并有助實(shí)現(xiàn)更薄、更輕和更緊湊的電源解決方案的MOSFET產(chǎn)品系列，可應(yīng)對(duì)工業(yè)、計(jì)算和電信系統(tǒng)對(duì)更高效率和功率密度的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。
FDMC7570S是采用3mm×3mm MLP 封裝、具有業(yè)界最低RDS（ON）的25V MOSFET器件，可提供無(wú)與倫比的效率和結(jié)溫性能。FDMC7570S在10VGS 下的RDS（ON）為1.6mΩ，在4.5VGS下則為2.3mΩ，其傳導(dǎo)損耗更比其他外形尺寸相同的替代解決方案降低50%，為設(shè)計(jì)人員提供了目前最高的功率密度。所有這些改進(jìn)都是飛兆半導(dǎo)體性能先進(jìn)的專有PowerTrench?工藝技術(shù)的成果，這項(xiàng)技術(shù)帶來(lái)了極低的RDS（ON）值、總體柵極電荷（QG）和米勒電荷（QGD）。FDMC7570S另一優(yōu)勢(shì)為其專有的屏蔽柵極架構(gòu)，可以減少高頻開關(guān)噪聲。
此外，F(xiàn)DMC7570S的輸出電容（COSS）和反向恢復(fù)電荷（Qrr）均被降至最低，以減少降壓轉(zhuǎn)換中同步MOSFET的損耗，從而獲得目前同類器件所無(wú)法匹敵的高峰值效率。
除25V FDMC7570S之外，飛兆半導(dǎo)體的全新MOSFET產(chǎn)品還包括30V FDMC7660S和FDMC7660，這些MOSFET器件均采用超緊湊3.3mm×3.3mm Power33 MLP封裝，是飛兆半導(dǎo)體全面廣泛的MOSFET產(chǎn)品系列的一部分，可為電源設(shè)計(jì)提供出色的優(yōu)勢(shì)。 （本刊通訊員）
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