毛立森,何靖

(國電南瑞科技股份有限公司,江蘇 南京 210061)

0 引言

隨著電力系統(tǒng)的飛速發(fā)展以及單機容量的增加,大型同步發(fā)電機所需的勵磁功率亦有了明顯的上升。目前,勵磁系統(tǒng)的功率整流裝置通常采用多路并連結構,這就要求多柜并聯(lián)運行的大功率整流柜間應具有良好的均流系數(shù),以便設備的容量得到充分和合理的應用。為此,在相關行業(yè)標準中,對功率整流裝置的均流系數(shù)做了不小于 0.85的規(guī)定。

1 問題的提出

河北國華滄東黃驊電廠(以下簡稱黃驊電廠)#3機組是 1臺 660MW的汽輪發(fā)電機組,勵磁方式為自并勵,額定勵磁電流為 4563A。勵磁系統(tǒng)配置5臺整流裝置,單臺額定電流為 3 000A。在機組試運行過程中,機組帶有功功率 610MW,無功功率 71 MV·A時,勵磁系統(tǒng)功率柜輸出電流分別是 890,690,590,500,500A,存在著勵磁系統(tǒng)各功率裝置輸出電流不平衡的現(xiàn)象。

2 問題分析

對于自并勵勵磁系統(tǒng),其回路可用圖 1所示電路圖等效。在圖 1中:電壓源 US1i表示第 i個可控硅整流柜輸出電壓的大小;US2i表示第 i個可控硅整流柜可控硅的平均通態(tài)壓降;Ri表示勵磁系統(tǒng)中第 i個可控硅整流柜的交直流回路的等效電阻;Li表示勵磁系統(tǒng)中第 i個可控硅整流柜的交直流回路的等效電感(包括自感和互感);R表示發(fā)電機轉子回路電阻;L表示發(fā)電機轉子回路電感。

2.1 影響均流系數(shù)的因素

圖1 自并勵勵磁回路等效電路

(1)可控硅觸發(fā)的一致性的影響。由于 n個可控硅整流橋公用一個勵磁變壓器,所以,它們的交流側輸入電壓是相等的。據(jù)以上分析可知,在忽略可控硅通態(tài)壓降差異的基礎上,如果每個可控硅整流橋交、直流回路的等效電阻和電感都相等,則可控硅觸發(fā)的一致性直接決定了電壓源并聯(lián)支路電壓的大小,從而決定了可控硅整流柜之間均流的好壞。

(2)可控硅平均通態(tài)壓降的影響。當可控硅觸發(fā)的一致性很好時,如果每個可控硅整流橋交直流回路的等效電阻和電感也相等,則可控硅平均通態(tài)壓降將直接影響到可控硅整流柜的均流。

(3)交直流回路電阻和電感的影響。當可控硅的平均通態(tài)壓降相等,且可控硅觸發(fā)的一致性很好時,交直流回路等效阻抗的差異將成為可控硅整流柜均流的主要障礙。

2.2 黃驊電廠勵磁系統(tǒng)配置情況

(1)采用國內比較先進的 NES5100勵磁調節(jié)器,對可控硅觸發(fā)方式采用強觸發(fā)方式,保證了各可控硅觸發(fā)的一致性。

(2)整流裝置可控硅采用原裝進口 ABB可控硅,并對可控硅進行了合理的選擇,最大限度地保證了各可控硅平均通態(tài)壓降的一致性。

黃驊電廠勵磁變壓器電源從一側進線的進線方式如圖 2所示。

由于#1和#2柜之間連接銅排上流過的電流近似為 1個功率柜輸出電流的 4倍,#2和#3柜之間連接銅排上流過的電流近似為 1個功率柜輸出電流的 3倍,#3和#4柜之間連接銅排上流過的電流近似為 1個功率柜輸出電流的 2倍,所以,對應段銅排的壓降與流過的電流近似成正比,進而造成#1柜與#2柜的電流相差最大,#2柜與#3柜以及#3柜與#4柜、#4柜與#5的電流差異逐漸縮小,這與黃驊電廠#3機組勵磁系統(tǒng)各整流柜輸出是相吻合的。

圖2 勵磁柜體目前布置

因此,采用合理的布局,盡量減小可控硅整流柜交、直流回路阻抗的差異是提高均流系數(shù)的有效手段。如把黃驊電廠交流進線位置布置在 5臺功率裝置的中間位置,功率裝置輸出均流系數(shù)會有明顯的提高。勵磁柜體布置如圖 3所示。

3 試驗

3.1 試驗方式 1(左邊進線)

試驗用可控硅整流裝置按照圖 4所示方式布置(其中,#6柜為進線位置,該柜退出運行)。

整流電源輸入電壓為 15V,試驗時把整流輸出端正負短接,在勵磁調節(jié)器置“定角度方式”下進行升流試驗。試驗裝置總電流按照黃驊電廠#3機組額定勵磁電流(4563A)由30%逐漸增加到 110%進行輸出,記錄勵磁電流在 30%(1 368.9 A),50%(2281.5A),70%(3194A),100%(4563 A),110%(5020A)額定勵磁電流下各柜輸出情況,試驗記錄見表 1。

3.2 試驗方式 2(右邊進線)

試驗用可控硅整流裝置按照圖 5所示方式布置(其中,#1柜為進線位置,該柜退出運行)。

按照以上試驗要求進行試驗,試驗記錄見表 2。

表1 左邊進線試驗記錄

圖5 右側進線

表2 右邊進線試驗記錄

3.3 試驗方式 3(中間進線)

試驗用可控硅整流裝置按照圖 6所示方式布置(其中,#4柜為進線位置,該柜退出運行)。

按照以上試驗要求進行試驗,試驗記錄見表 3。

3.4 數(shù)據(jù)分析

(1)由3.1試驗方式及試驗數(shù)據(jù)可知,在該進線方式下,均流系數(shù)為 0.69,高電流輸出的均流系數(shù)為 0.81;均流系數(shù)隨著總電流的增加而上升。

(2)由3.2試驗方式及試驗數(shù)據(jù)可知,在該進線方式下,均流系數(shù)為 0.56～0.68;均流系數(shù)隨著總電流的增加而上升。

(3)由3.3試驗方式及試驗數(shù)據(jù)可知,在該進線方式下,勵磁系統(tǒng)均流系數(shù)為 0.87～0.95;均流系數(shù)隨著總電流的增加而上升。

圖6 中間進線

表3 中間進線試驗記錄

(4)由3.1中的試驗數(shù)據(jù)可知,并聯(lián)整流柜的電流分布情況與交流進線位置(即交流阻抗)有重要關系,越是靠近交流進線位置,整流柜輸出電流越大;反之,越是遠離交流進線位置,整流柜輸出電流越小。該因素直接決定電流分布的情況和均流系數(shù)的高低。

(5)在同一種進線方式下,均流系數(shù)會隨著系統(tǒng)輸出總電流的增加而上升。

(6)在同一種進線方式下,均流系數(shù)會隨著并聯(lián)運行功率柜數(shù)目的減少而上升。

4 結論

(1)勵磁系統(tǒng)交流進線位置的不同,對整流裝置的均流系數(shù)有很大的影響,在中間進線方式下,勵磁系統(tǒng)均流系數(shù)最高,側進線方式均流系數(shù)較低。

(2)并聯(lián)整流裝置的電流分布情況與交流進線位置(即交流阻抗)有重要關系,越是靠近交流進線位置,整流柜輸出電流越大;反之,越是遠離交流進線位置,整流柜輸出電流越小。

根據(jù)以上試驗結論可知,影響黃驊電廠勵磁系統(tǒng)均流系數(shù)的主要原因為交流輸入阻抗的差異。

在勵磁系統(tǒng)設計過程中,針對常規(guī)均流措施,應當考慮調整交流進線和直流出線的位置,盡最大可能消除交流輸入阻抗的差異對勵磁系統(tǒng)均流效果帶來的影響。另外,在設計晶閘管整流柜選擇晶閘管規(guī)格時,在不影響柜出力的情況下,優(yōu)先選擇通態(tài)電流較小的晶閘管,使晶閘管參數(shù)在均流影響中占優(yōu)先地位,以保證晶閘管的均流效果。

[1]DL/T 583—2006,大中型水輪發(fā)電機靜止整流勵磁系統(tǒng)及裝置技術條件[S].

[2]DL/T 650—1998,大型汽輪發(fā)電機自并勵靜止勵磁系統(tǒng)技術條件[S].

[3]李基成.現(xiàn)代同步發(fā)電機勵磁系統(tǒng)設計及應用[M].北京:中國電力出版社,2009.