張 標(biāo),杜鴻達(dá),李寶華, 康飛宇
(1.清華大學(xué)深圳研究生院新材料所,廣東 深圳 518055;2.清華大學(xué)材料科學(xué)與工程系,北京 100084)
尖晶石型鈦酸鋰(Li4Ti5O12,LTO)是近年來(lái)得到快速發(fā)展的一種鋰離子電池負(fù)極材料,通過(guò)與巖鹽結(jié)構(gòu)Li7Ti5O12的兩相轉(zhuǎn)變,使得它在1.5 V左右有一個(gè)平穩(wěn)的電壓平臺(tái)。在兩相轉(zhuǎn)變過(guò)程中,晶格體積變化極小,因此具有非常好的循環(huán)穩(wěn)定性。同時(shí)由于電壓平臺(tái)較高,不會(huì)發(fā)生析鋰現(xiàn)象,安全性能也比傳統(tǒng)的炭陽(yáng)極材料好[1]。
LTO的電子導(dǎo)電性較差,限制了它的大電流放電性能,一般采用摻雜或炭材料包覆的方法改善電極的電子導(dǎo)電性[2-4]。炭材料作為導(dǎo)電添加劑,在電極中形成導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò),可以很好地改善電池的大電流性能。對(duì)于LTO/C復(fù)合電極,炭材料分散相的維度對(duì)復(fù)合電極的導(dǎo)電性能有重要的影響[5]。在本課題中,作者選擇了三種不同維度的炭材料[乙炔黑(AB)、納米碳纖維(CNF)、膨脹石墨微粉(EG)],研究了LTO/C復(fù)合電極的大電流放電性能。
以Li2CO3、金紅石型TiO2為原料,稱量配比時(shí)Li2CO3較化學(xué)計(jì)量比過(guò)量5%,球磨混合均勻后在Ar氣氛下以5℃/min升溫至800℃,保溫12 h后隨爐冷卻至室溫,得到LTO。同時(shí)預(yù)先在原料中加入CNF,其它過(guò)程與LTO的合成過(guò)程相同,合成CNF-LTO。
按照80∶10∶10的比例稱取LTO、導(dǎo)電劑(AB、CNF或EG)、粘結(jié)劑聚偏氟乙烯 (PVDF),以N-甲基吡咯烷酮(NMP)為溶劑攪拌混合均勻制備漿料,涂布在Al箔上,烘干后冷壓,沖成直徑為14 mm的小圓片,在120℃下真空干燥12 h。在充滿Ar氣的手套箱中,以金屬鋰片為對(duì)電極,1 mol/L的LiPF6/(EC+DEC)(1∶1,體積比)溶液為電解液裝配成2032扣式半電池,隔膜為Celgard 2400微孔聚丙烯膜。靜置24 h后進(jìn)行電化學(xué)性能測(cè)試。
用X'Pert Pro型X射線衍射儀分析樣品的晶體結(jié)構(gòu);采用JSM-6390LV型掃描電子顯微鏡觀察樣品的形貌與導(dǎo)電劑的分布。
恒流充放電測(cè)試采用Land電池測(cè)試系統(tǒng)在1~2.5 V范圍內(nèi)進(jìn)行,放電倍率分別為 0.1、0.5、1、2、4 C。用 Zahner IM6ex電化學(xué)工作站在100 kHz~10 mHz范圍內(nèi)對(duì)半電池進(jìn)行阻抗測(cè)試(EIS),振幅為5 mV。在多通道恒電位儀(Biologic VMP3)上測(cè)試1~2.5 V的循環(huán)伏安性能(CV),掃描速率為0.1 mV/s。
圖1所示為L(zhǎng)TO的XRD圖譜,各衍射峰均與標(biāo)準(zhǔn)圖譜相吻合。
圖1 LTO的XRD圖譜Fig.1 XRD pattern of LTO
加入導(dǎo)電添加劑的目的是希望所有的LTO顆粒都能與集流體建立良好的電子通道,AB具有較好的電子導(dǎo)電性,自發(fā)團(tuán)聚成類似葡萄串的結(jié)構(gòu),加入LTO中,能夠與活性材料很好地分散,形成電子導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)。通常用其作為L(zhǎng)TO的導(dǎo)電添加劑,但是點(diǎn)狀的AB顆粒必須互相接觸才能保證導(dǎo)通,在較遠(yuǎn)的距離上形成完整網(wǎng)絡(luò)需要的AB量很大,所以考慮在AB中添加一定比例的一維線狀的CNF與二維片狀的EG來(lái)改善由AB形成的小網(wǎng)絡(luò)的連接,形成一個(gè)更有利于電子和離子輸運(yùn)的通道。
分別采用AB、AB+CNF(質(zhì)量比1∶1)、AB+EG(質(zhì)量比1∶1)作為L(zhǎng)TO導(dǎo)電添加劑。EG是采用在H2SO4中浸泡過(guò)的插層石墨快速加熱制備的[6],它在二維面上的直徑約為5 μ m;CNF長(zhǎng)度約為5μ m,直徑為20 nm左右。
圖2為冷壓后膜片的掃描電鏡圖片。可以看到,如圖2(a)所示,AB均勻分布在LTO顆粒周圍,形成了導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)。CNF也均勻分布在電極中,并且會(huì)和多個(gè)AB網(wǎng)絡(luò)接觸,而且CNF的形狀有直有曲,說(shuō)明在涂膜和冷壓的過(guò)程中,CNF會(huì)因受力而自由變形。如圖2(b)所示,與CNF相比,EG的分布也較均勻,沒(méi)有發(fā)現(xiàn)團(tuán)聚,但EG的單片面積較大,變形和相互接觸的情況較少。
圖3所示為分別采用這三種導(dǎo)電添加劑時(shí),在不同放電倍率下的循環(huán)性能以及0.5 C時(shí)的放電曲線。在0.1 C放電時(shí),各樣品的放電比容量約為170 mAh/g,接近LTO的理論比容量175 mAh/g。隨著放電倍率的增加,各樣品的比容量逐漸下降,其中當(dāng)采用(AB+CNF)作為導(dǎo)電添加劑時(shí),LTO在各個(gè)放電倍率下比容量均最高;當(dāng)采用(AB+EG)作為導(dǎo)電添加劑時(shí),隨著放電電流的增大,LTO的比容量衰減最快。
圖3 使用各導(dǎo)電劑(a)0.5 C放電曲線(b)不同放電倍率循環(huán)性能Fig.3 (a)Discharge curves at 0.5 C with different conducting additives and(b)cycle performances at different discharge current densities with different conducting additives
圖4所示為各復(fù)合電極在100 kHz~10 mHz的阻抗譜(EIS)圖,內(nèi)圖為半電池等效電路圖,其中 Rs、Rct、Cd、Zw分別表示溶液電阻、電荷轉(zhuǎn)移電阻、雙電層電容以及韋伯阻抗。比較各樣品的電荷轉(zhuǎn)移電阻,發(fā)現(xiàn)以(AB+CNF)為導(dǎo)電添加劑時(shí),能夠有效地提高電極的導(dǎo)電性,使得在大電流放電時(shí),LTO能夠保持較高的比容量;而EG的存在會(huì)降低電極的電導(dǎo)率,使LTO的高倍率放電性能較差。這與前面的不同倍率下放電性能的結(jié)果是一致的。
從圖2的掃描電鏡圖可以發(fā)現(xiàn),CNF在LTO晶粒間形成了一個(gè)三維的導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò),乙炔黑分布在導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)的周邊,這種三維網(wǎng)絡(luò)的結(jié)構(gòu)對(duì)電子的輸運(yùn)是極為有利的[7];片狀的EG具有較好的電子導(dǎo)電性,但在放電電壓內(nèi),其Li+擴(kuò)散性能較差,且單片面積較大,它在LTO晶粒間的無(wú)序排列勢(shì)必會(huì)對(duì)鋰離子的擴(kuò)散造成阻礙,另外,在圖2(b)中可以看到,這種二維結(jié)構(gòu)的EG與LTO晶粒間的連接性較差,不利于電子的快速輸運(yùn),降低LTO大電流放電性能。
圖5 AB與CNF作導(dǎo)電劑時(shí)的(a)放電曲線(b)阻抗譜Fig.5 (a)Discharge curves(b)EIS with AB and CNF as conducting additives
進(jìn)一步考察了當(dāng)分散相CNF的含量繼續(xù)增加,導(dǎo)電添加劑全部使用CNF時(shí),LTO/CNF復(fù)合電極的性能,圖5(a)所示為用CNF與AB作導(dǎo)電添加劑各自在0.5 C和1 C的放電曲線。單獨(dú)使用CNF作導(dǎo)電添加劑時(shí),隨著放電電流的增大,LTO的比容量衰減較使用AB時(shí)快。雖然CNF能夠在LTO晶格間形成一個(gè)利于電子輸運(yùn)的三維導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò),但是由于CNF的導(dǎo)電性能比AB差,總的效果仍然不如使用AB。比較圖5(b)的阻抗譜可以發(fā)現(xiàn),使用CNF作導(dǎo)電添加劑的電荷轉(zhuǎn)移電阻高于使用AB時(shí)的。
從前面的結(jié)果可以看到,LTO/(AB+CNF)復(fù)合電極具有較好的大電流放電性能。我們同時(shí)考察了分散相CNF添加次序?qū)﹄姌O的性能影響,比較了CNF-LTO/AB(LTO∶CNF∶AB=80∶5∶5)復(fù)合電極與LTO/(AB+CNF)的性能。
圖6所示為在LTO燒結(jié)前加入CNF后合成的CNF-LTO的XRD圖譜,除CNF以及殘留TiO2的峰外,其它各峰均對(duì)應(yīng)于LTO標(biāo)準(zhǔn)卡片的峰位,CNF的加入不影響LTO的合成。
圖6 CNF-LTO的XRD圖譜Fig.6 XRD patterns of CNF-LTO
圖7所示為L(zhǎng)TO與CNF-LTO的掃描圖片,可以看到,CNF-LTO晶粒較為規(guī)則,近似于球形,晶粒分布較為均勻,對(duì)比沒(méi)有添加CNF的LTO,晶粒尺寸有所減小,說(shuō)明CNF的添加能夠有效阻止晶粒長(zhǎng)大。
圖7 SEM照片(a)LTO(b)CNF-LTOFig.7 SEM photographs of(a)LTO and(b)CNF-LTO
圖8(a)所示為CNF-LTO/AB復(fù)合電極在不同倍率下的放電曲線,圖8(b)為與LTO/(AB+CNF)在各個(gè)放電倍率下的性能比較,可以發(fā)現(xiàn),CNF-LTO/AB電極具有較好的大電流放電性能,隨著放電電流的增大,容量衰減較慢,在2 C時(shí)的放電比容量約為112 mAh/g,較LTO/(AB+CNF)復(fù)合電極該倍率下的容量高出約15%。
在圖9的CV曲線中可以看到,CNF-LTO/AB電極的氧化還原峰值電流較LTO/(AB+CNF)大,氧化還原電位的電位差也較小,表明電極極化較小,主要是燒結(jié)前加入CNF后形成的規(guī)則均一的LTO晶粒有利于電子和離子的快速輸運(yùn),從而提高了LTO的大電流放電性能。
圖8 CNF-LTO/AB(a)不同倍率放電曲線;(b)與LTO/(AB+CNF)的循環(huán)性能比較Fig.8 Discharge curves of CNF-LTO/AB(a)at different rates;(b)cycle performance compareison between CNFLTO/AB and LTO/(AB+CNF)
比較了三種不同維度的炭材料(AB、CNF、EG) 對(duì)于LTO/C復(fù)合電極的性能,以及CNF添加次序?qū)TO的放電性能的影響,結(jié)果如下:(1)在導(dǎo)電添加劑中加入一定量的CNF,可以形成三維導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò),有利于電子輸運(yùn),LTO/(AB+CNF)復(fù)合電極表現(xiàn)出較好的大電流放電性能,但由于CNF的導(dǎo)電性較差,單獨(dú)使用CNF作為導(dǎo)電添加劑時(shí),LTO/CNF電極性能較LTO/AB差;(2) 二維片狀結(jié)構(gòu)的EG與LTO晶粒之間的連接性較差,且在放電電壓內(nèi)鋰離子擴(kuò)散系數(shù)較小,單片面積較大,阻礙了鋰離子的快速輸運(yùn),它的加入不利于LTO的大電流放電;(3)LTO燒結(jié)前,預(yù)先在原料中加入CNF有助于形成形狀規(guī)則,晶粒尺寸均勻的LTO,并能阻止晶粒的長(zhǎng)大,有效地提高了LTO的電化學(xué)性能。
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