茍 君，吳志明，太惠玲，袁 凱

(電子科技大學(xué)電子薄膜與集成器件國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，成都610054)

1 引言

由于Al及其合金具有較高的導(dǎo)電率、較好的對(duì)下層襯底或介質(zhì)的粘附性、良好的延展性等優(yōu)點(diǎn)而被廣泛地用作半導(dǎo)體器件及VLSI的互連金屬［1－2］。因此，Al及其合金的刻蝕是微細(xì)加工中的關(guān)鍵工藝之一。目前，多數(shù)工藝線(xiàn)采用反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)對(duì)Al及其合金進(jìn)行干法刻蝕，它是一種物理和化學(xué)作用相結(jié)合的刻蝕技術(shù)［3］?？涛gAlCu合金一般采用氯基刻蝕劑，如 BCl3，Cl2，CCl4，SiCl4，HCl 等［1］。BCl3在AlCu的反應(yīng)離子刻蝕中是必要的，因?yàn)殇X表面一般有一層氧化物，氯不能刻蝕這層表面，須添加BCl3增加濺射量去除。同時(shí)Cu的生成物揮發(fā)性很差，增大 BCl3的轟擊有利于 Cu的去除［4－5］。但BCl3分解度較低，刻蝕Al的速率較慢，所以通常與Cl2一起混合使用。通常，還在刻蝕氣體中加入一定量的中性氣體用于減少側(cè)向刻蝕，經(jīng)常使用的有N2、CHF3、C2H4等，N2與側(cè)壁 Al 生成 AlxNy［2］，CHF3等與光刻膠反應(yīng)生成聚合物沉積在側(cè)壁上，防止橫向腐蝕的進(jìn)一步進(jìn)行。

微細(xì)加工中的圖形非常精細(xì)，要求刻蝕時(shí)要潔凈，避免由于刻蝕反應(yīng)引入沾污，并最大限度地避免刻蝕后殘留物的出現(xiàn)［6］。但刻蝕后表面出現(xiàn)殘留物是AlCu合金刻蝕中經(jīng)常遇到的問(wèn)題，這可能影響器件的性能和成品率。因此，刻蝕獲得清潔表面或刻蝕后殘留物的去除是AlCu合金刻蝕的關(guān)鍵之一。

實(shí)驗(yàn)中采用BCl3、Cl2和N2刻蝕AlCu合金，并加入少量文獻(xiàn)中較少報(bào)道的CH4氣體用于形成聚合物以保護(hù)側(cè)壁。通過(guò)實(shí)驗(yàn)對(duì)工藝參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化，分析了CH4的側(cè)壁保護(hù)作用，并重點(diǎn)研究了刻蝕殘留物的去除，最終實(shí)現(xiàn)細(xì)線(xiàn)條Al的刻蝕。

2 刻蝕設(shè)備與工藝

刻蝕設(shè)備為德國(guó)FHR公司生產(chǎn)的RIE 150×4?？涛g過(guò)程中，為幫助生成物揮發(fā)，腔體溫度設(shè)置為57℃。此外，基片溫度設(shè)為3℃。

采用BCl3和Cl2刻蝕Al合金，并在刻蝕氣體中加入N2和CH4。其中N2除保護(hù)側(cè)壁外，還是轟擊氣體，也可以稀釋刻蝕劑，起到調(diào)節(jié)刻蝕速率和提高均勻性的作用。但實(shí)驗(yàn)中發(fā)現(xiàn)N2的加入會(huì)使得生成的側(cè)壁聚合物變得疏松，如果不進(jìn)行后處理工藝，則聚合物會(huì)掉落，造成漏電現(xiàn)象，故N2流量不能太大。加入CH4主要用于形成聚合物以保護(hù)側(cè)壁。

結(jié)合Al合金刻蝕的特殊性，刻蝕分四步進(jìn)行:第一步主要用到BCl3，用來(lái)去除鋁膜表面的氧化層;第二步為主蝕刻，Cl2在刻蝕中起主要作用;第三步為過(guò)刻蝕;第四部用CF4處理，以F置換Cl離子，抑制后腐蝕的發(fā)生。

3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論

3.1 刻蝕工藝優(yōu)化

實(shí)驗(yàn)中改變各工藝參數(shù)，發(fā)現(xiàn)各工藝參數(shù)對(duì)刻蝕的影響大致如表1所示。

表1 各工藝參數(shù)對(duì)刻蝕的影響

其中:↑表示增大;↓表示減小;↑↑表示急劇增大。

對(duì)比各參數(shù)的影響，實(shí)驗(yàn)最終確定主刻蝕階段功率200W，氣壓4Pa，氣體配比為BCl3∶Cl2∶N2∶CH4=4∶4∶1∶1。主刻蝕前增大BCl3的物理轟擊，以去除氧化物。過(guò)刻蝕時(shí)同樣增大物理轟擊，以去除Cu殘留物，因?yàn)镃u主要附集于Al合金底部與下層襯底的界面處［7－8］，刻蝕結(jié)束后在較低功率較高氣壓下采用CF4等離子體處理以F置換Cl離子，減少后腐蝕。采用此工藝刻蝕后取得了較好的效果，刻蝕速率為80nm/min，對(duì)光刻膠選擇比大于5，對(duì)下層氮化硅的選擇比大于10，均勻性小于3%，刻蝕后下層介質(zhì)及Al表面較潔凈，后腐蝕較少，線(xiàn)條清晰完整。

3.2 CH4的側(cè)壁保護(hù)作用

為檢驗(yàn)CH4的側(cè)壁保護(hù)作用，實(shí)驗(yàn)在優(yōu)化的工藝基礎(chǔ)上，分別采用不含CH4和含CH4的刻蝕氣體刻蝕AlCu合金，刻蝕后在金相顯微鏡下對(duì)光刻標(biāo)記的線(xiàn)寬進(jìn)行了測(cè)量，如圖1和圖2所示。

從圖1、圖2可以看出，加入CH4氣體，刻蝕后的線(xiàn)條更清晰，橫向刻蝕較少;而采用不含CH4的氣體刻蝕，寬2μm的光刻標(biāo)記刻蝕后為1.65μm，線(xiàn)寬損失較嚴(yán)重?？梢?jiàn)，加入CH4，起到了較好的側(cè)壁保護(hù)作用，CH4與CHF3一樣，會(huì)與光刻膠生成CH聚合物，刻蝕過(guò)程中沉積在圖形側(cè)壁上，防止橫向刻蝕進(jìn)一步進(jìn)行。

圖1 不加CH4刻蝕后的光刻標(biāo)記

圖2 加入CH4刻蝕后的光刻標(biāo)記

3.3 殘留物的去除

AlCu合金刻蝕后的殘留物可能為未刻蝕掉的Cu或揮發(fā)性不好的CuCl2，也可能含有用于側(cè)壁保護(hù)的聚合物，如圖3所示?？涛g后濕法處理可以去除部分殘留物，如用稀磷酸漂洗，但此法會(huì)側(cè)向腐蝕Al線(xiàn)條從而影響線(xiàn)寬，同時(shí)，濕法清洗容易引入其它污染，如圖4所示。實(shí)驗(yàn)通過(guò)調(diào)整Al刻蝕工藝，以期在刻蝕過(guò)程中去除殘留物，獲得清潔表面。研究發(fā)現(xiàn):①采用較高的射頻功率，可提高刻蝕速率并加強(qiáng)物理刻蝕，有利于Cu的去除;②足夠的過(guò)刻時(shí)間，能有效去除殘留物，實(shí)驗(yàn)通過(guò)光譜終點(diǎn)檢測(cè)信號(hào)控制主刻蝕時(shí)間，過(guò)刻時(shí)間為主刻蝕時(shí)間的40%;③采用較低的氣體壓強(qiáng)或較小的氣體總流量，使生成物很快被抽走，有利于保持表面清潔;④用于側(cè)壁保護(hù)的氣體少量即可，這樣即保證了活性離子的濃度，又避免在刻蝕時(shí)過(guò)多地形成聚合物。按以上3點(diǎn)優(yōu)化刻蝕工藝后，實(shí)驗(yàn)最終獲得了潔凈的表面，如 圖5所示。

4 結(jié)束語(yǔ)

Al及其合金的刻蝕是微細(xì)加工中最關(guān)鍵的工藝之一。采用BCl3、Cl2、N2和CH4刻蝕AlCu合金，實(shí)驗(yàn)研究發(fā)現(xiàn):優(yōu)化后的工藝刻蝕AlCu合金取得較好的效果，各項(xiàng)參數(shù)均達(dá)到應(yīng)用要求;CH4用作鈍化氣體起到較好的側(cè)壁保護(hù)作用;增大物理刻蝕和保持腔內(nèi)低壓可去除表面殘留物。

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