李亨王麗萍王明磊
(1.機(jī)械工業(yè)第六設(shè)計(jì)研究院,河南鄭州450007;2.河南科技大學(xué)電子信息工程學(xué)院,河南洛陽(yáng)471003)
隨著超大規(guī)模集成電路理論和工藝的發(fā)展,電流模式電路以其高頻性能好、高速、低功耗、適合并行運(yùn)算等特點(diǎn),引起了人們廣泛的關(guān)注。電流傳送器尤以其獨(dú)特的電流傳輸特性、良好的高頻性能、很強(qiáng)的通用性和靈活性而廣泛應(yīng)用于各種有源網(wǎng)絡(luò)的實(shí)現(xiàn)和VLSI中[1]。
電流傳送器被認(rèn)為是一種具有多種功能且與運(yùn)算放大器相似的基本電路器件,被廣泛應(yīng)用在濾波、振蕩、放大等方面的有源電路設(shè)計(jì)。
電流傳送器(Current Conveyor;簡(jiǎn)稱(chēng)CC)為三端口電流模式器件,X和Y端表示電流輸入端,Z端為電流輸出端。其一般表達(dá)式如式(1)。a的取值代表Y端和X端電流的比例關(guān)系;b的取值表示在輸入電流IX不變的基礎(chǔ)上X端與Y端的電壓差;c的正負(fù)不同可定義Z端電流的方向,表達(dá)式如(1):
第一代電流傳輸器(CCI)于1968年由Smith和Sedra共同提出,此時(shí)a=1,b=1;為了提高電流傳送器使用的靈活性,第二代電流傳輸器(CCII)于1970年由Smith和Sedra提出,對(duì)應(yīng)的a=0,b=0。
實(shí)際電流傳送器特別是在高頻下的特性不是很理想,輸入端Y的輸入阻抗ZY和輸出端Z的輸出阻抗ZZ并不是無(wú)窮大,輸入端X的輸入阻抗ZX也不為零。電壓與電流的增益也可能不為1。如圖1所示為廣泛使用的電流傳送器的高頻等效模型[2]。
從圖1中可以看出,其X端有一個(gè)寄生電阻(約為幾十歐至一百多歐)而傳輸特性并沒(méi)有考慮這個(gè)電阻,此缺點(diǎn)使得X與Y端的電壓跟隨無(wú)法達(dá)到理想要求,這就導(dǎo)致了基于CCII的傳輸函數(shù)出現(xiàn)誤差。
1995年法國(guó)學(xué)者Fabre等人利用雙極型晶體管的線性互導(dǎo)(Translinear Loop)特性,使得X端寄生電阻RX的大小可以通過(guò)偏置電流I0調(diào)節(jié),實(shí)現(xiàn)了第二代電流控制傳送器CCCII(Second Generation Current Controlled Conveyor)[3],從而使電流傳送器的應(yīng)用擴(kuò)展到了電調(diào)諧功能領(lǐng)域。具體關(guān)系如式(2),其中VT是熱電壓。
靜態(tài)跨導(dǎo)線性回路是CCII乃至CCCII中最為關(guān)鍵的基本單元之一,CCCII的特點(diǎn)也是由靜態(tài)跨導(dǎo)線性回路的特性所決定的。當(dāng)在單片集成電路上設(shè)計(jì)圖2所示PNP與NPN混合跨導(dǎo)線性回路時(shí),可認(rèn)為對(duì)于Q1至Q4,其電流密度JSi和面積Ai都相同。當(dāng)存在其它的電路使得Q2和Q4的CB端電壓為0V。易知當(dāng)每個(gè)管時(shí)β>>1,利用跨導(dǎo)線性回路有:
此時(shí)若加電流源I0,則有I1=I3≈I0,此時(shí)電路為一電壓跟隨器。A、B端的電壓差:
而對(duì)于本電路圖有IC1就是I1,IC2就是I2,故有IC1≈I0,而且當(dāng)I0>>IX可得:
基于雙極管跨導(dǎo)線性回路的正電流控制傳送器的電路實(shí)現(xiàn),如圖3所示。混合跨導(dǎo)線性回路Q(chēng)9至Q13組成了兩個(gè)鏡像電流源,提供電路所需的兩個(gè)直流偏置電流源I0。Z端則使用傳統(tǒng)的方法,通過(guò)由Q5至Q8組成的兩個(gè)互補(bǔ)電流鏡實(shí)現(xiàn)對(duì)X端電流的復(fù)制。
混合跨導(dǎo)線性回路Q(chēng)1至Q4則組成了一個(gè)如圖2所示的電壓跟隨器,使得,顯然此時(shí)的X端寄生電阻這樣CCII原來(lái)的電壓傳輸誤差在CCCII中可以通過(guò)改變直流偏置電流I0實(shí)現(xiàn)調(diào)節(jié)。
利用MOS管在亞閾值區(qū),短接基極與源極時(shí)IDS與VGS的指數(shù)關(guān)系可以構(gòu)成跨導(dǎo)線性回路。并且可以利用此種工作狀態(tài)的MOS管完成對(duì)應(yīng)的電壓跟隨器的設(shè)計(jì),進(jìn)而完成基于CMOS技術(shù)的電流控制傳送器的設(shè)計(jì)。
如圖4所示為一CMOS電流控制傳送器電路。其中M1至M4工作在亞閾值狀態(tài),完成電壓跟隨器的功能。通過(guò)M16至M19充當(dāng)?shù)挠性措娮?,使得M1和M3工作在亞閾值區(qū),而又利用M2與M1,M3與M4電路連接分別使得V2GS=V1DS,V4GS=V3DS。這樣V1DS和V3DS滿足對(duì)應(yīng)條件時(shí)M2和M4也工作在亞閾值區(qū)。此時(shí)的寄生電阻為
BiCMOS(Bipolar CMOS)是CMOS和雙極器件同時(shí)集成在同一塊芯片上的技術(shù),其基本思想是以CMOS器件為主要單元電路,而在要求驅(qū)動(dòng)大電容負(fù)載之處加入雙極器件或電路。因此BiCMOS電路既具有CMOS電路高集成度、低功耗的優(yōu)點(diǎn),又獲得了雙極電路高速、強(qiáng)電流驅(qū)動(dòng)能力的優(yōu)勢(shì)。
圖5電路中利用雙極型的跨導(dǎo)性好的特點(diǎn),混合跨導(dǎo)線性回路的電壓跟隨器使用β>>1的Q1至Q4的雙極型三極管實(shí)現(xiàn);利用CMOS鏡像電流源的電路輸出電阻大的特點(diǎn),Q5至Q7的鏡像電流源以及Q10和Q11的鏡像電流源使用了CMOS技術(shù),提供直流偏置電流I0來(lái)減小噪聲,電路中噪聲的主要來(lái)源是電流鏡。
電流傳送器作為一種具有多種功能且與運(yùn)算放大器相似的基本電路器件,其獨(dú)特的電流傳輸特性使它成了電流模式VLSI電路中最基本的積木塊。由電流傳送器構(gòu)成有源器件的電路系統(tǒng),在簡(jiǎn)化結(jié)構(gòu)、降低功耗、擴(kuò)展頻域等方面有很好的作用,其構(gòu)成的濾波器、放大器、振蕩器等電路開(kāi)始在很多領(lǐng)域,特別是移動(dòng)通訊、測(cè)量中受到重用。
[1]邱關(guān)源.現(xiàn)代電路理論[M].北京:高教出版社,2000.
[2]Alain Fabre,Omar Saaid,Christophe Boucheron.Low Power Current-Mode Second-Order Band pass IF Filter.IEEE Trans CAS(II),1997,44(6):436-445.
[3]Alain Fabre,Omar Saaid,Christophe Boucheron.Current controlled bandpass filter based on translinearconveyors.Electronics Letters,1995,31(20):1727-1728.
[4]Seguin F,Godara B,Alicalapa F,F(xiàn)abre A.2.2GHz All-n-p-n Second-Generation Controlled Conveyor in Pseudoclass AB Using 0.8-um BiCMOS Technology.IEEE Trans on2004,51(7):369-373.