隨著電子技術(shù)的發(fā)展，功率半導(dǎo)體技術(shù)已經(jīng)成為現(xiàn)代電力電子技術(shù)的核心。以絕緣柵雙極型晶體管(IG—BT)為代表的功率器件，在眾多工業(yè)控制領(lǐng)域得到越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。IGBT作為一種典型的雙極性MOS復(fù)合型功率器件，集MOSFET與GTR(大功率晶體管)的優(yōu)點(diǎn)于一身，既具有輸入阻抗高，開(kāi)關(guān)速度快，熱穩(wěn)定性好和驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單的長(zhǎng)處，又具有通態(tài)電壓低，耐壓高和承受電流大的優(yōu)點(diǎn)。IPM(intelligent powermodule)作為一種智能功率模塊，它以IGBT為基礎(chǔ)，內(nèi)部集成了邏輯、控制、檢測(cè)和保護(hù)電路，與普通IGBT相比，在系統(tǒng)性能和可靠性上均有很大的提高，同時(shí)由于IPM通態(tài)損耗和開(kāi)關(guān)損耗都比較低，使散熱器的尺寸減小，故整個(gè)系統(tǒng)的體積減小了很多，適應(yīng)了功率器件的發(fā)展方向，從而應(yīng)用領(lǐng)域越來(lái)越廣。