國(guó)際整流器公司（International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR）推出全新HEXFET功率MOSFET系列。該器件采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)SOT-23封裝，具有超低導(dǎo)通電阻（RDS（on），適用于電池充電及放電開關(guān)、系統(tǒng)和負(fù)載開關(guān)、輕載電機(jī)驅(qū)動(dòng)，以及電信設(shè)備等應(yīng)用。

新款SOT-23 MOSFET器件采用IR最新的中壓硅技術(shù)，通過大幅降低90%RDS（on）顯著改善了電流處理能力，為客戶的特定應(yīng)用優(yōu)化了性能及價(jià)格。

IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“這個(gè)全新的SOT-23 MOSFET系列支持從-30 V至100 V的寬電壓范圍，并提供不同水平的 RDS（on）和柵極電荷（Qg），從而為追求緊湊、高效率及低成本解決方案的客戶帶來更佳、更廣泛的設(shè)計(jì)選擇?！毙缕骷_(dá)到第一級(jí)潮濕敏感度（MSL1）業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)，所采用的材料不含鉛，并符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定（RoHS）。