國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR）推出IRF6706S2PbF和IRF6798MPbF DirectFET MOSFET芯片組，為12 V輸入同步降壓應用 （包括服務器、臺式電腦和筆記本電腦）提供最佳效率。

IRF6706S2PbF和IRF6798MPbF 25 V芯片組不但采用了 IR最新一代MOSFET硅技術，還具有業(yè)界領先的性能指數(shù)（FOM）及DirectFET封裝卓越的開關和熱特性，成為一個為高頻率DC-DC開關應用而優(yōu)化的解決方案。

IR通過改善關鍵參數(shù)不斷提升功率MOSFET的性能。新款IRF6706S2PbF和IRF6798MPbF DirectFET芯片組把低電荷及低導通電阻RDS（on）與業(yè)界最低的柵極電阻 Rg相結合，使傳統(tǒng)上由典型同步降壓轉換器的同步和控制接口產生的傳導損耗和開關損耗降到了最低。

IRF6798MPbF的中罐 DirectFET封裝提供低于1 mΩ的導通電阻，使整個負載范圍可保持極高的效率。新器件配有單片集成式肖特基二極管，能夠減少與體二極管傳導相關的損耗，并能實現(xiàn)反向恢復損耗，進一步提高解決方案的整體性能。IRF6798MPbF還提供僅為0.25 mΩ的極低柵極電阻，避免了與Cdv/dt相關的擊穿。

IRF6706S2PbF小罐 DirectFET也具備低電荷和低導通電阻，可減少開關損耗及傳導損耗，還可為快速開關提供極低的柵極電阻。