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        機(jī)械合金化合成Ti2SnC粉體的真空熱處理

        2010-03-27 07:30:52劉可心張立輝趙明月金松哲

        李 響, 劉可心, 張立輝, 趙明月, 金松哲

        (長(zhǎng)春工業(yè)大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院,吉林長(zhǎng)春 130012)

        0 引 言

        具有層狀結(jié)構(gòu)的三元化合物Mn+1AXn導(dǎo)電陶瓷具有金屬和陶瓷的優(yōu)良性能,得到了材料領(lǐng)域相關(guān)學(xué)者[1-4]的廣泛關(guān)注。其中,Ti2SnC具有優(yōu)良的導(dǎo)電、導(dǎo)熱、抗熱沖擊性、可加工性,而且還具有陶瓷的低比重、高強(qiáng)度、高模量和抗氧化等特點(diǎn)[5]。此外,還有摩擦系數(shù)低和具有自潤(rùn)滑特性等特點(diǎn)。這些特點(diǎn)使其可能應(yīng)用于以下領(lǐng)域:高溫結(jié)構(gòu)材料,新一代的電機(jī)電刷材料和熱交換器材料及各種減摩耐磨部件,窯具材料和耐腐蝕構(gòu)件,化學(xué)反應(yīng)釜的攪拌器軸承、風(fēng)扇軸承、特殊的機(jī)械密封件等。

        一些研究者采用固液反應(yīng)合成[6]、熱等靜壓燒結(jié)[7]、熱壓燒結(jié)和無壓燒結(jié)[1]等方法成功制備Ti2SnC導(dǎo)電陶瓷,但純度不高。

        文中將Ti,Sn和C單質(zhì)混合粉體進(jìn)行機(jī)械球磨10 h,然后進(jìn)行無壓熱處理提純,研究熱處理工藝對(duì)Ti2SnC導(dǎo)電陶瓷粉體純度的影響。

        1 實(shí)驗(yàn)材料與方法

        實(shí)驗(yàn)以Ti粉(純度>99.36wt%,平均粒度為80 μ m)、Sn粉(純度>99.0wt%,平均粒度為20 μ m)和 C粉(純度>99.0w t%,平均粒度為20 μ m)為原料,通過機(jī)械合金化10 h合成含有Ti2SnC的粉體。在650~950℃范圍內(nèi)對(duì)其進(jìn)行真空熱處理,升溫速度50℃/min,保溫5 min,不加壓力,采用內(nèi)徑為10 mm的石墨磨具。

        采用D/Max2500PC型X射線衍射儀對(duì)球磨和熱處理粉體進(jìn)行相分析(Cu靶,Kα)及測(cè)定點(diǎn)陣常數(shù);

        采用 JSM-5600LV 型掃描電子顯微鏡(SEM)觀察顯微組織。

        2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果和分析

        2.1 球磨粉體的形貌和相組成

        球磨轉(zhuǎn)速為550 r/min,球料比為 10∶1,Ti∶Sn∶C=2∶1∶1,球徑為12 mm,球磨10 h后得到機(jī)械合金化粉體的SEM圖片及其XRD圖譜分別如圖1和圖2所示。

        圖1 原料粉體的SEM圖

        圖2 原料粉體的XRD圖譜

        從圖中可以看出,機(jī)械合金化后,粉體顆粒較細(xì)小,并有團(tuán)聚現(xiàn)象,且合成了以Ti2SnC為主相,TiC和Sn為雜質(zhì)相的混合粉體。其中 TiC的衍射峰也相對(duì)較強(qiáng)。

        2.2 真空熱處理Ti2SnC陶瓷粉體的相組成

        不同溫度下真空熱處理 Ti2SnC陶瓷粉體的XRD圖譜如圖3所示。

        圖3 不同溫度真空熱處理Ti2SnC陶瓷粉體的XRD圖譜

        由圖3可知,經(jīng)真空熱處理后,粉體的XRD圖譜中雜質(zhì)峰少。與原粉相比較,TiC的衍射峰強(qiáng)度明顯降低。由于粉體中各物相的許多衍射峰相互重疊或接近不易區(qū)分,這給物相的定量分析帶來了困難。但 Ti2SnC的(002)特征峰(2θ= 12.979°)和 TiC的(111)特征峰(2θ=35.9°)相對(duì)獨(dú)立,且有足夠高的強(qiáng)度,可以用來分析相應(yīng)的物相含量隨熱處理溫度的變化規(guī)律。由于無法計(jì)算塊體中 Ti2SnC的含量,故用Ti2SnC(002)與TiC(111)衍射峰強(qiáng)度比值(ITSC/ITC)來表征Ti2SnC的含量的變化趨勢(shì)。熱處理過程中,Ti2SnC峰強(qiáng)度隨溫度上升提升很快,TiC峰強(qiáng)則相對(duì)緩慢,而當(dāng)溫度高于750℃時(shí),TiC的衍射峰則逐漸增強(qiáng)。

        Ti2SnC(002)晶面的衍射峰與TiC(111)晶面的衍射峰的比值與溫度關(guān)系曲線如圖4所示。

        圖4 Ti2SnC(002)晶面的衍射峰與TiC(111)晶面的衍射峰的比值與溫度關(guān)系曲線

        圖4中體現(xiàn)了Ti2SnC(002)晶面的衍射峰與TiC(111)晶面的衍射峰的強(qiáng)度比值與溫度關(guān)系,機(jī)械合金化粉體的Itsc(002)/Itc(111)只有0.381,粉體燒結(jié)后其峰強(qiáng)比顯著提高,且 Itsc(002)/Itc(111)值隨著燒結(jié)溫度的提高先升高,比值達(dá)到2.4左右,后呈下降趨勢(shì)。這是由于熱處理溫度過高,導(dǎo)致了Ti2SnC的分解,生成了TiC。

        2.3 真空熱處理Ti2SnC粉體形貌

        在不同溫度熱處理的Ti2SnC粉體組織SEM觀察結(jié)果如圖5所示。

        圖5 不同溫度熱處理Ti2SnC粉體的形貌

        從圖中可以看到,750℃時(shí)團(tuán)聚現(xiàn)象比較嚴(yán)重,有少量棱角狀顆粒出現(xiàn),隨著溫度上升,這種顆粒逐步增多。在950℃時(shí),我們發(fā)現(xiàn)了某些顆粒出現(xiàn)了明顯的 Ti2SnC片層狀形態(tài),因此將其放大至10 000倍,照片清晰顯示了類似于枝晶的組織結(jié)構(gòu),周圍還有較多圓形顆粒附于其上。我們認(rèn)為這是形成 Ti2SnC片層結(jié)構(gòu)的初始狀態(tài),顆粒是將要融入的Ti2SnC。如果在這個(gè)過程中施加一定壓力,Ti2SnC片層應(yīng)會(huì)沿適當(dāng)方向優(yōu)先長(zhǎng)大。

        2.4 真空熱處理Ti2SnC粉體晶內(nèi)應(yīng)變分析

        真空熱處理Ti2SnC粉體的晶內(nèi)應(yīng)變與熱處理溫度的變化曲線如圖6所示。

        從圖6可以看到,隨著熱處理溫度的升高,粉體的晶內(nèi)應(yīng)變逐漸減小。

        熱處理溫度與Ti2SnC層片厚度([002]方向的晶粒尺寸)變化曲線如圖7所示。

        由圖7可知,隨著溫度的升高,晶粒尺寸逐漸增大。球磨粉體中的各組成相多為細(xì)小高應(yīng)變相,熱處理過程中存在很強(qiáng)的長(zhǎng)大傾向,熱處理溫度越高,長(zhǎng)大傾向越大,晶內(nèi)應(yīng)變隨熱處理溫度的升高而逐漸減小。高溫?zé)崽幚矸垠w晶粒大、界面少,微應(yīng)變也保持較低的水平。

        圖6 晶內(nèi)應(yīng)變隨熱處理溫度的變化對(duì)比曲線

        圖7 Ti2SnC層片厚度[002]方向的晶粒尺寸

        2.5 真空熱處理Ti2SnC粉體晶格常數(shù)分析

        Ti2SnC晶格常數(shù)與真空熱處理的溫度關(guān)系曲線如圖8所示。

        晶格常數(shù)相對(duì)于理論值的偏移量與熱處理溫度關(guān)系曲線如圖9所示。

        機(jī)械合金化合成粉體因晶格畸變必然存在較大內(nèi)應(yīng)力,這種內(nèi)應(yīng)力將在熱處理過程中逐漸被釋放,使晶格常數(shù)趨于理論值。在 950℃時(shí),Δa/a≈-0.41%,Δc/c≈0.52%,可以看到隨著熱處理溫度上升,晶格常數(shù)越來越接近理論值,其偏移量也逐漸減小。

        圖8 真空熱處理制備樣品中Ti2SnC的晶格常數(shù)a,c變化曲線

        圖9 晶格常數(shù)在不同溫度下的偏移量曲線

        3 結(jié) 語(yǔ)

        采用真空熱處理球磨粉體,在232℃保溫5 min(波動(dòng)不超過+5℃)后,再以加熱速率約50℃/min升溫至熱處理溫度(650~950℃),可以顯著提升機(jī)械合金化粉體中 Ti2SnC的含量。當(dāng)熱處理溫度為750℃時(shí),粉體中 Itsc(002)/Itc(111)的比值由原來的0.381提高到2.4左右。隨熱處理溫度上升粉體中Ti2SnC晶體的微應(yīng)變逐漸下降,晶內(nèi)應(yīng)力逐漸減小,晶粒尺寸逐漸增大,在650~750℃其變幅最大,隨后逐步減緩,當(dāng)熱處理溫度為950℃時(shí),點(diǎn)陣常數(shù)a=0.319 9 nm,c= 1.355 9 nm,接近理論值(a=0.316 2 nm,c= 1.367 nm)。

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