劉斌，嚴(yán)仕新

(蘇州德天光學(xué)技術(shù)有限公司，江蘇 蘇州 215000)

目前，國(guó)際電子信息行業(yè)正在經(jīng)歷一場(chǎng)新的變革，摩爾定律即將失效，3D封裝蓬勃興起，如果我們能抓住這個(gè)機(jī)會(huì)，對(duì)國(guó)內(nèi)相關(guān)行業(yè)及其發(fā)展環(huán)境進(jìn)行大力改革整頓，順應(yīng)世界發(fā)展潮流，將大大縮小我們同國(guó)際先進(jìn)水平的差距。

1 摩爾定律的失效

摩爾定律是由英特爾創(chuàng)始人之一戈登·摩爾(GordonMoore)提出，其內(nèi)容為：集成電路上可容納的晶體管數(shù)目，約每隔18個(gè)月便會(huì)增加1倍(見圖1)，性能也將提升1倍。這一定律揭示了信息技術(shù)進(jìn)步的速度。

圖1 摩爾定律

但是，進(jìn)入新世紀(jì)后，實(shí)現(xiàn)等比例縮減的代價(jià)變得非常高，器件尺寸已接近單個(gè)原子，而原子無法縮減。其次，盡管目前出現(xiàn)了多內(nèi)核處理器，但日常使用的應(yīng)用軟件無法利用如此強(qiáng)大的處理能力；而建設(shè)芯片工廠的天價(jià)成本也阻礙摩爾定律的延伸。摩爾本人也明確表示，摩爾定律只能再延續(xù)10年，此后在技術(shù)上將會(huì)十分困難，在他看來，摩爾定律已經(jīng)走到盡頭。由此將引起產(chǎn)業(yè)內(nèi)的一系列的變革。

1.1 開發(fā)思維的變革

與此同時(shí)人們逐漸發(fā)現(xiàn)，當(dāng)今微電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展正在呈現(xiàn)出兩個(gè)特點(diǎn)：一是更加符合摩爾定律(More Moore)，即建立在摩爾定律基礎(chǔ)上的CMOS技術(shù)將持續(xù)高速發(fā)展，更高集成度、更大規(guī)模的處理器和存儲(chǔ)器件將在電子系統(tǒng)中扮演“大腦”的角色；而另一方面，由無源器件、傳感器、通訊器件、連接技術(shù)等非數(shù)字技術(shù)的多種技術(shù)將會(huì)構(gòu)成一股不容忽視的“超越摩爾定律 (More than Moore也稱新摩爾定律)”的新興封裝技術(shù)(見圖2)，在數(shù)字化的“大腦”周圍構(gòu)建起電子設(shè)備中感知和溝通外部世界的部分[1]。

圖2 新摩爾定律(超越摩爾定律)

因此，當(dāng)今業(yè)界的發(fā)展趨勢(shì)不是一味地追求縮小器件的幾何尺寸，而是傾向于提供更多的附加功能和特性，從而開辟全新的應(yīng)用領(lǐng)域，為客戶提供多元化服務(wù)及開發(fā)工具，實(shí)現(xiàn)超越摩爾定律的目標(biāo)。

1.2 生產(chǎn)方式的變革

為了延續(xù)摩爾定律的增長(zhǎng)趨勢(shì)，芯片技術(shù)已進(jìn)入“超越摩爾定律”的3D集成時(shí)代。以模塊化封裝，晶圓級(jí)封裝和硅通孔技術(shù)為標(biāo)準(zhǔn)的3D封裝集成技術(shù)將加速CMOS晶圓廠的合并以及向無晶圓廠模式轉(zhuǎn)變的趨勢(shì)，最終3D封裝技術(shù)將與SMT技術(shù)合二為一。

同時(shí)，一些MEMS應(yīng)用也開始采用3D內(nèi)插器模塊平臺(tái)來整合ASIC和MEMS芯片，此平臺(tái)還可運(yùn)用到許多SiP應(yīng)用中。這一切都是超越摩爾定律下的生產(chǎn)方式變革(見圖3)。

圖3 3D封裝技術(shù)應(yīng)用領(lǐng)域

可以預(yù)知的是，在這一重大變革到來之時(shí)，將帶來如下產(chǎn)業(yè)群的發(fā)展：

(1)新的生產(chǎn)設(shè)備群誕生。如鍵合機(jī)、燒結(jié)爐、微打孔機(jī)、微檢測(cè)儀等；

(2)新的器件和材料群的誕生。如接口器件、散熱器件、導(dǎo)電材料等。

同時(shí)由于生產(chǎn)方式的變革既帶來了新的產(chǎn)業(yè)群的誕生同時(shí)也意未著傳統(tǒng)的SMT設(shè)備淘汰。

1.3 設(shè)計(jì)、生產(chǎn)一體化的技術(shù)流程

目前的制造行業(yè)面臨著空前的挑戰(zhàn)，不能不縮短產(chǎn)品的開發(fā)周期，應(yīng)盡快地推出具有更多功能、更好質(zhì)量的產(chǎn)品，以更低的價(jià)格和最快的速度推向市場(chǎng)，并且還必須能夠不斷地去滿足日益增多的客戶的個(gè)性化需求，快速地組成生產(chǎn)和銷售。而電子制造產(chǎn)業(yè)受摩爾定律影響，其產(chǎn)品更新?lián)Q代的速率比其他行業(yè)更為迅速，這就對(duì)行業(yè)的各個(gè)方面，尤其是研發(fā)和設(shè)計(jì)的環(huán)節(jié)帶來了非常嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。同時(shí)也對(duì)設(shè)計(jì)、管理、產(chǎn)業(yè)規(guī)劃提出了更高要求：

(1)設(shè)計(jì)人員要有一體化概念。在產(chǎn)品的開發(fā)過程中，設(shè)計(jì)人員通常因?yàn)樾畔碓吹膯栴}，很難清楚地去掌握現(xiàn)狀原材料的價(jià)格、供貨周期甚至是產(chǎn)品的生產(chǎn)加工方式以及影響使用性能的重要因素。因此，開發(fā)人員就很難在設(shè)計(jì)的過程里去準(zhǔn)確地估算產(chǎn)品的成本、可加工性甚至使用性能，使得開發(fā)周期增長(zhǎng)，產(chǎn)品總成本大為增加。

我國(guó)的產(chǎn)品開發(fā)人員往往只注重局部功能的實(shí)現(xiàn)而忽略了產(chǎn)品整體性能的提高，并且在這一思維的指導(dǎo)下，開發(fā)人員根本不考慮產(chǎn)品的可制造性，根本不會(huì)考慮生產(chǎn)設(shè)備共用性的問題，這樣很難及時(shí)地將開發(fā)出來的產(chǎn)品，迅速地轉(zhuǎn)化為商品，從而以最快的速度進(jìn)入市場(chǎng)。

(2)管理人員要有一體化意識(shí)。在摩爾定律瀕臨失效的背景下，電子制造業(yè)正迅速向系統(tǒng)化、模塊化、多功能化方向發(fā)展，這就對(duì)研發(fā)人員提出了更高的要求：不僅整個(gè)系統(tǒng)開發(fā)人員與生產(chǎn)人員之間，而且各個(gè)模塊開發(fā)人員之間也要相互交流合作，才能在最短時(shí)間內(nèi)開發(fā)出功能最完善，系統(tǒng)整體性能更好的產(chǎn)品，從而在競(jìng)爭(zhēng)中立于不敗之地。

(3)產(chǎn)業(yè)規(guī)劃人員要有一體化思維。電子制造業(yè)的發(fā)展必須有一個(gè)良好的產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展環(huán)境。而在一個(gè)國(guó)家或地區(qū)的發(fā)展規(guī)劃中，產(chǎn)業(yè)鏈上的各部分往往分屬于不同的部門，這就要求各部門產(chǎn)業(yè)規(guī)劃人員之間能夠充分溝通，對(duì)電子制造業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈進(jìn)行戰(zhàn)略性整合，促進(jìn)其飛速發(fā)展。

2 三維封裝的興起

三維封裝是將多個(gè)芯片垂直連接的一系列方法的統(tǒng)稱，到目前為止，三維封裝只在引線鍵合、倒裝芯片、模塊化封裝等特定應(yīng)用中取得成功。然而，硅通孔封裝技術(shù)(TSV)作為備選方案得到了迅猛發(fā)展。

硅通孔技術(shù)(TSV)是通過在芯片和芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導(dǎo)通，實(shí)現(xiàn)芯片之間互連的最新技術(shù)。以TSV為代表的3D集成技術(shù)優(yōu)勢(shì)有：

降低延遲：IBM半導(dǎo)體研發(fā)中心副總裁Lisa Su指出：TSV可把芯片上數(shù)據(jù)需要傳輸?shù)木嚯x縮短1000倍，并使每個(gè)器件的互連性增加100倍。英特爾計(jì)劃在未來的萬億赫茲研究型處理器中采用TSV技術(shù)；

降低功耗：據(jù)報(bào)道，IBM在90nm節(jié)點(diǎn)的微處理器50%以上的有源開關(guān)功耗都用于驅(qū)動(dòng)互連線，并且90%以上的功率實(shí)際上是由10%的長(zhǎng)互連線消耗的。據(jù)稱，TSV可將硅鍺芯片的功耗降低大約40%。

手機(jī)和其他一些應(yīng)用需要更加創(chuàng)新的芯片級(jí)封裝(CSP)解決方案?，F(xiàn)在系統(tǒng)設(shè)計(jì)師為了手機(jī)和其他很多緊湊型消費(fèi)品，不得不選擇用3D封裝來開發(fā)z方向上的潛力。

因此，業(yè)內(nèi)人士將TSV稱為繼引線鍵合(Wire Bonding)、TAB和倒裝芯片(FC)之后的第四代封裝技術(shù)。

據(jù)市場(chǎng)研究公司Yole Developpement統(tǒng)計(jì)，到2015年，3D-TSV晶圓的出貨量將達(dá)數(shù)百萬，并可能對(duì)25%的存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)產(chǎn)生影響。2015年，除了存儲(chǔ)器，3D-TSV晶圓在整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的份額也將超過 6%[2](見圖 4)。

圖4 3D技術(shù)平臺(tái)市場(chǎng)細(xì)分

2.1 3D封裝目前所遇到問題

2.1.1 質(zhì)量評(píng)價(jià)與檢測(cè)技術(shù)相關(guān)設(shè)備

可以預(yù)見，TSV的特殊性還會(huì)給3D IC制造的檢測(cè)和量測(cè)帶來前所未有的困難，控制TSV通孔工藝需要幾何尺寸的量測(cè)，以及對(duì)刻蝕間距和工藝帶來的各種缺陷進(jìn)行檢測(cè)。通常TSV的直徑在1～ 50μm，深度在10～ 150μm，深寬比在3到5甚至更高，一顆芯片上的通孔大約在幾百甚至上千。減薄和鍵合工藝對(duì)檢測(cè)和量測(cè)的需求更多。厚度和厚度均勻度需要測(cè)量，工藝中必須監(jiān)控研磨漿殘留、微粒污染、銅微粒、應(yīng)力引起的開裂、邊緣碎片等。對(duì)于鍵合，無論是芯片至晶圓、還是晶圓之間，在精準(zhǔn)對(duì)位的同時(shí)，還需要控制表面粗糙程度、表面潔凈度和平坦度。另外，一些新的工藝步驟也需要考慮監(jiān)控，比如尺寸在幾十個(gè)微米的凸點(diǎn)陣列等。

目前3D封裝技術(shù)的發(fā)展面臨的最大難題是制造過程中實(shí)時(shí)工藝過程的實(shí)時(shí)檢測(cè)問題，因?yàn)檫@一問題如果解決不了，那么就會(huì)出現(xiàn)高損耗，只有控制了每一道生產(chǎn)工藝，就能有效地保證產(chǎn)品的質(zhì)量,從而達(dá)到有效地降低廢品率。蘇州德天光學(xué)技術(shù)有限公司開發(fā)的微焊點(diǎn)自動(dòng)光學(xué)顯微檢測(cè)儀(MMI)的出現(xiàn)剛好解決了這一技術(shù)難題，它可滿足所有3D封裝的每一個(gè)檢測(cè)點(diǎn)的實(shí)時(shí)工藝過程控制的要求，微焊點(diǎn)自動(dòng)光學(xué)顯微檢測(cè)儀(MMI)的出現(xiàn)將大大促進(jìn)3D封裝的發(fā)展。

對(duì)于3D-TSV陣列堆疊，關(guān)鍵要素有通孔形成/填充、晶圓減薄、質(zhì)量評(píng)價(jià)與檢測(cè)技術(shù)、凸點(diǎn)形成和芯片與芯片/襯底的鍵合等。這些問題的解決將依賴于大量新型設(shè)備與工藝的開發(fā)(見圖5)。

圖5 制造3D-TSV IC的關(guān)鍵因素

2.1.2 減薄技術(shù)與設(shè)備

減薄技術(shù)面臨的首要挑戰(zhàn)就是超薄化工藝所要求的＜50μm的減薄能力。在這個(gè)厚度上，硅片很難容忍減薄工程中的磨削對(duì)硅片的損傷及內(nèi)在應(yīng)力，其剛性也難以使硅片保持原有的平整狀態(tài)。

目前業(yè)界的主流解決方案是采用東京精密公司所率先倡導(dǎo)的一體機(jī)思路，將硅片的磨削、拋光、保護(hù)膜去除、劃片膜粘貼等工序集合在一臺(tái)設(shè)備內(nèi)，硅片從磨片一直到粘貼劃片膜為止始終被吸在真空吸盤上，始終保持平整狀態(tài)，從而解決了搬送的難題。

2.1.3 刻蝕技術(shù)與設(shè)備

TSV制程均面臨一個(gè)共同的難題：通孔的刻蝕。目前有兩種方法：激光鉆孔以及深反應(yīng)離子刻蝕(DRIE)。激光加工系統(tǒng)供應(yīng)商Xsil公司為TSV帶來了最新解決方案，Xsil稱激光鉆孔工藝將首先應(yīng)用到低密度閃存及CMOS傳感器中，隨著工藝及生產(chǎn)能力的提高，將會(huì)應(yīng)用到DRAM中。

在TSV刻蝕設(shè)備領(lǐng)域，Lam Research推出了第一臺(tái)300mmTSV刻蝕設(shè)備2300Syndion，并已發(fā)貨至客戶。而Aviza針對(duì)TSV先進(jìn)封裝也推出了Omegai2L刻蝕系統(tǒng)，日月光(ASE)已宣布將采用此系統(tǒng)研發(fā)先進(jìn)制程技術(shù)。

2.1.4 晶圓鍵合技術(shù)與設(shè)備

EVG公司(奧地利)自2002年起,便致力于針對(duì)3D集成開發(fā)300mm晶圓鍵合設(shè)備,其首款300mm多反應(yīng)腔3D鍵合系統(tǒng)已在2008年完成。CEA-Leti(法國(guó))及SET(法國(guó))成功開發(fā)出新一代高精度(0.5μm)、高鍵合力(4000N)的 300mm晶圓器件鍵合設(shè)備FC300[4]。

2.2 3D封裝興起對(duì)電子產(chǎn)業(yè)的影響

由于表面貼裝技術(shù)(Surface Mount Technology，SMT)受到加工精度、可生產(chǎn)性、成本和組裝工藝的制約，大大限制了高密度組裝的發(fā)展。為此，元器件由QFP向BGA、CSP、晶圓級(jí)封裝 (Wafer–Scale Package，WS–CSP)方向發(fā)展，封裝器件的外形尺寸越來越小(見圖6)。

圖6 封裝尺寸變化

但即便這樣，仍不能滿足對(duì)微型化日益增加的需求，為此開始引入了封裝器件三維(3D)堆疊組裝的理念[3](見圖7)。

圖7 POP和PiP

3D封裝的出現(xiàn)，改變了以往先封裝后組裝的模式，使封裝工藝與前道工藝緊密地結(jié)合在一起，作為傳統(tǒng)后道工藝的SMT技術(shù)除了在某些特別領(lǐng)域仍有少量應(yīng)用外，將大幅度退出封裝市場(chǎng)，為新興的3D封裝技術(shù)所取代。在此過程中，大量SMT相關(guān)的設(shè)備將不得不被淘汰，如貼片機(jī)、印刷機(jī)、回流爐等。

為了將3D-TSV陣列堆疊從概念轉(zhuǎn)變?yōu)樯a(chǎn)，需要在制造設(shè)備和重大研發(fā)工作方面投資?，F(xiàn)階段研發(fā)工作的焦點(diǎn)在于如何讓整合生產(chǎn)鏈 (如減薄、固定和芯片內(nèi)工藝)。從而通過總體成本優(yōu)化和降低終端用戶風(fēng)險(xiǎn)來使主流廠商接受TSV工藝。

應(yīng)用材料公司正在努力加快TSV的廣泛應(yīng)用。為了加快主流應(yīng)用，該公司正在和其他設(shè)備廠商加強(qiáng)合作，包括Semitool公司和一些硅片引線廠商，全面定義工藝流程中相互制約的因素，降低總體成本。

美國(guó)半導(dǎo)體制造技術(shù)戰(zhàn)略聯(lián)盟(Sematech)3D互聯(lián)總監(jiān)Sitaram Arkalgud認(rèn)為：“以TSV為代表的三維技術(shù)在LSI的高性能化及多功能化、低耗電化以及減少占用空間等方面更有優(yōu)勢(shì)”。但是，“這種技術(shù)上的潛力與實(shí)際的大量生產(chǎn)還有距離”，因此“不應(yīng)將三維連接視為單一的要素技術(shù)”。第一，由導(dǎo)入三維技術(shù)來提高生產(chǎn)效率，應(yīng)由各層供貨商齊心協(xié)力來實(shí)現(xiàn)，而不是諸如只需特定的制造裝置業(yè)界努力就能實(shí)現(xiàn)的問題。需要前端工序、封裝、設(shè)計(jì)、測(cè)試等電子產(chǎn)業(yè)整體的合作。第二，成本優(yōu)勢(shì)不是單從芯片，而應(yīng)是從整個(gè)系統(tǒng)出發(fā)來評(píng)估。在推動(dòng)TSV技術(shù)向前發(fā)展的過程中，大量新的產(chǎn)業(yè)鏈將在電子產(chǎn)業(yè)整體合作中產(chǎn)生。

3 機(jī)遇與挑戰(zhàn)

面對(duì)世界蓬勃發(fā)展的電子產(chǎn)業(yè)形勢(shì)，分析我國(guó)目前的產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀，一些問題值得我們深思。我國(guó)自從新中國(guó)成立后由于內(nèi)亂已失去了多次發(fā)展的良機(jī)，在電子信息產(chǎn)業(yè)面臨全面洗牌之際，應(yīng)該如何謀劃我國(guó)的原生態(tài)產(chǎn)業(yè)發(fā)展目標(biāo)，是時(shí)不我待的頭等大事。只有先進(jìn)的生產(chǎn)設(shè)備體系的建立，才能達(dá)到成為制造強(qiáng)國(guó)的目的，國(guó)力的增強(qiáng)才實(shí)而不虛。

3.1 戰(zhàn)略層面的考慮

電子產(chǎn)業(yè)必須與時(shí)俱進(jìn)才能發(fā)展。國(guó)際電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展的歷史證明了這一點(diǎn)。我國(guó)電子產(chǎn)業(yè)如何與時(shí)俱進(jìn)？當(dāng)務(wù)之急是研究我國(guó)電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展戰(zhàn)略，制訂發(fā)展規(guī)劃。從戰(zhàn)略方面考慮，需要做到：一是積極推進(jìn)先進(jìn)新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展；二是高度重視不同領(lǐng)域和技術(shù)的交叉和融合，優(yōu)化我國(guó)電子產(chǎn)業(yè)的科研生產(chǎn)體系；三是重視電子產(chǎn)業(yè)人才的培養(yǎng)，積極倡導(dǎo)和大力發(fā)展屬于我國(guó)自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的原創(chuàng)技術(shù)。否則，我們將越跟蹤越落后。在這一點(diǎn)，我們可以很好地借鑒韓國(guó)和我國(guó)臺(tái)灣的經(jīng)驗(yàn)。

3.2 具體政策的形成和落實(shí)

3.2.1 積極推進(jìn)先進(jìn)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展

產(chǎn)業(yè)規(guī)劃人員需要研究國(guó)內(nèi)外產(chǎn)業(yè)形勢(shì)，把握產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)，才能準(zhǔn)確判斷各種技術(shù)的發(fā)展前景，從而制定相應(yīng)的發(fā)展規(guī)劃。對(duì)于先進(jìn)發(fā)展方向的技術(shù)，應(yīng)該大力支持，特別是關(guān)系到新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)，應(yīng)該重點(diǎn)扶持，并以此為切入點(diǎn)，推動(dòng)整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展。為此我們必需做好以下幾點(diǎn)：

(1)統(tǒng)計(jì)現(xiàn)有生產(chǎn)設(shè)備的實(shí)際庫(kù)存量，做好即將淘汰設(shè)備淘汰前的準(zhǔn)備工作，制訂新發(fā)展規(guī)劃；

(2)研究新生產(chǎn)線設(shè)備的分布情況，制定出不同的發(fā)展方向，先可抓大放小，從易到難；

(3)制定切實(shí)可行的扶持機(jī)制，最簡(jiǎn)單且行之有效的方法，就是用產(chǎn)品說話和市場(chǎng)說話。

3.2.2 高度重視不同領(lǐng)域和技術(shù)的交叉和融合

不同材料的交叉和融合產(chǎn)生新的材料；不同技術(shù)交叉和融合產(chǎn)生新的技術(shù)；不同領(lǐng)域的交叉和融合產(chǎn)生新的領(lǐng)域。我們國(guó)家在相關(guān)協(xié)會(huì)已經(jīng)有不少分會(huì)和機(jī)構(gòu)，技術(shù)領(lǐng)域已涉及電子電路、電子封裝、表面安裝、電子裝聯(lián)、電子材料、電子專用設(shè)備、電子焊接和電子電鍍等。過去，同行業(yè)交流較多，但不同行業(yè)交流不夠，今后應(yīng)積極組織這種技術(shù)交流。

3.2.3 重視電子產(chǎn)業(yè)人才的培養(yǎng)

國(guó)家應(yīng)把握目前電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展的大好機(jī)遇，統(tǒng)籌計(jì)劃、統(tǒng)一布局、集中投資和人才，盡快建設(shè)若干個(gè)關(guān)于信息電子產(chǎn)業(yè)的研究開發(fā)中心或重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，使之成為我國(guó)信息電子創(chuàng)新技術(shù)的發(fā)源地和優(yōu)秀人才的培養(yǎng)基地。

3.3 標(biāo)準(zhǔn)的制定及知識(shí)產(chǎn)權(quán)的維護(hù)

在新產(chǎn)業(yè)鏈形成的過程當(dāng)中，新的產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)(設(shè)計(jì)、制造等)和將被制定，大量專利必將申報(bào)。只有在現(xiàn)階段對(duì)相關(guān)技術(shù)大量投入，搶占先機(jī)，才能在制定產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)時(shí)獲得一定話語權(quán)，以形成對(duì)我國(guó)電子制造業(yè)有利的產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)；在專利成果方面打破國(guó)外壟斷，核心技術(shù)不受國(guó)外制約。

對(duì)已申請(qǐng)的專利要做好知識(shí)產(chǎn)權(quán)的維護(hù)，這樣不僅使原創(chuàng)者利益不受到損害，也能維護(hù)整個(gè)產(chǎn)業(yè)內(nèi)一個(gè)公平的發(fā)展環(huán)境，進(jìn)而鼓勵(lì)、推動(dòng)更多企業(yè)自主創(chuàng)新，形成技術(shù)創(chuàng)新的良性循環(huán)，推動(dòng)整個(gè)產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展。

3.4 戰(zhàn)術(shù)的謀劃和扶持

3.4.1 先進(jìn)產(chǎn)業(yè)的推動(dòng)

在摩爾定律即將失效，3D封裝正在興起的背景下，繼續(xù)推動(dòng)企業(yè)成為技術(shù)創(chuàng)新的主體，鼓勵(lì)企業(yè)加大研究開發(fā)投入。建立市場(chǎng)主導(dǎo)型的技術(shù)創(chuàng)新機(jī)制，實(shí)施企業(yè)技術(shù)創(chuàng)新工程。按照政府引導(dǎo)、市場(chǎng)化運(yùn)作的方式，大力推進(jìn)企業(yè)聯(lián)合重組，培育若干大型企業(yè)集團(tuán)，使其具有技術(shù)創(chuàng)新和自主開發(fā)能力，規(guī)?；a(chǎn)能力，系統(tǒng)集成和綜合服務(wù)能力。

對(duì)即將淘汰的SMT技術(shù)、設(shè)備要限制引進(jìn)，轉(zhuǎn)而大力支持本土3D產(chǎn)業(yè)，對(duì)從事3D封裝技術(shù)的高新企業(yè)給予政策、資金上的優(yōu)惠，鼓勵(lì)其進(jìn)行3D封裝核心技術(shù)和設(shè)備的研發(fā)，爭(zhēng)取在新一輪的產(chǎn)業(yè)鏈分工競(jìng)爭(zhēng)中占有一席之地。

3.4.2 科研方面的扶持

對(duì)高校、科研院所的科研項(xiàng)目申請(qǐng)，應(yīng)引導(dǎo)其向3D和系統(tǒng)集成方向發(fā)展，以順應(yīng)國(guó)際發(fā)展趨勢(shì)，鼓勵(lì)其與企業(yè)共同申報(bào)，以形成優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)，互惠互利的局面。大力促進(jìn)產(chǎn)學(xué)研聯(lián)合，組建以資產(chǎn)為紐帶的產(chǎn)學(xué)研緊密聯(lián)合體。加大技術(shù)改造，注重對(duì)引進(jìn)技術(shù)的消化與吸收，實(shí)現(xiàn)引進(jìn)、消化、吸收、創(chuàng)新與自主開發(fā)的良性循環(huán)。不僅能加快研發(fā)成果向?qū)嶋H生產(chǎn)的轉(zhuǎn)化，同時(shí)也能培養(yǎng)一批熟悉研發(fā)、生產(chǎn)流程的專業(yè)人才。

3.5 配套措施的完善

要使整個(gè)產(chǎn)業(yè)獲得良好發(fā)展，還必須完善相關(guān)的配套措施。

3.5.1 硬件方面

建立良好投資環(huán)境，集中打造具有產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢(shì)的工業(yè)園區(qū)；在3D封裝發(fā)展過程中，新型材料、設(shè)備必然大量出現(xiàn)，要重視對(duì)這些新材料、新設(shè)備的前期研發(fā)，為新興產(chǎn)業(yè)鏈的興起做好技術(shù)準(zhǔn)備。

3.5.2 軟件方面

建立和完善多渠道融投資體制，多渠道籌措電子信息產(chǎn)業(yè)建設(shè)資金；建立風(fēng)險(xiǎn)投資機(jī)制；積極爭(zhēng)取國(guó)家和省市資金支持，建立電子信息產(chǎn)業(yè)建設(shè)資金，集中投向。引進(jìn)和完善風(fēng)險(xiǎn)投資模式和機(jī)制，制定鼓勵(lì)電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展的優(yōu)惠政策，加大資金扶持力度，創(chuàng)建信息產(chǎn)業(yè)風(fēng)險(xiǎn)投資基金和專項(xiàng)發(fā)展資金。發(fā)展民營(yíng)高科技企業(yè)，積極扶持民營(yíng)企業(yè)成長(zhǎng)，成為電子信息產(chǎn)業(yè)又一支生力軍。

4 結(jié)論

總之，在摩爾定律即將失效的大背景下，電子信息產(chǎn)業(yè)的開發(fā)思維、生產(chǎn)方式將發(fā)生一系列變革，現(xiàn)有技術(shù)流程將被先進(jìn)的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)一體化所取代；以硅通孔技術(shù)(TSV)為代表的3D封裝將是電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展的必然趨勢(shì)，現(xiàn)有大多數(shù)設(shè)備必將淘汰，新設(shè)備、新工藝大量出現(xiàn)，多條新興產(chǎn)業(yè)鏈迅速形成。在此情況下，我們要從戰(zhàn)略層面上對(duì)整個(gè)產(chǎn)業(yè)進(jìn)行改革調(diào)整，順應(yīng)國(guó)際發(fā)展趨勢(shì)，鼓勵(lì)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新，才能在未來新興產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)中達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。

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[2]童志義.3D IC集成與硅通孔(TSV)互連[J].電子工業(yè)專用設(shè)備，2009（3）:27-34.

[3]胡志勇.滿足高密度組裝的SMT三維封裝堆疊技術(shù)[J].表面安裝技術(shù)，2009(10):58-69.

[4]郎鵬,高志方,牛艷紅.3D封裝與硅通孔工藝技術(shù)[J].電子工藝技術(shù),2009,30(6):323-326.