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        BaTiO3燒結(jié)過程中異常晶粒長(zhǎng)大的研究

        2010-03-11 14:16:32廖花妹羅凌虹吳也凡石紀(jì)軍程亮宋福生盧泉
        中國(guó)陶瓷工業(yè) 2010年5期
        關(guān)鍵詞:鈦酸鋇粉體晶粒

        廖花妹 羅凌虹 吳也凡 石紀(jì)軍 程亮 宋福生 盧泉

        (景德鎮(zhèn)陶瓷學(xué)院,景德鎮(zhèn):333001)

        1 前言

        BaTiO3系列電子陶瓷是近幾十年來發(fā)展起來的一類新型現(xiàn)代功能陶瓷。雖然它的發(fā)展歷史并不長(zhǎng),但由于其具有壓電性、鐵電性、熱釋電性能等優(yōu)良的介電性能而被廣泛地研究[1]。而異常晶粒長(zhǎng)大現(xiàn)象對(duì)BaTiO3陶瓷的性能有一定的影響,即BaTiO3陶瓷基片的機(jī)械強(qiáng)度明顯降低,其介電性能變差(介電損耗升高,介電常數(shù)降低等)。國(guó)外有很多研究者對(duì)鈦酸鋇異常晶粒長(zhǎng)大進(jìn)行了研究。Sung Bo Lee[2]認(rèn)為過量TiO2會(huì)導(dǎo)致BaTiO3異常晶粒長(zhǎng)大,也有研究者提出了加入適量的A l2O3可以抑制BaTiO3異常晶粒長(zhǎng)大[3-4]。有文獻(xiàn)報(bào)道通過控制燒成氣氛中的氧分壓[5-6]和燒成溫度[7]也可以控制Ba-TiO3異常晶粒長(zhǎng)大。Young-Sung Yoo[8]研究發(fā)現(xiàn)加入SiO2會(huì)在1260℃時(shí)產(chǎn)生液相,并且用TPRE(the tw in-plane re-entrant edge)長(zhǎng)大機(jī)理解釋了導(dǎo)致異常晶粒長(zhǎng)大的原因。同時(shí)也有一些研究者也探討了一定量的SiO2會(huì)導(dǎo)致BaTiO3異常晶粒長(zhǎng)大[9-11]。M.Baurer[12]解釋了在高純的BaTiO3和SrTiO3中在晶界處的非化學(xué)計(jì)量引起的異常晶粒長(zhǎng)大。本文主要探討了兩種商業(yè)粉體的不同以及可能引起s-1#粉鈦酸鋇異常晶粒長(zhǎng)大的原因。

        2 實(shí)驗(yàn)

        首先將山東東營(yíng)國(guó)瓷功能材料有限公司生產(chǎn)的BaTiO3粉體、聚丙烯酸PAA(南京化學(xué)試劑廠,化學(xué)純)、蒸餾水、氨水(上海試劑一廠,分析純)和鋯球磨子混合球磨12h,使其分散,再加入B-1070粘結(jié)劑(Rohm-Hass公司,化學(xué)純)、PEG400增塑劑(南京化學(xué)試劑廠,化學(xué)純)和正丁醇除泡劑(南京化學(xué)試劑廠,分析純)等有機(jī)添加物繼續(xù)球磨12h,形成穩(wěn)定分散的流延漿料,過160目篩,真空除泡,然后在LYJ-240型流延機(jī)上進(jìn)行流延,流延速率為1m/m in,將流延坯片在一定條件下干燥。將干燥后的流延坯片切制成30×40(mm×mm)大小的坯片,置于洛陽神佳窯業(yè)有限公司生產(chǎn)的1700型快速升溫箱式爐中,在1300℃保溫2h燒結(jié)。

        表1 BaTiO3粉體XRF分析結(jié)果Tab.1 the XRF resultof BaTiO3

        通過JSM-6700F型場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡(SEM)觀察兩種粉體的粒徑和形貌;通過X熒光(Axios Advanced,荷蘭帕納科公司)分析元素含量并進(jìn)行對(duì)比;通過SEM分析BaTiO3陶瓷燒結(jié)體的晶體形態(tài)并進(jìn)行對(duì)比;通過用X射線衍射儀(D8 Advance,德國(guó)Bruker AXS)分析粉體和燒結(jié)體的晶相;最后通過對(duì)燒結(jié)體不同區(qū)域進(jìn)行能譜分析。采用SEM的能譜對(duì)燒結(jié)體三個(gè)不同區(qū)域(小晶粒區(qū)域,小晶粒與大晶粒交界處,大晶粒表面)的硅含量進(jìn)行粗略分析,為了分析數(shù)據(jù)的盡可能準(zhǔn)確,所得元素含量數(shù)據(jù)是十次能譜分析結(jié)果的平均值。

        3 結(jié)果和討論

        3.1 XRF和SEM分析

        圖1a,b分別為s-1#和s-2#粉體的SEM圖,由照片可知兩種粉體均為大小約100nm的球形顆粒。s-1#和s-2#粉體的XRF分析結(jié)果見表1。

        由表1可知,s-1#粉體SiO2含量(3.143%)較s-2#粉體SiO2含量(1.59%)高,從數(shù)值上比較,s-1#粉體的SiO2含量為s-2#粉體SiO2含量的兩倍多。

        燒結(jié)是陶瓷生坯在高溫下的致密化過程和現(xiàn)象的總稱,隨著溫度的上升和時(shí)間的延長(zhǎng),固體顆粒相互鍵聯(lián),晶粒長(zhǎng)大,空隙(氣孔)和晶界漸趨減少,通過物質(zhì)的傳遞,其總體積收縮,密度增加,最后成為堅(jiān)硬的具有某種顯微結(jié)構(gòu)的多晶燒結(jié)體[13]。由圖2可見,s-1#粉的陶瓷燒結(jié)體中存在兩種不同形態(tài)的晶體形貌,而s-2#粉的燒結(jié)體中,晶粒大小均勻,無異常晶粒長(zhǎng)大現(xiàn)象。由于s-1#粉硅含量較高,在燒結(jié)時(shí),聚集在一部分BaTiO3小顆粒表面的硅,降低了其熔化溫度,產(chǎn)生一定量的液相,使得此時(shí)的燒結(jié)可以通過速率較大的溶解-沉淀的方式進(jìn)行燒結(jié),較小顆粒的BaTiO3熔化,再不斷富集在較大的BaTiO3顆粒表面,導(dǎo)致個(gè)別晶粒不斷長(zhǎng)大。

        3.2 XRD分析

        圖3和圖4為s-1#和s-2#粉體的XRD衍射圖。由圖4可知,在45°角左右,兩種粉體都只有一個(gè)衍射峰,說明其都為立方晶型的BaTiO3粉體。

        圖2 s-1#(a,b,c)和s-2#(d,e,f)粉燒結(jié)體的不同SEM形貌照片F(xiàn)ig.2 SEM of s-1#(a,b,c)and s-2#(d,e,f)ceram ic sheets

        圖5為s-2#BaTiO3粉體與該粉體經(jīng)流延成型在1300℃下燒結(jié)而成的BaTiO3陶瓷基片的XRD衍射圖。

        由圖5可見,燒結(jié)片的峰向高角度偏移。由XRF熒光結(jié)果可見,粉體中含有一定量的Sr。一般來說,合成粉體的溫度較低,Sr以SrO的形態(tài)簡(jiǎn)單混合在粉體中,而沒有固溶進(jìn)Ba-TiO3的晶格。燒結(jié)時(shí),在1300℃下,Sr固溶進(jìn)BaTiO3的晶格間,粉體為立方晶型,由布拉格方程

        圖7 a,b,c區(qū)域的能譜示意圖Fig.7 EDS spectras of the a,b,c area

        表2 s-1#燒結(jié)體三個(gè)不同區(qū)域元素含量表Tab.2 Atom ic of the a,b,c area

        當(dāng)Sr2+摻雜到BaTiO3晶格里時(shí),由于Sr2+的半徑明顯小于Ba2+的半徑(RSr2+<RBa2+),導(dǎo)致BaTiO3的晶格常數(shù)a下降,進(jìn)而導(dǎo)致d值下降。而在布拉格方程中,nλ為常數(shù),所以sinθ必須增大,才能保持方程的平衡,本實(shí)驗(yàn)的XRD測(cè)量范圍都小于90°,即θ增大,因而燒結(jié)片的峰會(huì)往高角度偏移。

        3.3 能譜分析

        圖6、圖7及表2為s-1#粉體的陶瓷燒結(jié)體的不同區(qū)域的能譜分析,其中a為小晶粒區(qū)域,b為小晶粒與大晶粒交界處,c為大晶粒表面。

        由圖7及表2可以看出,在小晶粒及大晶粒交界處(即b區(qū)域),Si含量最高,大晶粒表面(即c區(qū)域),Si含量次之,小晶粒區(qū)域(即a區(qū)域),Si含量最少。這與前面的推測(cè)相吻合,Si富集在較大的鈦酸鋇顆粒表面,促進(jìn)周圍小顆粒不斷熔解,以大晶粒為晶核,不斷生長(zhǎng),造成異常晶粒長(zhǎng)大。

        4 結(jié)論

        本實(shí)驗(yàn)對(duì)兩種商業(yè)上常使用的BaTiO3粉體的燒結(jié)過程進(jìn)行了研究,發(fā)現(xiàn)在1300℃燒結(jié),兩種粉體所獲得的燒結(jié)體晶相均為鈦酸鋇立方晶相;通過比較s-2#粉體及其燒結(jié)體的XDR結(jié)果,發(fā)現(xiàn)燒結(jié)過程中Sr的固溶使得燒結(jié)體相對(duì)于粉體會(huì)出現(xiàn)衍射峰向高角度方向偏移。同時(shí)研究發(fā)現(xiàn),硅含量較高的s-1#粉燒結(jié)體中出現(xiàn)異常晶粒長(zhǎng)大的現(xiàn)象,在燒結(jié)時(shí),聚集在一部分BaTiO3小顆粒表面的硅,降低了其熔化溫度,產(chǎn)生一定量的液相,使得此時(shí)的燒結(jié)可以通過速率較大的溶解-沉淀的方式進(jìn)行,較小顆粒的BaTiO3熔化,再不斷富集在較大的BaTiO3顆粒表面,導(dǎo)致其個(gè)別晶粒不斷長(zhǎng)大。

        1鄭煜.電子陶瓷用鈦酸鹽.杭州化工,1993,3:3~8

        2 Sung Bo Lee,W ilfried Sigle,Manfred Ru¨hle.Investigation of grain boundaries in abnormal grain grow th structure of TiO2-excess BaTiO3by TEM and EELSanalysis.ActaMaterialia,2002,50:2151~2162

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        11Wook Joa,Ui-Jin Chunga,Nong-Moon Hwanga,et al.Temperature dependence of the coarsening behavior of (Ba,Sr)TiO3grains dispersed in a SiO2-rich liquid matrix.European Ceram ic Society,2003,23:1565~1569

        12M.Ba¨urera,*,S.-J.Shih b,C.Bishop,etal.Abnormalgrain grow th in undoped strontium and barium titanate.Acta Materialia,2010,58:290~300

        13胡志強(qiáng).無機(jī)材料科學(xué)基礎(chǔ)教程.北京:化學(xué)工業(yè)出版社,2003

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