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        La2O3摻雜對BaTiO3-Nb2O5-Co3O4系統(tǒng)陶瓷性能的影響

        2010-02-23 06:14:06蒲永平陳小龍
        陜西科技大學學報 2010年6期
        關鍵詞:系統(tǒng)

        趙 新, 蒲永平, 陳小龍

        (陜西科技大學材料科學與工程學院, 陜西 西安 710021)

        0 前 言

        BaTiO3(BT) 基介質材料因其具有高的介電常數(shù)、不含鉛對環(huán)境無害而被廣泛應用于多層陶瓷電容器(MLCC)介質瓷料.該系統(tǒng)燒結體微觀具有 “ 核-殼” 結構[1-4].核是純的BaTiO3,殼是改性離子不同濃度梯度分布形成的固溶體,核-殼兩相相互制約使介溫特性保持穩(wěn)定.核-殼結構的穩(wěn)定程度主要取決于摻雜離子向BaTiO3晶粒內部的擴散速率,通過控制固相反應形成適當比例的核-殼結構有利于改善介電常數(shù)的溫度特性.

        隨著科技的快速發(fā)展,對介電陶瓷的要求越來越高,人們對其研究也越來越廣泛和深入. 對BNC系統(tǒng)陶瓷進行改性,提高材料的介電常數(shù),降低介電損耗,減小介電常數(shù)隨溫度的變化率是研究的主要方向.稀土元素是一系列的特殊元素,尤其是鑭系元素氧化物作為添加劑在功能陶瓷的改性方面發(fā)揮了顯著的作用[5-8].本文采用固相法制備La2O3摻雜的BNC系統(tǒng)陶瓷,探討了La2O3摻雜量和燒結溫度對BNC陶瓷致密度及介電性能的影響,對制備高性能無鉛Y5P介質陶瓷具有一定的指導意義.

        1 實驗部分

        實驗以BaTiO3(東莞龍基電子有限公司,純度≥99.9%)為主要原料,Nb2O5(國藥集團化學試劑有限公司,≥99.9%)、Co3O4(國藥集團化學試劑有限公司,≥99.9%)、La2O3(國藥集團化學試劑有限公司,≥99.9%)為添加劑,按照化學式(1-x)(0.99BaTiO3+0.008Nb2O5+0.002Co3O4)+xLa2O3(0.000 9≤x≤0.003 7),稱取一定量的BaTiO3、Nb2O5、Co3O4和La2O3.采用傳統(tǒng)的氧化物混合工藝,稱料混合后在有機行星磨中以1 000 r/min混磨4 h,研磨介質為蒸餾水.在電熱恒溫鼓風干燥箱中干燥后造粒,干壓成φ14 mm×1.8 mm的圓片,然后在高溫箱式電阻爐中按一定溫度(1 300 ~1 360 ℃)燒成.

        燒成的陶瓷試樣通過日本ALFA MIRAGE電子密度天平測試其密度,采用Agilent 4980A電容測量分選儀測定1 kHz、1 Vrms下的介溫譜和室溫下的介頻譜.

        2 結果與討論

        2.1 La2O3摻雜量對BNC陶瓷致密度的影響

        圖1為燒結溫度對La2O3摻雜BNC系統(tǒng)陶瓷密度和直徑收縮率的影響.從圖1中可以看出,La2O3摻雜BNC陶瓷試樣隨著燒結溫度的升高,收縮率依次增加,密度逐漸增大.La2O3提高BNC陶瓷的致密度原因如下:首先,La2O3在BaTiO3中形成置換固溶體,引起晶格畸變增大,缺陷增多,便于結構基元移動,促進了燒結過程,所以有利于燒結溫度的降低;其次,La2O3在燒結過程中形成了液相,在液相中擴散傳質阻力小,流動傳質速度快,La2O3的增加可以提高其致密度.

        圖1 燒結溫度對La2O3摻雜BNC系統(tǒng)陶瓷密度和直徑收縮率的影響

        2.2 La2O3摻雜量對BNC陶瓷介電性能的影響

        表1 不同La2O3含量樣品的室溫介電性能

        從表1中可以看出,隨著La2O3含量逐漸增加,陶瓷的室溫介電常數(shù)呈現(xiàn)先增大后減小的趨勢. 當La2O3含量為0.31 mol%時, 有最大介電常數(shù)3 938;當La2O3含量為0.09 mol%,介電常數(shù)減小為2 250.室溫介電損耗則隨著La2O3摻雜量的增加逐漸減少,當La2O3含量為0.09 mol%時,陶瓷的損耗為0.047 23%;當La2O3含量為0.37 mol%時,陶瓷的損耗為0.015 52%.

        圖2 1 340 ℃下不同摻雜濃度La2O3燒結對BNC陶瓷介溫譜和損耗的影響

        圖2為La2O3摻雜BNC系統(tǒng)陶瓷在1 kHz、1 Vrms測試的介溫圖和溫度-損耗圖.圖2(a)為試樣的介溫譜圖,由圖2(a)可看出,隨La2O3摻雜量的增加,試樣的介電常數(shù)呈現(xiàn)出先增大后減小的趨勢,La2O3摻雜量從0.25 mol%增大到0.31 mol%時,介電常數(shù)逐漸增大.當La2O3摻雜量超過0.31 mol%時,介電常數(shù)又降低.這是因為La3+的半徑為0.122 nm,Ti4+的離子半徑為0.064 nm,Ba2+的離子半徑為0.143 nm,O2-的離子半徑為0.132 nm,就La2O3摻雜,根據(jù)容差因子公式計算得出的結果列于表2.由表2可知,La3+摻雜A位的容差因子比B位更接近1,摻雜A位后的相對離子半徑差Δr/r明顯低于B位摻雜,而高的Δr/r易造成晶格點陣失配,不易形成穩(wěn)定的結構,按照這一理論,La3+取代A位的可能性遠遠高于B位,所以La3+摻雜屬于A位摻雜,即取代Ba2+.由于在系統(tǒng)中Nb2O5/Co3O4=3∶1,當摻入La2O3時,因其是A位取代,故發(fā)生取代Ba2+的反應.當La2O3的摻雜量較小時,是Nb2O5和La2O3的共同取代起作用.隨著La2O3量的增加,La2O3的取代開始起作用.由于La3+的離子半徑小于Ba2+的離子半徑,故La3+取代Ba2+,使氧八面體收縮,晶格結構的軸率即c/a降低,導致Ti4+的位移困難,減弱了陶瓷的鐵電性.這就解釋了隨著La2O3摻雜量的增加陶瓷的介電常數(shù)先增加后減小.從圖2(b)中可以看出陶瓷試樣的損耗隨著測試溫度的升高逐漸降低,不同La2O3摻雜量的陶瓷試樣在測試溫度大于100 ℃時介電損耗趨于一致.而在測試溫度低于100 ℃時,介電損耗呈現(xiàn)降低趨勢.

        表2 BaTiO3中La3+離子摻雜的容差因子和Δr/r值

        從表1、圖2可以看到,La2O3摻雜BNC陶瓷系統(tǒng)的試樣的介電常數(shù)存在一個臨界值,即當摻雜量小于0.31 mol%時,介電常數(shù)隨La2O3加入量的增大而增大;當摻雜量大于0.31 mol%時,介電常數(shù)隨La2O3加入量的增大而降低,其最大介電常數(shù)為3 896.因此,La2O3的摻入量應在0.31 mol%左右.

        2.3 燒結溫度對BNC陶瓷介電性能的影響

        圖3為不同溫度下燒結的摻雜0.31 mol% La2O3的BNC介溫圖和損耗圖,從圖3(a)可以看出,當La2O3摻雜量一定時,隨著燒結溫度的升高,介電常數(shù)呈現(xiàn)先增加后降低的趨勢.從圖1中可知,隨燒結溫度提高,BNC密度和直徑收縮率均增大.合適的燒結溫度有利于陶瓷致密度的提高和缺陷的減少,使陶瓷晶粒均勻,介電常數(shù)提高.燒結溫度過高,液相增加,其晶粒異常生長,會惡化陶瓷的介電性能.燒結溫度過低,則不能使陶瓷充分燒結,不利于BNC系統(tǒng)陶瓷“殼-核”結構的形成,不利于介電性能的提高.從圖3(b)可知,當La2O3摻雜量一定時,BNC陶瓷的介電損耗隨著燒結溫度提高而降低,說明較高的燒結溫度使陶瓷較致密,缺陷減少,從而陶瓷的介電損耗降低.

        圖3 不同燒結溫度對摻雜0.31 mol% La2O3的BNC介電常數(shù)和損耗的影響

        從圖3中可以看出,燒結溫度的提高,對于La2O3摻雜BNC系統(tǒng)陶瓷的介電性能的提高和介電損耗的降低非常有利,但是其燒結溫度不能過高,應在1 340 ℃左右.

        3 結束語

        所制備的La2O3摻雜的BNC陶瓷的致密度隨著La2O3加入量的增加而提高,介電常數(shù)先增加后降低,損耗則逐漸降低.當La2O3加入量為0.31 mol%時,介電常數(shù)最大.BNC系統(tǒng)陶瓷加入0.31 mol% La2O3時,室溫介電常數(shù)為3 938,損耗為0.018 69.La2O3的加入有利于BNC系統(tǒng)陶瓷的燒結,提高其介電常數(shù),降低損耗.隨著燒結溫度的升高(1 300 ℃,1 320 ℃,1 340 ℃,1 360 ℃),BNC系統(tǒng)陶瓷致密度逐漸增加,介電常數(shù)先增大后減少,1 340 ℃時介電常數(shù)最高,損耗則呈降低的趨勢.合適的燒結溫度有利于BNC系統(tǒng)陶瓷介電常數(shù)的提高和損耗的降低.

        參考文獻

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