胡皓全,曹紀(jì)綱
(電子科技大學(xué)電子工程學(xué)院 成都 610054)
隨著毫米波技術(shù)在無(wú)線(xiàn)通訊和雷達(dá)系統(tǒng)中應(yīng)用的不斷增多,低成本、高可靠性的毫米波單片集成電路(MMIC)的使用也日趨廣泛。在MMIC毫米波接收系統(tǒng)中,對(duì)各個(gè)MMIC之間的連接采用的是微帶線(xiàn)。而現(xiàn)有的毫米波測(cè)試系統(tǒng)采用的是矩形波導(dǎo)接口,就要求在使用MMIC的系統(tǒng)中尋找一種低成本、低損耗、易制造的寬帶矩形波導(dǎo)實(shí)現(xiàn)微帶過(guò)渡。目前常用的過(guò)渡結(jié)構(gòu)有階梯脊波導(dǎo)過(guò)渡[1]、對(duì)脊鰭線(xiàn)過(guò)渡[2-4]及耦合探針過(guò)渡[5-6]等。這些過(guò)渡結(jié)構(gòu)帶寬較寬(在10%~20%的帶寬內(nèi)回波損耗在15 dB以下),插入損耗小。其中階梯脊波導(dǎo)過(guò)渡加工復(fù)雜,耦合探針過(guò)渡因波導(dǎo)出口方向與電路平行,使其不滿(mǎn)足很多系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的要求。
文獻(xiàn)[7-8]研究出一種新型的CPS(共面線(xiàn))結(jié)構(gòu)的Yagi輻射天線(xiàn),它主要由一個(gè)諧振型天線(xiàn)(<λ0/2)構(gòu)成,能夠覆蓋非常寬的帶寬(將近68%)。這種Quasi-Yagi天線(xiàn)利用了一種在高介電常數(shù)的基片上傳播的表面波和一個(gè)endfire輻射天線(xiàn)。本文把這種新型Yagi天線(xiàn)應(yīng)用于波導(dǎo)微帶線(xiàn)的過(guò)渡結(jié)構(gòu)中,通過(guò)電磁仿真軟件對(duì)這種新型過(guò)渡結(jié)構(gòu)進(jìn)行系統(tǒng)仿真,并給出了結(jié)構(gòu)的容差分析。
過(guò)渡設(shè)計(jì)中用到的Quasi-Yagi天線(xiàn)如圖1所示。天線(xiàn)分為A、B兩區(qū),其中A區(qū)為天線(xiàn)輻射部分,包括3個(gè)半波振子天線(xiàn);B區(qū)為天線(xiàn)饋電(微帶-共面線(xiàn)過(guò)渡巴倫),包括1個(gè)截?cái)嗟慕拥孛婧?個(gè)過(guò)渡巴倫。
這種過(guò)渡結(jié)構(gòu)與微帶探針結(jié)構(gòu)相似,即都為插入波導(dǎo)E平面與波導(dǎo)形成一種電耦合。由圖1可知,過(guò)渡結(jié)構(gòu)的寬度應(yīng)該與波導(dǎo)窄邊一致。B區(qū)和A區(qū)的區(qū)別在于天線(xiàn)饋電部分,B區(qū)基片下面附著一層金屬接地面,而A區(qū)基片下面無(wú)附著金屬。
圖1 Quasi-Yagi天線(xiàn)圖
巴倫是整個(gè)天線(xiàn)的關(guān)鍵部分,其結(jié)構(gòu)尺寸如圖2所示。
圖2 微帶-共面線(xiàn)過(guò)渡巴倫
微帶線(xiàn)通過(guò)一個(gè)T型接頭與共面線(xiàn)(CPS)相連接,微帶線(xiàn)寬為50 Ω,Wt通過(guò)優(yōu)化為37.5 Ω。巴倫設(shè)計(jì)的關(guān)鍵是相移部分,為了能夠讓共面線(xiàn)上傳輸奇模,本文采用如圖所示的結(jié)構(gòu)。這種結(jié)構(gòu)的移相器產(chǎn)生180°的相移,能夠讓共面線(xiàn)上傳輸奇模,即應(yīng)該滿(mǎn)足為波導(dǎo)波長(zhǎng))。在巴倫部分中有許多直角拐角,為了減少回波損耗,對(duì)拐角進(jìn)行了優(yōu)化[9]。
如圖1所示,本文采用半波振子天線(xiàn)作為輻射單元,作為單一的半波振子天線(xiàn),它方向圖的前后比不高,在其之前又加了兩個(gè)輻射單元作為電磁場(chǎng)引導(dǎo)部分以增加方向系數(shù),其中各個(gè)單元的尺寸和位置,Yagi已經(jīng)做了詳細(xì)論述并給出了圖表以供參考[10]。設(shè)計(jì)需要天線(xiàn)工作在整個(gè)X波段,圖3為設(shè)計(jì)得到的天線(xiàn)方向圖。由圖3可知,天線(xiàn)的方向性較單一的半波振子天線(xiàn)得到了提高,且能夠與波導(dǎo)進(jìn)行有效的電場(chǎng)耦合作用,這種結(jié)構(gòu)可以作為微帶波導(dǎo)過(guò)渡。
圖3 三階半波振子天線(xiàn)方向圖
本文運(yùn)用Quasi-Yagi天線(xiàn),設(shè)計(jì)了一種波導(dǎo)-微帶背靠背過(guò)渡結(jié)構(gòu),該過(guò)渡結(jié)構(gòu)工作在X波段,微帶和共面線(xiàn)基片采用鋁制基片,其中εr=9.9,厚度h=0.635,整個(gè)結(jié)構(gòu)如圖4所示。
圖4 波導(dǎo)-微帶背靠背過(guò)渡結(jié)構(gòu)
由圖可以看出,過(guò)渡結(jié)構(gòu)是從E面伸入到波導(dǎo)腔內(nèi),與波導(dǎo)可以產(chǎn)生電耦合。
圖5 過(guò)渡結(jié)構(gòu)S21參數(shù)
通過(guò)仿真軟件CST對(duì)圖4所示的背靠背結(jié)構(gòu)進(jìn)行電磁場(chǎng)的全波分析,仿真結(jié)果如圖5所示。由圖5看出,在整個(gè)X波段內(nèi),過(guò)渡結(jié)構(gòu)的插入損耗最大值為0.7 dB,帶內(nèi)較為平坦,這也驗(yàn)證了本文把Quasi-Yagi天線(xiàn)用到過(guò)渡結(jié)構(gòu)中的可行性。并且通過(guò)電磁軟件得到了最優(yōu)結(jié)構(gòu),尺寸如圖6所示。l1=3.3,l2=1.5,l3=3,l4=1.9,l5=2.75,ldir=4,ldri=7.2,ldirl=1,S5=0.4,S6=0.43,Sdir=3.4,Sdirl=1.4,Sref=1.6,W1=0.76,W2=1.2,W3=W4=0.6,W5=0.55,W6=0.3。
圖6 Quasi-Yagi天線(xiàn)尺寸標(biāo)記圖
在實(shí)物加工工程中,由于加工工藝的誤差,難免造成最后成品的性能與仿真結(jié)果有較大差異,導(dǎo)致設(shè)計(jì)失敗。本文給出幾個(gè)關(guān)鍵參數(shù)對(duì)性能影響的容差分析,如圖7~9所示。
本文進(jìn)行容差分析時(shí)采用10%的誤差范圍,已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于實(shí)物的加工誤差,由以上3圖可以看出,在關(guān)鍵尺寸變化10%的情況下,主要是對(duì)帶寬有大約1.1%的影響,S21性能改變較小,圖6所示的其他尺寸對(duì)性能基本無(wú)決定的影響。
圖7 參數(shù)Sref對(duì)S21性能的影響圖
圖8 參數(shù)l1對(duì)S21性能的影響圖
圖9 參數(shù)l5對(duì)S21性能的影響圖
本文設(shè)計(jì)了一種工作頻率覆蓋整個(gè)X波段,利用Quasi-Yagi天線(xiàn)的微帶-波導(dǎo)的背靠背過(guò)渡結(jié)構(gòu),給出了Quasi-Yagi天線(xiàn)的設(shè)計(jì)方法和關(guān)鍵注意點(diǎn),并通過(guò)電磁仿真軟件CST對(duì)設(shè)計(jì)的過(guò)渡結(jié)構(gòu)進(jìn)行了全波分析,驗(yàn)證了這種過(guò)渡結(jié)構(gòu)的可行性,并得到了一個(gè)較好的S21曲線(xiàn)。為了彌補(bǔ)沒(méi)有做出實(shí)物的遺憾,對(duì)過(guò)渡結(jié)構(gòu)進(jìn)行關(guān)鍵參數(shù)的容差分析,分析結(jié)果顯示,在現(xiàn)有公差條件下,實(shí)物測(cè)試圖與仿真結(jié)果的一致性應(yīng)該較好,能滿(mǎn)足工程需要。
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電子科技大學(xué)學(xué)報(bào)2010年2期