溫度自適應(yīng)性ＤＲＡＭ刷新時(shí)鐘電路
2009-09-30 09:04:48曾鋒任明明易茂祥張昭勇
現(xiàn)代電子技術(shù) 2009年15期
關(guān)鍵詞：功耗
曾 鋒 任明明 易茂祥 張昭勇
摘要：動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器(DRAM)需要通過(guò)刷新來(lái)保持內(nèi)部的數(shù)據(jù)。為降低存儲(chǔ)器刷新過(guò)程的電路功耗，設(shè)計(jì)一種具有溫度自適應(yīng)特性的刷新控制電路。根據(jù)二極管的電流在閩值電壓附近的溫度特性，利用電容充放電的結(jié)構(gòu)，提出一種具有溫度自適應(yīng)特性的刷新時(shí)鐘電路，使存儲(chǔ)器刷新頻率隨電路溫度變化而變化，其趨勢(shì)符合動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器的刷新要求，仿真實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，新的電路在保證DRAM信息得到及時(shí)刷新的前提下，有效地降低了其刷新過(guò)程中的功耗。
關(guān)鍵詞：刷新；動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器；溫度適應(yīng)性；功耗
中圖分類(lèi)號(hào)：TN402文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：A文章編號(hào)：1004－373X(2009)15－181－03
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