劉　露

當前，許多研究人員試圖編寫計算機代碼，以此來模擬大腦的功能，他們使用大量有強大處理能力的機器，但也僅能模擬大腦很小的部分。一種新的電路元件的出現(xiàn)，讓科學(xué)家能夠用一種不同于編寫計算機程序的方式來模擬大腦，或模擬大腦的某種功能，構(gòu)造出具有仿生功能的硬件。這種元件就是充滿了科技傳奇色彩的憶阻器。

早在1971年，加州大學(xué)伯克利分校華裔科學(xué)家蔡少棠就發(fā)表了題為《憶阻器：下落不明的電路元件》的論文，從理論上預(yù)測出自然界存在除電阻器、電容器和電感器之外的第四種電路元件，并稱之為憶阻器。簡單地說，憶阻器是一種有記憶能力的非線性電阻，可通過電流的變化控制其阻值的變化，如果將憶阻器的高阻值和低阻值分別定義為1和0，就可以通過二進制的方式來存儲數(shù)據(jù)，即使電流中斷記憶也不會消失。不過，受到當時技術(shù)條件的限制，蔡少棠教授在提出論文后，并沒有繼續(xù)對憶阻器的研究。

37年過去了，2008年5月1日，由世界著名科學(xué)家、惠普實驗室斯坦·威廉姆斯領(lǐng)導(dǎo)的研究小組，在《自然》雜志以《尋獲下落不明的《憶阻器》為標題發(fā)表論文，首次證實憶阻器確實存在。而且威廉姆斯小組像制作三明治一樣將一層納米級的二氧化鈦半導(dǎo)體薄膜夾在由鉑制成的兩個金屬薄片之間，從而成功設(shè)計出世界首個能工作的憶阻器原型。這些材料都是標準材料，其組成部分只有5納米大小，也就是說僅相當于人的一根頭發(fā)絲的一萬分之一那么細。這一成果不僅使得蔡少棠本人大吃一驚，更將對電子科學(xué)的發(fā)展歷程產(chǎn)生重大影響。

憶阻器的發(fā)現(xiàn)足以媲美100年前三極管的發(fā)明，它具有巨大的潛力，能夠使一些關(guān)鍵的電子技術(shù)在將來成為可能。它是一個新的電路元件，并且已展示出了許多令人期待的、新穎的特性，這些特性是之前設(shè)計工程師們都未曾見過的。與現(xiàn)在廣泛使用的動態(tài)隨機存儲器和閃存相比，憶阻器能量消耗更低。與此同時，材料的憶阻特征，在納米水平上才有明顯表現(xiàn)，這就意味著憶阻器適用于更加密集的電路元件構(gòu)造，在同樣大小的電路尺寸上能存儲更多的數(shù)據(jù)。過去需要多個晶體管才能完成的工作，現(xiàn)在只需一個憶阻器就能勝任。晶體管和憶阻器的集成混合電路，具有動搖整個電子工業(yè)硬件行業(yè)的潛力。

而且，用憶阻電路制造出的計算機將能“記憶”先前處理的事情，并在斷電后“凍結(jié)”這種“記憶”。今天的電腦廣泛使用動態(tài)隨機存儲器作為內(nèi)存，這種技術(shù)的最大問題是，當用戶關(guān)閉Pc電源時，內(nèi)存就“忘記”了曾使用過的數(shù)據(jù)，下次打開計算機電源，用戶必須等待所有需要運行的數(shù)據(jù)全部從硬盤中重新裝載入內(nèi)存后才能使用。這個過程有時長這幾分鐘。而采用憶阻電路的非易失性阻抗存儲器(RRAM)，在斷電后仍然能夠保存數(shù)據(jù)。有了RRAM，電腦會在開機的一瞬間回到上次關(guān)機前的狀態(tài)。這將使計算機可以反復(fù)立即開關(guān)，因為所有組件都不必經(jīng)過“導(dǎo)入”過程就能即刻回復(fù)到最近的結(jié)束狀態(tài)。

一旦RRAM得到應(yīng)用，手機可以使用數(shù)周或更久的時間而不需充電，筆記本電腦可以在電池耗盡之后很久仍記憶上次使用的信息，數(shù)碼相機、MP3和掌上電子設(shè)備也會帶來全新功能。

最重要的是，憶阻器可以記憶流經(jīng)它的電荷數(shù)量。而且這種記憶不是1和0這么簡單，它可以包括從1到0之間所有的狀態(tài)。這類似于人類大腦搜集、理解一系列事情的模式。因此采用憶阻囂技術(shù)的計算機系統(tǒng)可以擁有像人類一樣的記憶與聯(lián)想模式。這些功能能夠使有學(xué)習(xí)能力的電氣用具和有決策能力的計算機成為可能。這樣的計算機可以做許多數(shù)字式計算機不太擅長的事情，例如圖形識別等。而且，計算機將不僅能夠用軟件來學(xué)習(xí)，也可以用硬件來學(xué)習(xí)。毫無疑問，憶阻器的發(fā)現(xiàn)震撼了整個世界，它將在未來改變我們對計算機和存儲的概念。

責任編輯趙新宇