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        電偏轉(zhuǎn)和磁偏轉(zhuǎn)的規(guī)律、區(qū)別與應(yīng)用

        2008-12-31 00:00:00姜玉斌
        物理教學(xué)探討 2008年8期

        電偏轉(zhuǎn)和磁偏轉(zhuǎn)是電磁學(xué)中兩種常見的偏轉(zhuǎn),它們相互聯(lián)系又有區(qū)別,是高考的熱點(diǎn)、復(fù)習(xí)的難點(diǎn),下面從兩種偏轉(zhuǎn)的規(guī)律、區(qū)別以及在解題中的應(yīng)用加以分析。

        1 兩種偏轉(zhuǎn)的規(guī)律

        1.1 電偏轉(zhuǎn)

        如圖1所示,有一質(zhì)量為m、電荷量為+q的粒子(不計(jì)重力),以初速度v0從兩板中間進(jìn)入勻強(qiáng)電場E,在電場力的作用下粒子運(yùn)動(dòng)發(fā)生了偏轉(zhuǎn),偏轉(zhuǎn)角為θ,發(fā)生的側(cè)移距離為y,已知極板長為L,兩極板間距為d。

        粒子在電場中做類平拋運(yùn)動(dòng)運(yùn)動(dòng),與處理平拋問題方法相似,可以將粒子的運(yùn)動(dòng)分解為水平方向的勻速直線運(yùn)動(dòng)和豎直方向的勻加速直線運(yùn)動(dòng),列方程有

        水平方向:vx=v0 sx=v0t

        豎直方向:vy=at=Eqmt

        sy=12at2=12Eqmt2

        運(yùn)動(dòng)時(shí)間:t=Lv0 (粒子能從場中射出)

        12at2=d2(粒子打在極板上)

        側(cè)移距離:y=12at2=12Eqm(Lv0)2

        偏轉(zhuǎn)角正切: tanθ=vyvx=atv0=EqLmv20

        重要結(jié)論 作粒子離開電場時(shí)速度的反向延長線,設(shè)交AB于O點(diǎn),O點(diǎn)與A點(diǎn)間的距離為x,則x=ytanθ=L2,由此式可知,粒子從偏轉(zhuǎn)電場中射出時(shí),就好象是從極板的中間O點(diǎn)沿直線射出似的。

        1.2 磁偏轉(zhuǎn)

        如圖2所示,有一質(zhì)量為m、電荷量為+q的粒子(不計(jì)重力),以初速度v0進(jìn)入勻強(qiáng)磁場B,在磁場力的作用下粒子運(yùn)動(dòng)發(fā)生了偏轉(zhuǎn),偏轉(zhuǎn)角為θ。

        粒子在磁場中做圓弧運(yùn)動(dòng),由洛侖茲力提供向心力,設(shè)粒子的軌道半徑為r,有

        軌道半徑:qv0B=mv20r r=mv0Bq

        偏轉(zhuǎn)角:偏轉(zhuǎn)角等于圓心角,即θ=β

        運(yùn)動(dòng)時(shí)間:t=β2πT=θ2π2πmBq=θmBq

        2 兩種偏轉(zhuǎn)的區(qū)別

        電偏轉(zhuǎn)與磁偏轉(zhuǎn)分別是利用電場與磁場對(duì)運(yùn)動(dòng)電荷施加作用,從而控制其運(yùn)動(dòng)方向,由于電場和磁場對(duì)運(yùn)動(dòng)電荷的作用不同,所以兩種偏轉(zhuǎn)也不同。

        類型問題 電偏轉(zhuǎn)磁偏轉(zhuǎn)

        受力方面受到的電場力是恒力受到的洛侖茲力是變力

        運(yùn)動(dòng)方面類平拋運(yùn)動(dòng)勻速圓周運(yùn)動(dòng)(或圓弧運(yùn)動(dòng))

        偏轉(zhuǎn)方面偏轉(zhuǎn)的角度受到θ<π2的限制場沒有邊界時(shí)偏轉(zhuǎn)的角度不受限制

        能量方面電場力對(duì)粒子做正功,粒子的動(dòng)能不斷增加洛侖茲力對(duì)粒子不做功,粒子的動(dòng)能不變

        3 兩種偏轉(zhuǎn)在解題上的應(yīng)用

        3.1 已知場的情況,求粒子的運(yùn)動(dòng)情況

        題1 如圖3所示的真空管中,電子從燈絲K發(fā)出(初速度不計(jì)),經(jīng)電壓為U1的加速電場加速后沿中心線進(jìn)入兩平行金屬板M、N間的勻強(qiáng)電場中,通過偏轉(zhuǎn)電場后打到熒光屏上的P點(diǎn)處,設(shè)M、N板間電壓為U2,兩板間距離為d,板長為L1,板右端到熒光屏的距離為L2,已知電子的電荷量為e,質(zhì)量為m。求:

        (1)電子打到熒光屏上的位置P偏離光屏中心O的距離OP;

        (2)撤去M、N板上的電壓,在兩平行板中的圓形區(qū)域內(nèi)(如圖4所示)加一個(gè)磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場,圓形區(qū)域的中心正好是兩平行板空間部分的中心,圓的半徑為r。求電子打到熒光屏上的位置Q偏離光屏中心O的距離OQ。(結(jié)果可以用反三角函數(shù)表示)

        析與解 (1)設(shè)電子在加速電場中加速獲得的速度為v0:eU1=12 mv20

        電子在偏轉(zhuǎn)電場中做類平拋運(yùn)動(dòng),運(yùn)動(dòng)的加速度與時(shí)間:a=eU2dm t=L1v0

        電子射出偏轉(zhuǎn)電場時(shí)偏轉(zhuǎn)角:

        tanθ=vyv0 vy=at

        電子剛出偏轉(zhuǎn)電場時(shí)的側(cè)移距離:

        y=12at2=U2L214dU1

        由圖5可知:PM=L2tanθ;OP=PM+y=(2L2+L1)U2L14dU1 。

        (2)電子在磁場中做圓弧運(yùn)動(dòng),找圓心、找半徑如圖6所示,電子離開磁場時(shí)速度方向的反向延長線過圓形磁場的圓心O1,設(shè)電子運(yùn)動(dòng)的軌道半徑為R

        由洛侖茲力提供向心力:ev0B=v20R

        由圖6可知:tanα2=rR;tanα=OQL2+L1/2

        解之得:OQ=(L2+L12)tanα。(其中a=2arctanBer2meU1 )

        點(diǎn)評(píng) 此類問題的關(guān)鍵是分清哪一種偏轉(zhuǎn),如果是電偏轉(zhuǎn)就用平拋運(yùn)動(dòng)的處理方法,如果是磁偏轉(zhuǎn)就用圓周運(yùn)動(dòng)的處理方法。

        3.2 已知粒子運(yùn)動(dòng)要求,求場的情況

        題2 如圖7所示,有一質(zhì)量為m、電荷量為e的電子從y軸上的P(0,a)點(diǎn),以初速度v0平行于x軸射出,為了使電子能夠經(jīng)過x軸上的Q(b,0)點(diǎn),可在y軸右側(cè)加一垂直于 xoy平面向里、寬度為L的勻強(qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B,該磁場左、右邊界與y軸平行,上、下足夠長 (圖中未畫出),已知mv0eB

        析與解 設(shè)電子在磁場中做圓周運(yùn)動(dòng)的軌道半徑為r,則:eBv0=mv20r r=mv0eB

        (1)當(dāng)r>L時(shí),磁場區(qū)域及電子的運(yùn)動(dòng)軌跡如圖8所示,由幾何關(guān)系得:sinθ=Lr=eBLmv0

        則磁場左邊界距坐標(biāo)原點(diǎn)的距離為:x1=b-L-AQ=b-L-[a-r(1-cosθ)]cotθ

        x1=b-L-[a-mv0eB(1-cosθ)]cotθ。(其中θ=arcsineBLmv0)

        (2)當(dāng)rL時(shí),磁場區(qū)域及電子的運(yùn)動(dòng)軌跡如圖9所示,磁場左邊界距坐標(biāo)原點(diǎn)距離為:

        x2=b-AQ=b-r2-(a-r)2;x2=b-(mv0eB)-(a-mv0eB)2=b-2mv0aeB-a2。

        題3 如圖10所示,有一質(zhì)量為m、電荷量為e的質(zhì)子從y軸上的P(0,l)點(diǎn),以初速度v0平

        行于x軸射出,為了使質(zhì)子能夠經(jīng)過x軸上的Q(2s,0)點(diǎn),可在y軸右側(cè)加一沿y軸負(fù)方向的勻強(qiáng)電場,電場強(qiáng)度為E,電場沿x軸方向的寬度為s,沿y軸方向足夠長(圖中未畫出),試求:電場的左邊界距坐標(biāo)原點(diǎn)的距離。

        析與解 質(zhì)子在電場中做類平拋運(yùn)動(dòng),設(shè)場區(qū)以A、B為左、右邊界,質(zhì)子的初速度為v,剛好打在電場的右邊界B處,則:

        l=12at2 s=vt v=sEe2ml

        (1)當(dāng)v0sEe2ml時(shí),電場區(qū)域及質(zhì)子的運(yùn)動(dòng)軌跡如圖11所示,電場左邊界距坐標(biāo)原點(diǎn)的距離為: 

        x1=oQ-AQ=2s-v02lmEe

        (2)當(dāng)v0>sEe2ml時(shí),電場區(qū)域及質(zhì)子的運(yùn)動(dòng)軌跡如圖12所示,質(zhì)子從C點(diǎn)沿CQ方向離開電場,作QC的延長線,交PF與D,由重要結(jié)論可知:DF=s2

        側(cè)移距離:y=12at2=12Eem(sv0)2

        由三角形相似:DFBQ=FCCB,即s/2BQ=yl-y,BQ=(ly-1)s2

        電場左邊界距坐標(biāo)原點(diǎn)的距離為:x2=2s-AB-BQ=32s-mlv20Ees。

        點(diǎn)評(píng) 此類問題的關(guān)鍵是根據(jù)粒子的運(yùn)動(dòng)要求與場的情況,構(gòu)想出粒子可能的運(yùn)動(dòng)軌跡,通過定量計(jì)算確定場區(qū)的位置。注意這類問題場區(qū)可能的位置常常會(huì)有多解。

        電偏轉(zhuǎn)和磁偏轉(zhuǎn)實(shí)質(zhì)上都是帶電粒子在場中的運(yùn)動(dòng),這類問題都要對(duì)研究對(duì)象進(jìn)行運(yùn)動(dòng)和受力分析,弄清研究對(duì)象經(jīng)歷的物理過程,同時(shí)還要認(rèn)識(shí)到這兩種偏轉(zhuǎn)遵循的規(guī)律不同,處理的方法各有特點(diǎn)。

        注:本文中所涉及到的圖表、注解、公式等內(nèi)容請(qǐng)以PDF格式閱讀原文。

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