IDG專供本報消息 2007年，一部采用英特爾公司的超密集NOR閃存芯片制造的移動電話可存儲的照片數(shù)可能是今天的兩倍。英特爾將采用65nm技術實現(xiàn)這種超密集芯片。與標準的90nm閃存相比，65nm芯片不必堆疊兩個芯片，可在單個存儲層上存儲1Gb數(shù)據(jù)。英特爾公司稱，今年第四季度交付這種代號為Capulet的閃存樣品，并稱將至少比競爭對手Spansion和三星電子提前半年。按照這樣的交付計劃，65nm閃存的推出與90nm StrataFlash蜂窩存儲器芯片的推出僅相隔一年。

三星電子公司日前宣布批量生產(chǎn)70nm 1Gb OneNAND芯片，是一種廣泛使用的存儲器件，性能高于普通閃存。三星轉用70nm技術以后，與目前整個行業(yè)使用的90nm工藝技術相比，生產(chǎn)效率可提高70%。

三星的70nm OneNAND融合了NOR閃存迅速啟動及快速讀取數(shù)據(jù)的能力和NAND閃存高容量數(shù)據(jù)存儲及快速寫的能力。這種70nm器件現(xiàn)在已經(jīng)用于100多種移動產(chǎn)品，還可用于數(shù)字相機、機頂盒和數(shù)字電視機。上個月在第三屆三星移動解決方案論壇上，三星公司還發(fā)布了采用OneNAND的高速存儲卡。