本報綜合消息 IBM和Georgia Tech公司通過讓溫度降低到華氏負451度，已經(jīng)設(shè)法讓一個芯片的運行速度達到500GHz，從而創(chuàng)造了以硅為基礎(chǔ)的芯片速度的新紀錄。這兩家公司正在實施一個探索硅鍺（SiGe）芯片速度極限的項目，上述在低溫下提高芯片速度的實驗是這個項目的一部分。

不過，在硅中添加鍺提高了生產(chǎn)硅片和芯片的成本，因此硅鍺芯片一般只用在少數(shù)精選應(yīng)用中。自1998年開始銷售硅鍺芯片以來，IBM已經(jīng)售出了上億個器件，但是相比之下，蜂窩電話行業(yè)每年消耗的純硅芯片就達數(shù)十億個。

在室溫下，IBM-Georgia Tech芯片的工作速度是350GHz，或者說以每秒3500億個時鐘周期運行。這比今天標準PC處理器1.8GHz至3.8GHz的速度快得多，硅鍺芯片在較低溫度下還可以進一步提高速度。

IBM和Georgia Tech的科學(xué)家從理論上分析，硅鍺芯片最終可能達到1THz的速度，或者每秒1萬億個時鐘周期。高性能硅鍺芯片將來可能用于國防、空間探索、交通工具和遙感等領(lǐng)域。