2023年1期
刊物介紹
本刊報(bào)道我國(guó)在半導(dǎo)體材料、光電子材料、納米材料、薄膜材料和超硬材料等領(lǐng)域在理論研究、生長(zhǎng)技術(shù)、性能、品質(zhì)鑒定、原料制備，以及應(yīng)用技術(shù)和加工等方面的科研成果，同時(shí)介紹國(guó)內(nèi)外晶體材料的發(fā)展動(dòng)態(tài)與學(xué)術(shù)交流活動(dòng)。學(xué)報(bào)是我國(guó)從事人工晶體研究人員與國(guó)外同行交流的一個(gè)重要窗口。
人工晶體學(xué)報(bào)
研究論文
- 微下拉法生長(zhǎng)Tb3AlxGa5-xO12磁光晶體及其性能表征
- 大尺寸摻鉈碘化鈉晶體生長(zhǎng)及閃爍性能
- 基于ISOMAP-DE-SVM的Cz單晶硅等徑階段掉苞預(yù)測(cè)
- 二氧化碳對(duì)同質(zhì)外延生長(zhǎng)單晶金剛石內(nèi)應(yīng)力的影響
- 高溫?cái)U(kuò)散法制備B-S共摻雜單晶金剛石
- 磨料形貌及分散介質(zhì)對(duì)4H碳化硅晶片研磨質(zhì)量的影響研究
- 基于ISIGHT的二維手性聲子晶體帶隙最優(yōu)設(shè)計(jì)
- 管道超結(jié)構(gòu)軸向帶隙特性分析及實(shí)驗(yàn)研究
- 引入Si摻雜層調(diào)控InGaAs/GaAs表面量子點(diǎn)的光學(xué)特性
- AlGaN雙勢(shì)壘結(jié)構(gòu)對(duì)高In組分InGaN/GaN MQWs太陽(yáng)能電池材料晶體質(zhì)量和發(fā)光性能的影響
- In原子替位位置對(duì)新型正交GaN影響的第一性原理研究
- La摻雜氧空位的α-Bi2O3電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)的第一性原理研究
- 超硬B-C-N材料的電子結(jié)構(gòu)、硬度和光學(xué)性質(zhì)的第一性原理計(jì)算
- 氧分壓調(diào)控氧化銅薄膜生長(zhǎng)及其表面功函數(shù)研究
- 4-硝基氮氧化吡啶-2-甲酸構(gòu)筑的鑭、鐠配合物的合成、晶體結(jié)構(gòu)及熒光性質(zhì)
- Sr3ZnNb2O9∶0.3Eu3+, xNa+熒光粉的合成和發(fā)光性能研究
- 具有n-n型異質(zhì)結(jié)的復(fù)合材料Bi2S3/MIL-125(Ti)光電性能研究
- LPCVD法制備TOPCon太陽(yáng)能電池工藝研究