1前言
是一種具有銅鐵礦結(jié)構(gòu)的功能陶瓷材料,具有寬帶隙的特點(diǎn),在可見(jiàn)光范圍內(nèi)
具有高透明度與高電導(dǎo)率,因此
被廣泛應(yīng)用于透明導(dǎo)電氧化物、光催化劑、微電子器件、光伏材料、熱電材料等領(lǐng)域。
的制備方法主要有固相反應(yīng)法;凝膠溶膠法;電子束蒸發(fā);磁控濺射;脈沖激光沉積;化學(xué)氣相沉積-等。
在透明導(dǎo)電氧化物領(lǐng)域, 常被用于制作磁控濺射的靶材。馬丙闖等為了獲得高電導(dǎo)率的
,在用固相燒結(jié)法合成
陶瓷時(shí)加入不同含量的的鋁硅酸鹽玻璃,探究了鋁硅酸鹽玻璃的添加量對(duì)
活性的影響,并進(jìn)一步探究添加鋁硅酸鹽玻璃后
的最佳燒結(jié)工藝。趙旭光等在用固相燒結(jié)法合成
時(shí),發(fā)現(xiàn)未摻雜與摻雜 1% 金屬Co時(shí)燒結(jié)樣品為純相的
,當(dāng)Co摻雜濃度大于 5% 時(shí),燒結(jié)的樣品會(huì)產(chǎn)生雜相并且樣品磁性由順磁性轉(zhuǎn)變?yōu)殍F磁性。
在催化領(lǐng)域, 被用于甲醇重整制氫的催化劑。慶紹軍等采用固相球磨法合成了
緩釋催化劑,隨后探究了其在甲醇水蒸汽重整反應(yīng)中的催化性能。主要研究了焙燒溫度、焙燒氣氛和加熱速率對(duì)
緩釋催化劑的結(jié)構(gòu)影響。肖書(shū)衛(wèi)等首先用周期密度泛函理論計(jì)算了水分子在
和O缺陷
表面的吸附以及穩(wěn)定性,隨后用周期密度泛函理論計(jì)算了甲醇分子在清潔
和O缺陷
表面的吸附以及甲醇分子和水分子的共吸附,進(jìn)一步闡明了
催化劑構(gòu)效關(guān)系。
在陶瓷金屬化領(lǐng)域, 是直接敷銅陶瓷基板的共晶層,銅氧化物與氧化鋁陶瓷在共晶溫度1065℃與銅熔點(diǎn)
之間燒結(jié)的共晶產(chǎn)物
可以潤(rùn)濕銅與陶瓷,解決銅與陶瓷之間熱膨脹系數(shù)不匹配的問(wèn)題,讓銅與陶瓷緊密的鍵合在一起?;诖嗽韽埜粏⒌?利用CuO漿料在AIN陶瓷上通過(guò)還原燒結(jié)制備多孔銅層,開(kāi)發(fā)新型AIN陶瓷金屬化工藝,其中銅層與氮化鋁陶瓷之間連接的中間產(chǎn)物為
在陶瓷金屬化方向是重要的界面層產(chǎn)物,研究其在不同燒結(jié)參數(shù)的微觀(guān)性能能夠?yàn)殚_(kāi)發(fā)新型散熱陶瓷封裝基板提供指導(dǎo)作用。
鑒于 無(wú)毒性、價(jià)格低、寬禁帶等特點(diǎn),
在微電子器件等領(lǐng)域有著巨大的發(fā)展?jié)摿Α1疚氖紫韧ㄟ^(guò)固相燒結(jié)法制備了
陶瓷并研究了不同燒結(jié)參數(shù)下的反應(yīng)產(chǎn)物,其次制備了
厚膜并研究了燒結(jié)時(shí)間對(duì)厚膜厚度、顯微形貌、表面粗糙度的影響,進(jìn)一步拓寬了
的應(yīng)用前景。
2實(shí)驗(yàn)
2.1實(shí)驗(yàn)原料
蓖麻油、聚乙二醇400、乙基纖維素M9、鄰苯二甲酸二丁酯以及松節(jié)油透醇購(gòu)自國(guó)藥集團(tuán)化學(xué)試劑有限公司;三氯化鐵購(gòu)自上海麥克林生化科技股份有限公司; 粉(粒徑 1μm) 購(gòu)自鄭州中瓷科技有限公司; CuO 粉(粒徑 1μm 購(gòu)自蘇州優(yōu)鋯納米科技有限公司;
基板(厚度 0.38mm 購(gòu)自南京中江新材料科技有限公司。
2.2實(shí)驗(yàn)過(guò)程
塊體制備
(1)配料:用天平按照1:1的摩爾質(zhì)量比稱(chēng)取適量 粉與
粉。
(2)球磨:將配好的兩種粉體混合,并將混好的粉與球磨子、酒精按照1:1:1.5的比例放人球磨罐,為實(shí)現(xiàn)配平須另備空的球墨罐裝入適當(dāng)去離子水。配平完成后將兩種粉體球磨12h并放入烘箱中烘干。
(3)壓片:將烘干后的粉體倒入研缽,碾碎。利用液壓機(jī)使粉體受力形成塊體。(4)燒結(jié):將樣品放人馬弗爐中燒結(jié),升溫速度為 ,樣品需在
排膠燒結(jié)1h后才能繼續(xù)升溫。
厚膜制備
(1)配漿:將 CuO 粉體與有機(jī)載體按照8:2的質(zhì)量比混合并攪拌至粘稠。有機(jī)載體的配制比例如表1所示。表1有機(jī)載體的成分與功能
(2)涂布:使用涂布機(jī)將CuO漿料涂布在 基板上并控制涂布厚度為 100μm ,待漿料流平后將樣品放入烘箱烘干。
(3)燒結(jié):將樣品放入馬弗爐中燒結(jié),樣品燒結(jié)時(shí)的熱處理曲線(xiàn)如圖1所示。
2.3性能測(cè)試與表征
使用Empyrean型X射線(xiàn)衍射儀表征燒結(jié)塊體的物相,測(cè)試角度為 ,掃描速度為
/min 。使用LYRA3GMU型掃描電鏡表征制備厚膜的形貌與厚度,由于樣品不導(dǎo)電測(cè)試前需要進(jìn)行噴金處理。使用KC-X1010型激光共聚焦顯微鏡表征制備厚膜表面粗糙程度,掃描間距為 2μm ,采樣頻率為
,掃描方向?yàn)閄軸。
3結(jié)果與分析
3.1燒結(jié)參數(shù)對(duì)燒結(jié)塊體物相的影響
圖2為通過(guò)固相反應(yīng)法制備的樣品XRD。由圖2可知,樣品在不同參數(shù)下燒結(jié)的物相以 為主,部分燒結(jié)樣品在
"44.7°中行
處存在弱衍射峰,對(duì)應(yīng)的物相為
。如圖2(a)所示,當(dāng)燒結(jié)溫度為
時(shí),隨著保溫時(shí)間的延長(zhǎng),
相衍射峰的強(qiáng)度也在增大,而
相衍射峰的強(qiáng)度先增大后減小,因此
燒結(jié)時(shí)為獲得純相最佳燒結(jié)時(shí)間為 8h 。如圖2(b)所示當(dāng)燒結(jié)溫度為
時(shí),隨著保溫時(shí)間延長(zhǎng),
相變化不大,燒結(jié)時(shí)間為8h時(shí),
相的衍射峰最強(qiáng)。對(duì)比燒結(jié)時(shí)間為8h時(shí)不同溫度下燒結(jié)的兩個(gè)樣品,
燒結(jié)時(shí)
相的強(qiáng)度最大,由此推斷固相反應(yīng)法制備
的最佳燒結(jié)工藝為:
燒結(jié) 8h
3.2燒結(jié)時(shí)間對(duì)厚膜顯微形貌的影響
圖3為在 基板上涂布 CuO 漿料并燒結(jié)制備的樣品截面顯微形貌,根據(jù)圖3能夠直觀(guān)看出中間層的存在。如圖3(a)所示,當(dāng)燒結(jié)時(shí)間為1h時(shí),中間層厚度較薄,厚度約為 10.26μm 。如圖3(b)所示,當(dāng)燒結(jié)時(shí)間為2h時(shí),中間層相比圖3(a)更厚,厚度約為 19.46μm 。如圖3(c)所示,當(dāng)燒結(jié)時(shí)間為3h時(shí),中間層厚度為 27.88μm總的來(lái)說(shuō),隨著燒結(jié)時(shí)間的延長(zhǎng),中間層逐漸變厚。
為進(jìn)一步驗(yàn)證中間層產(chǎn)物對(duì)圖3(c)所示區(qū)域進(jìn)行EDS面掃,面掃結(jié)果如圖4所示。根據(jù)圖4可以直觀(guān)看出上層區(qū)域主要有 Cu 與0兩種元素組成,為殘余的CuO 層。中間層包含 三種元素,為
與 cuO 反應(yīng)形成的
層。下層主要由Al元素與0元素組成,該層為
陶瓷基板。
為研究 厚膜表面形貌需用
溶液將樣品表面殘存的 CuO 層腐蝕掉,腐蝕后厚膜的表面形貌如圖5所示。如圖5(a)所示,當(dāng)燒結(jié)時(shí)間為1h時(shí)厚膜表面以大的立方體為主,有少量小顆粒。如圖5(b)所示,當(dāng)燒結(jié)時(shí)間為2h時(shí),厚膜表面主要由小顆粒組成,相比圖5(a)所示厚膜的平均晶粒尺寸更細(xì)小。如圖5(c)所示當(dāng)燒結(jié)時(shí)間延長(zhǎng)到3h時(shí),厚膜表面幾乎沒(méi)有小顆粒,厚膜表面較為粗糙顆粒尺寸也最大。綜合比較反應(yīng)時(shí)間為2h時(shí)厚膜表面最為均勻致密。
3.3燒結(jié)時(shí)間對(duì)厚膜表面粗糙程度的影響
圖6為制備厚膜表面的三維形貌圖,測(cè)試前用Fe-Cl3 溶液去除樣品表面CuO以防止雜相干擾。如圖6(a)所示,燒結(jié)時(shí)間為1h的樣品表面有少量毛刺,對(duì)該區(qū)域測(cè)得的面平均粗糙度為 21.129μm 。如圖6(b)所示,燒結(jié)時(shí)間為 2h 的樣品表面相對(duì)平滑,對(duì)該區(qū)域測(cè)得的面平均粗糙度為 19.955μm 。如圖 6(c) 所示,燒結(jié)時(shí)間為3h的樣品表面有較多尖銳的毛刺,對(duì)該區(qū)域測(cè)得的面平均粗糙度為 30.708μm 。因此保溫時(shí)間為2h時(shí)制得的 厚膜表面最為平整,這與掃描電鏡測(cè)得的結(jié)果一致。
4結(jié)論
(1)采用固相反應(yīng)法制備 陶瓷時(shí), CuO 粉與
粉反應(yīng)充分,未在生成物中檢測(cè)到兩者物相。燒結(jié)后的反應(yīng)產(chǎn)物以
為主,隨著反應(yīng)時(shí)間延長(zhǎng),
相衍射峰的強(qiáng)度也在增大。這表明過(guò)長(zhǎng)的反應(yīng)時(shí)間容易引起雜質(zhì)產(chǎn)生。XRD數(shù)據(jù)表明當(dāng)燒結(jié)溫度為
,燒結(jié)時(shí)間為8h時(shí),燒結(jié)制得的
純度最高。
(2)使用 漿料在
陶瓷基板上制備
時(shí),能夠明顯觀(guān)察到中間層,EDS面掃表明中間層由 Cu 、Al、0三種元素組成,為
相。隨著反應(yīng)時(shí)間的延長(zhǎng),中間層逐漸變厚,當(dāng)燒結(jié)時(shí)間為3h時(shí),厚膜厚度到達(dá)峰值 27.88μm 。
(3)將制備厚膜表面經(jīng)過(guò)腐蝕處理后觀(guān)察其表面形貌與粗糙度,結(jié)果表明厚膜表面主要為多面體結(jié)構(gòu),隨著燒結(jié)時(shí)間延長(zhǎng)厚膜表面晶粒尺寸先減小后增大,當(dāng)反應(yīng)時(shí)間為2h時(shí),厚膜表面最為平整光滑。
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