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        三星等海外巨頭減產(chǎn)或退出國內(nèi)存儲廠商迎新機遇

        2025-05-26 00:00:00胡楠
        證券市場周刊 2025年18期
        關(guān)鍵詞:科技產(chǎn)品

        隨著消費、網(wǎng)通、計算等多個領(lǐng)域需求的回暖,以及國家一攬子刺激政策,存儲芯片廠商兆易創(chuàng)新(603986.SH)業(yè)績重新恢復增長。2024年,公司營業(yè)收入為73.56億元,同比增長27.69%,扣除非經(jīng)常性損益后歸屬于母公司股東的凈利潤為10.30億元,同比增長3660.79%。

        2025年一季度,兆易創(chuàng)新業(yè)績保持增長,其營業(yè)收入為19.09億元,同比增長17.32%,扣除非經(jīng)常性損益后歸屬于母公司股東的凈利潤為2.45億元,同比增長14.57%。

        與此同時,在利基型DRAM市場,繼美光科技、SK海力士、三星三大存儲芯片廠商退出DDR3市場后。2024年,上述三大廠商再次宣布將退出DDR4市場,并將DDR4產(chǎn)能轉(zhuǎn)向DDR5和HBM市場,以應對AI服務器和高性能計算的需求。

        對此,民生證券認為海外存儲芯片大廠持續(xù)推出利基型存儲市場,以及可穿戴設(shè)備以及AIPC等終端對存儲容量需求的增加,利基型存儲市場將迎來一波增長與洗牌。

        NOR Flash率先復蘇

        2024年,全球集成電路行業(yè)在經(jīng)歷兩年調(diào)整后呈現(xiàn)復蘇態(tài)勢,根據(jù)研究與咨詢公司Gartner發(fā)布的數(shù)據(jù),2024年全球半導體行業(yè)收入達到6260.00億美元,較2023年大幅增長18.10%,創(chuàng)歷史新高,且預計2025年市場規(guī)模將進一步擴大至7050.00億美元。

        CFM閃存市場數(shù)據(jù)顯示,2024年全球存儲市場規(guī)模達1670.00億美元,創(chuàng)出歷史新高,其中,NAND Flash市場規(guī)模達696.00億美元,DRAM市場規(guī)模達973.00億美元。

        作為存儲市場的重要組成部分,利基型存儲市場也迎來復蘇。其中,NOR Flash市場表現(xiàn)亮眼,2024年,全球NOR Flash市場規(guī)模達到26.99億美元,同比增長19.74%,預計2023年至2024年的年均復合增長率為9.17%。

        NOR Flash下游市場的表現(xiàn)也對上述數(shù)據(jù)提供了佐證,據(jù)慧博投研數(shù)據(jù),NOR Flash下游應用領(lǐng)域包括智能手機、可穿戴設(shè)備、車載電子、AIPC等。

        受下游市場需求復蘇與增加影響,NOR Flash頭部廠商業(yè)績也重回增長。

        據(jù)民生證券研報,全球NOR Flash市場主要廠商包括華邦電子、旺宏電子、兆易創(chuàng)新,2021年,三家廠商市場份額分別為34.80%、32.70%、23.20%。而到2024年,根據(jù)Web-Feet Research報告,在NOR Flash市場,兆易創(chuàng)新市場占有率已經(jīng)超過旺宏電子,位居全球第二的位置。

        上述三家公司財務數(shù)據(jù)的變動與其市場份額的變動相符,公開數(shù)據(jù)顯示,2024年,兆易創(chuàng)新營業(yè)收入為73.56億元,同比增長27.69%,扣除非經(jīng)常性損益后歸屬于母公司股東的凈利潤為10.30億元,同比增長3660.79%;華邦電子營業(yè)收入為816.10億新臺幣,同比增長8.80%,凈利潤為7.09億新臺幣,同比增長2088.24%。

        同期,市場份額第三的旺宏電子營業(yè)收入為258.83億新臺幣,同比增長-6.30%,凈利潤為-32.12億新臺幣,虧損金額相比上年的-16.99億新臺幣進一步擴大。

        在NOR Flash市場,華邦電子、旺宏電子、兆易創(chuàng)新三家公司合計市場份額超過90.00%。在行業(yè)復蘇的大背景下,華邦電子、兆易創(chuàng)新業(yè)績恢復增長,而旺宏電子卻出現(xiàn)營業(yè)收入、凈利潤雙下滑的情況,這在一定程度上意味著市場份額正在向華邦電子與兆易創(chuàng)新集中。

        利基DRAM格局優(yōu)化

        在利基存儲市場,利基型DRAM是最大的細分市場。據(jù)WiseGuy Report估算,2024年全球利基型DRAM市場規(guī)模約為95.70億美元。

        據(jù)華源證券,DRAM根據(jù)內(nèi)存技術(shù)及應用領(lǐng)域,主要分為DDR、LPDDR、GDDR和HBM系列。其中,利基型DRAM主要集中于DDR和LPDDR,主要產(chǎn)品包括DDR2及以下產(chǎn)品、4Gb以下的DDR3、8Gb以下的DDR4,以及LPDDR4及之前代際的產(chǎn)品。

        利基型DRAM本質(zhì)就是相對于主流存儲產(chǎn)品占據(jù)較小市場份額的存儲產(chǎn)品,其在制程上和容量上落后主流存儲若干代際,適用于較小容量場景。

        在DRAM市場,三星、SK海力士、美光科技起步較早,占據(jù)了DRAM市場絕大部分市場份額。據(jù)慧博投研數(shù)據(jù),2023年,三星在全球DRAM市場份額為42.70%,位居市場第一的位置,美光科技、SK海力士市場份額分別為28.50%、24.30%,分別位居市場第二與第三的位置,三家公司合計市場份額高達95.50%。

        隨著存儲產(chǎn)品的不斷迭代,三星、美光科技、SK海力士順理成章地成為全球主要利基型DRAM供應商。

        據(jù)民生證券研報,由于DDR3技術(shù)、性能上逐漸落伍,基本已經(jīng)不再PC、服務器上使用,但其功耗、價格低,在Wi-Fi路由器、交換機等嵌入式領(lǐng)域仍有應用

        不過,由于DDR3產(chǎn)品毛利率較低,在產(chǎn)能供應吃緊的情況下,三星、美光科技、SK海力士三大廠商將更多的資源傾斜到盈利能力更高的DDR5和HBM產(chǎn)品上,并逐步退出DDR3市場。據(jù)慧博投研數(shù)據(jù),三星已向客戶通知將于2024年二季度末停產(chǎn)DDR3產(chǎn)品;SK海力士則更早在2023年年底將位于中國無錫廠的DDR3制程調(diào)整為DDR4;美光科技暫未對DDR3產(chǎn)品實施停產(chǎn),但也大幅縮減了供應量。

        伴隨著原廠的退出與控產(chǎn),DDR3現(xiàn)貨價格自2023年三季度起逐步觸底,隨后開啟小幅漲價反彈。截至2024年5月中旬,DDR3漲幅約為10.00%。

        2024年,三星、美光科技、SK海力士進一步縮減DDR4產(chǎn)品的比重。據(jù)IC Research數(shù)據(jù),三星、SK海力士都發(fā)布了季度財報,兩公司在電話會議上均強調(diào)接下來會將重點轉(zhuǎn)移到高利潤的高端產(chǎn)品上,同時可能會減少DRAM和NAND的產(chǎn)量,特別是傳統(tǒng)類型的產(chǎn)品。

        其中,SK海力士計劃逐漸降低DDR4的生產(chǎn)比重,2024年三季度,其DDR4的生產(chǎn)比重已經(jīng)從二季度40.00%降至30.00%,第四季度計劃進一步降低至20.00%;三星已經(jīng)推動DDR4的減產(chǎn),并將部分產(chǎn)能轉(zhuǎn)移到DDR5和LPDDR5等先進產(chǎn)品上。

        隨著三星、美光科技、SK海力士減產(chǎn)與退出DDR3、DDR4市場,利基型存儲市場競爭格局明顯改善,國內(nèi)廠商有機會搶占上述廠商減產(chǎn)、退出所空出的市場份額。

        目前,國內(nèi)提供DDR3、DDR4的芯片廠商包括兆易創(chuàng)新、北京君正(300223.SZ)、東芯股份(688110.SH)等企業(yè)。據(jù)華源證券研報,2023年,兆易創(chuàng)新DDR3 4Gb、2Gb產(chǎn)品已經(jīng)實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn),在2024年實現(xiàn)批量出貨并貢獻營收。2024年,公司DDR4 8Gb產(chǎn)品流片成功,并已向客戶提供樣片。

        另外,兆易創(chuàng)新深度綁定國內(nèi)DRAM晶圓廠龍頭長鑫存儲,公司創(chuàng)始人朱一明曾任職長鑫存儲管理層。據(jù)Counterpoint預計,在2024年全球DRAM市場,長鑫存儲占總產(chǎn)能的比重為13.00%,出貨量和銷售費分別占全球市場的6.00%與3.70%。預計到2025年,長鑫存儲產(chǎn)能將增長到與美光科技相當?shù)乃健?/p>

        根據(jù)財報數(shù)據(jù),2024年,兆易創(chuàng)新向長鑫存儲及其子公司采購金額為10.18億元。

        北京君正利基型DRAM包括DDR、DDR2、LPDDR2、DDR3、DDR4、LPDDR4等多種類型,容量涵蓋16M、32M、64M、128M到 1G、2G、4G、8G、16G等多種規(guī)格。

        另外,針對市場對大容量DDR4、LPDDR的需求趨勢,公司8GbDDR4、8Gb LPDDR4、16Gb LPDDR4已完成量產(chǎn)。并針對汽車、工業(yè)市場對DDR4、LPDDR4不斷增長的需求,公司進行了基于21nm/20nm、18nm、16nm等工藝的DRAM新產(chǎn)品開發(fā),將于2025年向客戶提供工程樣品。

        東芯股份的DDR3(L)、LPDDR1、LPDDR2、PSRAM等產(chǎn)品已經(jīng)實現(xiàn)量產(chǎn),并持續(xù)進行新產(chǎn)品的研發(fā)。其中,公司設(shè)計研發(fā)的LPDDR4x產(chǎn)品已進入量產(chǎn)階段,產(chǎn)品通過小尺寸封裝、低電壓設(shè)計和寬溫適應性,覆蓋了從消費電子到工業(yè)/汽車電子的多元化場景。

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