1月15日，中微公司（688012.SH）發(fā)布的業(yè)績預(yù)告顯示，2024年預(yù)估實現(xiàn)營業(yè)收入90.65億元、扣非歸母凈利潤12.80億-14.30億元，分別同比增長44.73%和7.43%-20.02%。中微公司以刻蝕機和薄膜設(shè)備為主打產(chǎn)品，2024年刻蝕設(shè)備同比增長54.71%，薄膜設(shè)備中，MOCVD（新型氣相外延生長技術(shù)）設(shè)備同比下降18.11%，LPCVD（低壓力化學(xué)氣相沉積法）薄膜設(shè)備實現(xiàn)首臺銷售。

技術(shù)層面上，中微公司的等離子刻蝕設(shè)備技術(shù)能力已經(jīng)達到5nm及以下；產(chǎn)能方面，固定資產(chǎn)規(guī)模大幅提高，生產(chǎn)及研發(fā)基地不斷擴張。公司預(yù)計2025年或有10余類薄膜沉積設(shè)備產(chǎn)品交付客戶，順應(yīng)下游的需求增長，擴大在主要客戶產(chǎn)品線上的占有率，訂單及業(yè)績增速有望保持高位。

收入增長迅速

分類型看，2024年，中微公司刻蝕設(shè)備銷售72.76億元，同比增長54.71%；MOCVD設(shè)備銷售3.79億元，同比下降18.11%；LPCVD薄膜設(shè)備2024年實現(xiàn)首臺銷售，收入達1.56億元。

中微公司針對芯片制造中關(guān)鍵工藝的高端產(chǎn)品不斷獲得市場認可，多款新產(chǎn)品形成重復(fù)訂單，成為收入增長的重要引擎。例如，LPCVD薄膜設(shè)備2024年累計出貨超100個反應(yīng)臺。2019-2023年，公司營收由19.47億元增長至62.64億元，復(fù)合增長率超過30%，扣非歸母凈利潤由1.48億元增長至11.91億元，復(fù)合增長率超過60%。

2024年前三季度的生產(chǎn)及發(fā)貨狀況均反映公司在手訂單充足，支撐后續(xù)營收的快速增長。截至2024年三季度末，公司存貨和合同負債分別為78.22億元和29.88億元，同比分別增長91.18%和118.82%。前三季度生產(chǎn)專用設(shè)備1160腔，同比增長310%，對應(yīng)產(chǎn)值約94.19億元，同比增長287%；新增訂單為76.4億元，同比增長約52%，其中刻蝕設(shè)備新增訂單62.5億元，同比增長約54.7%，新產(chǎn)品LPCVD新增訂單3億元，開始啟動放量。

從歷年三季報數(shù)據(jù)來看，中微公司的毛利率較為穩(wěn)定，自2021年前三季度起毛利率保持在40%以上。盈利穩(wěn)定的另一面，公司固定資產(chǎn)規(guī)模迅速擴大，2023年四季度之前，固定資產(chǎn)占資產(chǎn)總額的比例在3%左右，四季度末攀升至9.23%，2024年三季度末達到24.99億元，占資產(chǎn)總額的比例為9.89%，產(chǎn)能布局提升顯著；同時，固定資產(chǎn)周轉(zhuǎn)率由2023年前三季度的9.21次下降至2024年前三季度的2.46次，產(chǎn)能尚未充分釋放。

此外，財務(wù)指標反映出公司的實際運營策略正在發(fā)生變化，貨幣資金占資產(chǎn)總額的比例首次下降至30%以下，資金使用效率有所提高；凈營業(yè)周期自2023年第一季度起首次超過400天，主要因存貨周轉(zhuǎn)天數(shù)拉長，但公司的資產(chǎn)減值損失變化不大，未大量計提存貨跌價損失。

為應(yīng)對外部風(fēng)險，中微公司過去17年公司和美國設(shè)備企業(yè)及美國政府發(fā)生數(shù)次法律訴訟，四次勝訴，兩次和解。

據(jù)公司公告，2024年12月，美國國防部正式將中微公司從中國軍事企業(yè)清單（下稱“清單”）中移除。

2024年1月，美國國防部曾將中微列入清單，8月中微公司發(fā)起訴訟維權(quán)，最終美國國防部在審查后作出撤銷決定。2024年12月，美國商務(wù)部工業(yè)與安全局修訂了對中國半導(dǎo)體出口管制措施新規(guī)則，中微公司在該次修訂新規(guī)事件中未進入實體清單。

保持高研發(fā)強度

2024年，全球半導(dǎo)體銷售額從2023年的5269億美元增長至6112億美元新高，增幅約為16%，據(jù)預(yù)測，2025年市場規(guī)模將進一步增長12.5%至6874億美元。市場對中微公司開發(fā)多種新設(shè)備的需求快速增長，2024年公司顯著加大研發(fā)力度，研發(fā)投入約24.50億元，較上年增長94.13%，其中計入研發(fā)費用14.15億元，占公司營業(yè)收入的比例為15.61%，較上年增加了2.57個百分點，處于公司的歷史高位。

技術(shù)創(chuàng)新是半導(dǎo)體高端制造業(yè)的靈魂，中微公司目前在研發(fā)的薄膜沉積類產(chǎn)品一共有20多類，2023年已經(jīng)付運客戶端的設(shè)備有6類，2024年、2025年，公司會新增10余類產(chǎn)品交付客戶。為推動供應(yīng)鏈的穩(wěn)定、安全，保持較高的設(shè)備交付率，公司還持續(xù)開發(fā)關(guān)鍵零部件供應(yīng)商，銷售額取得快速增長。

值得關(guān)注的是，公司2024年三季度末資產(chǎn)負債表中的資本化開發(fā)支出已積累至9.66億元，未來轉(zhuǎn)入無形資產(chǎn)后，攤銷額會增加，減少利潤，但在保持規(guī)模效益的前提下，影響相對可控。

公司在新產(chǎn)品開發(fā)方面取得了成效，近兩年新開發(fā)的LPCVD薄膜設(shè)備已有多款進入市場，其他多個關(guān)鍵薄膜沉積設(shè)備研發(fā)項目正在順利推進，EPI（外延）設(shè)備已順利進入客戶端量產(chǎn)驗證階段。

繼2023年南昌生產(chǎn)和研發(fā)基地投入使用后，中微公司在上海臨港約18萬平方米的生產(chǎn)和研發(fā)基地于2024年8月正式投入使用，約10萬平方米的總部大樓暨研發(fā)中心尚在建設(shè)。相對于1700余人的歷史員工規(guī)模來說，環(huán)境相對寬松，未來生產(chǎn)運營管理、成本費用控制需持續(xù)加強。

2023年，公司的人均創(chuàng)收和創(chuàng)利分別為364萬元和104萬元，人均創(chuàng)利處于行業(yè)較高水平。中微公司采取了股權(quán)激勵等措施留住人才，2020年、2022年、2023年和2024年，公司均制定了第二類限制性股票激勵計劃，授予價格分別為每股150元、50元、50元和76.10元。特別在近三年，激勵對象人數(shù)占比超過90%。

擴品類謀增長

中微公司的等離子體刻蝕設(shè)備已批量應(yīng)用在國內(nèi)外一線客戶從65納米到14納米、7納米和5納米及更先進的集成電路加工制造生產(chǎn)線及先進封裝生產(chǎn)線。薄膜沉積設(shè)備如期完成多道工藝驗證，更多應(yīng)用正在驗證當(dāng)中，部分產(chǎn)品已收到客戶重復(fù)訂單。

刻蝕環(huán)節(jié)根據(jù)控制技術(shù)的不同，干法刻蝕主要包括電感耦合等離子體（下稱“ICP”）刻蝕和電容耦合等離子體（下稱“CCP”）刻蝕等類型。公司生產(chǎn)的設(shè)備已在28nm以上的絕大部分CCP刻蝕、28nm及以下的大部分CCP刻蝕中得到應(yīng)用；ICP刻蝕方面，公司針對60多條客戶的生產(chǎn)線實現(xiàn)量產(chǎn)，覆蓋邏輯、功率、電源管理、微電機系統(tǒng)等芯片和器件，還用于生產(chǎn)DRAM和3DNAND存儲芯片。

國際上先進芯片制程從7-5nm階段向更先進工藝方向邁進，當(dāng)前光刻機受光波長的限制，需要結(jié)合刻蝕和薄膜設(shè)備，采用多重模板工藝進行曝光。

該技術(shù)路線的外部效應(yīng)擴散至照明及顯示領(lǐng)域，利用刻蝕工藝能夠?qū)崿F(xiàn)更精細的照明、更優(yōu)質(zhì)的顯示效果。

薄膜設(shè)備在發(fā)光二極管、氮化鎵和碳化硅功率器件等市場的應(yīng)用發(fā)展迅速，這些器件所需的MOCVD設(shè)備是最重要的核心設(shè)備。與集成電路在很多種設(shè)備、很多步循環(huán)的制造工藝不同，制造三五族化合物器件主要靠MOCVD設(shè)備實現(xiàn)，而且MOCVD設(shè)備的大部分市場在中國本土。

中微公司開發(fā)的碳化硅功率器件、氮化鎵功率器件、Micro-LED等器件所需的多類MOCVD設(shè)備取得了良好進展，已進入驗證階段，后續(xù)有望規(guī)?；a(chǎn)。值得一提的是，公司該類MOCVD設(shè)備的市占率超70%，在行業(yè)領(lǐng)先客戶的生產(chǎn)線上大規(guī)模使用；Mini-LED顯示所用的MOCVD設(shè)備亦成為國內(nèi)外絕大多數(shù)LED生產(chǎn)線的主流設(shè)備。

和大多數(shù)平臺型設(shè)備制造商類似，中微公司的產(chǎn)品開發(fā)范疇還在擴張。公司通過投資布局了光學(xué)檢測設(shè)備板塊，并計劃開發(fā)電子束檢測設(shè)備，不斷擴大對多種檢測設(shè)備的覆蓋。隨著微觀器件越做越小，檢測設(shè)備的市場地位有所提高，增長速度很快，成為前道工序第四大設(shè)備門類，占半導(dǎo)體設(shè)備市場總額約11%。

產(chǎn)品交付目前依賴位于南昌和上海臨港的生產(chǎn)、研發(fā)基地，公司計劃于2025-2030年期間投資約30.5億元成立成都子公司，建設(shè)研發(fā)中心、生產(chǎn)基地及配套設(shè)施。該項目面向高端邏輯及存儲芯片，開展化學(xué)氣相沉積設(shè)備、原子層沉積設(shè)備及其他關(guān)鍵設(shè)備的研發(fā)和生產(chǎn)工作。項目總投資約30.5億元，計劃于2025年開工，2027年投入生產(chǎn)，預(yù)計2030年年銷售額達10億元。