摘要：微電子器件作為現(xiàn)代電子技術(shù)的基石，其可靠性對整個(gè)電子行業(yè)至關(guān)重要。隨著電子設(shè)備向更小型化、高性能化發(fā)展，微電子器件的可靠性問題日益凸顯，微電子器件封裝技術(shù)對于保證器件性能和延長使用壽命具有至關(guān)重要的作用。本文概述當(dāng)前市場上主流封裝技術(shù)，簡要介紹一些加速失效的影響因素，并提出一系列封裝可靠性評估方法。

關(guān)鍵詞：微電子器件；封裝；可靠性

中圖分類號：TN405文獻(xiàn)標(biāo)志碼：ADOI編碼：10.3969/j.issn.1674-4977.2025.01.047

0引言

微電子器件的封裝不僅保護(hù)器件免受物理損害，還確保了電氣連接的穩(wěn)定性。然而，隨著器件尺寸的減小和集成度的提高，封裝過程中可能出現(xiàn)的問題也越來越復(fù)雜。因此，對封裝可靠性的研究顯得尤為重要。本文將重點(diǎn)關(guān)注幾種塑封封裝的優(yōu)缺點(diǎn)比較，以及如何通過一系列封裝可靠性評估方法來考察塑封封裝的可靠性。

1主流封裝技術(shù)

1.1傳統(tǒng)封裝技術(shù)（典型封裝技術(shù)）

1.1.1雙列直插式封裝（DIP）

雙列直插式封裝是一種簡單的封裝技術(shù)，多數(shù)中小規(guī)模的集成電路均會(huì)使用這種封裝，而且這種封裝的引腳數(shù)一般不超過100。其可以插在具有雙列直插結(jié)構(gòu)的芯片插座和焊接在焊孔數(shù)與幾何排列相同的電路板上，插拔一定要小心防止引腳損壞。這種封裝結(jié)構(gòu)形式有多層陶瓷雙列直插式DIP，單層陶瓷雙列直插式DIP，引線架DIP等，特點(diǎn)在于對于PCB上的穿孔、焊接特別方便，且其體積因封裝面積和芯片面積比值大而較大。1.1.2四邊扁平封裝（QFP）

四角扁平封裝為了解決在不大幅度擴(kuò)大芯片面積的基礎(chǔ)上提高芯片的引出端數(shù)目（輸入、輸出）四邊扁平封裝的概念便應(yīng)運(yùn)而生，一般可達(dá)到44～208個(gè)腳，有的甚至可達(dá)到304個(gè)腳。多用于微處理器、通信芯片等復(fù)雜芯片。這種封裝的引腳間距很小且引線很細(xì)，QFP形式上多為正方形，引腳分布在四周且呈海鷗翼（L）形?；挠刑沾伞⒔饘俸退芰?。引腳中心距有1.0、0.8、0.65、0.5、0.4、0.3 mm等規(guī)格。四角扁平封裝的特點(diǎn)有以下幾種：

1）適用于表面貼裝器件安裝技術(shù)在PCB上安裝布線。

2）更加適合高頻情況下使用。

3）可靠性高且操作便捷。

4）芯片與封裝的面積之比較小。

1.1.3球柵陣列封裝（BGA）

球柵陣列封裝是在基板的反面制有球形觸點(diǎn)陣列引腳，而IC芯片位于基板的正面，BGA芯片與引腳端在基板同一側(cè)，是多引腳大規(guī)模集成電路芯片封裝用的一種表面貼裝型技術(shù)。優(yōu)點(diǎn)：互聯(lián)長度縮短使得封裝性能得到進(jìn)一步提升，互聯(lián)所占的板面積小，最大程度利用基板空間，并且I/O間距也要求不嚴(yán)，能高效地進(jìn)行信號屏蔽和功率分配。其特點(diǎn)如下：

1）提高了成品率。

2）BGA焊點(diǎn)的中心距一般為1.27 mm，可以利用現(xiàn)有的SMT工藝設(shè)備實(shí)現(xiàn)相對于引腳中心距只有0.3 mm的QFP封裝需要很精密的安放設(shè)備以及完全不同的焊接工藝。

3）改進(jìn)了器件引腳數(shù)和本體尺寸。

4）極大地提高了共面問題，減少了共面損壞。

5）外引線相對于QFP來說更加牢固，很難變形。

6）外引線短，信號路徑短，減小了引線上的電感電容，增加了節(jié)點(diǎn)性能。

7）球形外引線形狀有助于熱量散發(fā)。

8）BGA適合MCM的封裝需要，有利于實(shí)現(xiàn)MCM的高密度、高性能。

1.2先進(jìn)封裝技術(shù)

1.2.1芯片尺寸封裝（CSP封裝）

這種封裝結(jié)構(gòu)可以達(dá)到芯片面積/封裝面積為1∶1.1，也就是裸芯片的面積只比封裝外形尺寸小，這種新的封裝形式被命名為Chip Size Package/Chip Scale Package。這種封裝的特點(diǎn)如下：

1）滿足了LSI芯片引腳不斷增加的需要。

2）解決了集成電路裸芯片不能進(jìn)行交流參數(shù)和老化篩選的問題。

3）封裝面積縮小到BGA（Ball Grid Array，球柵陣列封裝）的1/10～1/4，延遲時(shí)間縮小到極短。

1.2.2硅片級芯片尺寸封裝（WLCSP）

常見的CSP封裝都是將硅片切割為單個(gè)IC芯片后再進(jìn)行后道封裝工藝，而WLCSP多數(shù)工藝步驟都是在完成前道工序的硅片上完成，最終將硅片直接切割成分離的獨(dú)立器件。這種封裝除了具備CSP的所有優(yōu)點(diǎn)之外，還有獨(dú)特的優(yōu)勢：

1）可以多個(gè)硅片同時(shí)加工，封裝加工效率很高。

2）具有倒裝芯片封裝的輕、薄、短、小的優(yōu)點(diǎn)。

3）與前道工序相比較，只是增加了引腳重新布線和凸點(diǎn)制作兩道工序，其余全部都是傳統(tǒng)工藝。

4）減少了傳統(tǒng)封裝中的多次測試。

1.2.3倒裝芯片技術(shù)

這種倒裝技術(shù)是直接通過芯片上呈陣列排布的凸點(diǎn)來實(shí)現(xiàn)芯片與封裝襯底、電路板的互聯(lián)。由于芯片放置方向與常規(guī)相反，直接倒扣在封裝襯底上，也被稱作倒裝片。與常規(guī)的引線鍵合相比，由于采用了凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)，互連長度更短，伴隨的互聯(lián)線電阻、電感值更小從而封裝的電性能明顯改善。同時(shí)芯片中產(chǎn)生的熱量也可以通過焊料凸點(diǎn)直接傳輸至封裝襯底。這種封裝最主要的優(yōu)點(diǎn)是擁有更高密度的I/O數(shù)，明顯優(yōu)于TAB（載帶自動(dòng)鍵合bvcxz）和WB（引線鍵合）這兩種芯片互聯(lián)技術(shù)。

1.2.4三維（3D）封裝

3D封裝模塊是指芯片在Z方向垂直互連結(jié)構(gòu)，好比是“立體版”的樂高積木，可以像蓋樓房一樣將所有需要的功能模塊一層層地縱向疊加累積起來，這種封裝是一種晶圓對晶圓無凸起的鍵合3D IC制程技術(shù)。三維封裝技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)：

1）替代單芯片封裝，縮小了器件的重量和尺寸并且很大程度上取決于垂直互聯(lián)的密度。

2）3D封裝更有效地使用了硅片有效區(qū)域，硅片效率相比較其他2D封裝技術(shù)，其硅片效率超過了100%。

3）3D技術(shù)由于電子元器件相互間非常的靠近，信號在系統(tǒng)功能電路之間傳輸所需要的時(shí)間比2D結(jié)構(gòu)更短，并且縮短互連長度降低了互連伴隨的寄生電容和電感，也是縮短了信號延遲的原因。

4）由于縮短了互連長度，3D封裝降低了互連伴隨的寄生性，對于同等數(shù)目的互聯(lián)，其反射噪聲、串?dāng)_噪聲、同步噪聲都會(huì)被減小。

5）對于功耗而言，由于寄生電容和互聯(lián)長度成比例，因此3D封裝降低了寄生性，相應(yīng)的功耗也會(huì)降下來。

6）從速度方面來看，3D技術(shù)節(jié)約的功率可以在不增加功耗的基礎(chǔ)上提高每秒的轉(zhuǎn)換速度（頻率）從而使得總的系統(tǒng)性能得以提高。

7）3D封裝使得互聯(lián)帶寬更大，在通信系統(tǒng)中降低延遲。

2加速電子封裝失效的因素

2.1熱應(yīng)力

封裝材料和元件在溫度變化下的熱膨脹系數(shù)差異導(dǎo)致的熱應(yīng)力是電子封裝失效的主要原因之一。高溫工作環(huán)境、快速熱循環(huán)或不良的熱管理設(shè)計(jì)都可能加劇熱應(yīng)力，導(dǎo)致裂紋、分層或焊點(diǎn)斷裂。

2.2機(jī)械應(yīng)力

裝配、運(yùn)輸和使用過程中的機(jī)械沖擊、振動(dòng)或壓力可能引起封裝材料的變形和損壞，如芯片移位、封裝殼體破裂等。

2.3電氣應(yīng)力

過高的電壓或電流可能導(dǎo)致電弧放電、擊穿或熱失控，進(jìn)而引起封裝材料的燒損、絕緣材料的擊穿或元件的過熱。

2.4腐蝕

環(huán)境中的濕度、化學(xué)物質(zhì)和溫度變化可能導(dǎo)致封裝材料的腐蝕，如金屬導(dǎo)線的氧化、有機(jī)材料的水解等，這會(huì)削弱封裝的電氣性能和機(jī)械強(qiáng)度。

2.5制造缺陷

生產(chǎn)過程中的不完美，如焊接缺陷、封裝材料的不均勻性、氣泡或夾雜物等，都可能成為潛在的失效源。

2.6使用條件

超出設(shè)計(jì)規(guī)范的使用條件，如過高的工作溫度、濕度、電壓或電流，以及惡劣的環(huán)境條件（如鹽霧、高溫高濕等），都可能加速封裝的老化和失效。

2.7時(shí)間依賴性

隨著時(shí)間的推移，封裝材料可能因熱老化、電遷移、材料疲勞等原因逐漸退化，最終導(dǎo)致失效。

2.8設(shè)計(jì)不當(dāng)

如散熱通道設(shè)計(jì)不合理、封裝結(jié)構(gòu)強(qiáng)度不足或電氣隔離不良等，都可能降低封裝的可靠性。

了解和控制這些失效因素對于提高電子封裝的可靠性至關(guān)重要。通過優(yōu)化設(shè)計(jì)、選用合適的材料、改善制造工藝和嚴(yán)格的質(zhì)量控制，可以顯著延長電子封裝的使用壽命。

3封裝可靠性評估方法

3.1加速壽命測試（Accelerated Life Testing，ALT）

這是一種用于評估產(chǎn)品在極端條件下的可靠性和壽命的測試方法。該方法通過模擬產(chǎn)品在高溫、高濕、高壓、高電壓等惡劣環(huán)境下的工作狀態(tài)，加速產(chǎn)品老化過程，從而在較短的時(shí)間內(nèi)預(yù)測其在正常使用條件下的預(yù)期壽命。加速壽命測試對于產(chǎn)品研發(fā)、質(zhì)量控制和可靠性評估具有重要意義，它可以幫助制造商預(yù)測產(chǎn)品在實(shí)際使用中的表現(xiàn)，優(yōu)化產(chǎn)品設(shè)計(jì)，降低故障率，延長產(chǎn)品壽命。同時(shí)，ALT還可以用于比較不同產(chǎn)品或材料的耐久性，為產(chǎn)品選型和采購提供科學(xué)依據(jù)。

3.2環(huán)境應(yīng)力篩選（ESS）

環(huán)境應(yīng)力篩選（Environmental Stress Screening，ESS）是一項(xiàng)關(guān)鍵的質(zhì)量控制程序，旨在通過模擬極端環(huán)境條件來加速識別和排除電子組件及系統(tǒng)中的潛在缺陷。該程序基于對產(chǎn)品預(yù)期使用環(huán)境的深入理解，結(jié)合統(tǒng)計(jì)過程控制（SPC）原理，精心設(shè)計(jì)篩選參數(shù)，以確保樣本集的代表性和篩查過程的有效性。在實(shí)施ESS時(shí)，首先從生產(chǎn)批次中嚴(yán)格按照預(yù)定抽樣計(jì)劃選取測試樣品，隨后在控制環(huán)境中對這些樣品施加一系列預(yù)定義的環(huán)境應(yīng)力，包括但不限于溫度循環(huán)、振動(dòng)、濕度沖擊等。這些應(yīng)力條件旨在觸發(fā)那些可能在正常使用條件下潛伏較長時(shí)間的早期故障模式。測試期間，采用先進(jìn)的監(jiān)測設(shè)備實(shí)時(shí)記錄關(guān)鍵性能參數(shù)，如溫度變化、信號完整性等，同時(shí)利用圖像分析技術(shù)捕捉樣品表面的微觀變化。所有數(shù)據(jù)均按照國際標(biāo)準(zhǔn)化組織（ISO）和美國國防部（DoD）等相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行記錄和分析。數(shù)據(jù)分析階段采用高級統(tǒng)計(jì)方法，如威布爾分布分析和累積故障概率分析，以量化產(chǎn)品的可靠性表現(xiàn)。通過對比測試前后的性能數(shù)據(jù)，可以識別出那些由于制造缺陷、材料疲勞或設(shè)計(jì)不當(dāng)而導(dǎo)致的潛在故障點(diǎn)?；诜治鼋Y(jié)果，ESS過程不僅能夠識別出需要維修或更換的個(gè)體樣品，還能為產(chǎn)品設(shè)計(jì)改進(jìn)提供科學(xué)依據(jù)，從而優(yōu)化生產(chǎn)流程，提高產(chǎn)品的整體可靠性。此外，ESS對于滿足嚴(yán)格的軍事和航空航天標(biāo)準(zhǔn)尤為關(guān)鍵，有助于確保關(guān)鍵系統(tǒng)在極端環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行。

3.3電學(xué)參數(shù)與機(jī)械性能測試

通過測量器件的電氣與機(jī)械參數(shù)來評估封裝對器件性能的影響。例如，熱阻/擴(kuò)散系數(shù)決定器件熱管理的好壞，過高/低均影響性能；通過介電常數(shù)/損耗可以反映信號是否完整，過高/大可導(dǎo)致信號衰減；寄生電容/電感影響高頻響應(yīng)，過大可引起信號反射/延遲；泄漏電流過大說明絕緣性能，關(guān)系到穩(wěn)定性；機(jī)械強(qiáng)度/耐久性可確保封裝在各種各樣條件下的穩(wěn)定性，不足可導(dǎo)致破裂或變形。通過上述參數(shù)的測量和評估可為器件的設(shè)計(jì)、制造和應(yīng)用提供重要參考，同時(shí)針對評估結(jié)果可以對封裝材料和結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化與改進(jìn)，提高器件的性能和可靠性。

3.4可靠性模型建立

基于大量實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，建立可靠性模型，預(yù)測器件在特定條件下的失效概率和壽命。常見的可靠性建模有：

1）統(tǒng)計(jì)分析。收集失效數(shù)據(jù)，建立概率分布模型，如威布爾分布，對數(shù)正態(tài)分布等。

2）物理模型。結(jié)合物理失效機(jī)制，如熱循環(huán)、電遷移、應(yīng)力腐蝕等，描述失效過程。

3）加速壽命測試。在高于正常工作條件下進(jìn)行測試，通過Arrhenius方程等關(guān)聯(lián)加速因子與實(shí)際壽命。

4）蒙特卡洛模擬。采用隨機(jī)抽樣技術(shù)模擬失效過程，評估失效概率和壽命分布。

可靠性建模是確保器件長期穩(wěn)定運(yùn)行的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，通過建立準(zhǔn)確的預(yù)測模型，可以有效指導(dǎo)產(chǎn)品設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和維護(hù)，降低故障率，提高用戶滿意度。

4結(jié)束語

本文通過對比不同的電子封裝類型，得出了不同封裝技術(shù)的可靠性表現(xiàn)。結(jié)果表明，先進(jìn)封裝技術(shù)在提高器件集成度和性能方面具有優(yōu)勢，但同時(shí)也需要解決相關(guān)的可靠性問題。隨著新材料和新工藝的不斷涌現(xiàn)，未來的封裝技術(shù)有望實(shí)現(xiàn)更高的可靠性和更廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。同時(shí)，跨學(xué)科的合作研究將有助于推動(dòng)封裝技術(shù)的創(chuàng)新和發(fā)展。

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作者簡介

秦紹文，男，1995年出生，助理工程師，學(xué)士，研究方向?yàn)槲㈦娮悠骷煽啃詸z測。

（編輯：劉一童，收稿日期：2024-06-05）