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        高功率密度雙輸出航空地面電源設(shè)計(jì)

        2025-01-27 00:00:00鄒家祥苗春存吳江雪于何梓君
        機(jī)電信息 2025年2期

        摘 要:航空地面電源用于啟動(dòng)與檢查飛機(jī)及機(jī)載設(shè)備,是飛機(jī)必備的地面保障設(shè)備。為了實(shí)現(xiàn)飛機(jī)地面電源保障設(shè)備的小型化,基于多機(jī)種保障考慮,選用寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅(SiC)材料,以DSP+ARM為雙核全數(shù)字控制器,采用電流/電壓雙閉環(huán)PI算法控制,使用12脈波變壓整流器將輸入的市電變換為平穩(wěn)的直流電,基于空間矢量脈寬調(diào)制SVPWM原理設(shè)計(jì)組合式單相全橋逆變電路,將直流電變換為低諧波高頻交流電,通過(guò)變壓整流濾波最終實(shí)現(xiàn)AC115 V/400 Hz和DC28 V電源雙輸出,提高了飛機(jī)地面電源保障的便捷性與靈活性。

        關(guān)鍵詞:航空地面電源;多機(jī)種;雙輸出

        中圖分類號(hào):V351.31""" 文獻(xiàn)標(biāo)志碼:A""" 文章編號(hào):1671-0797(2025)02-0030-05

        DOI:10.19514/j.cnki.cn32-1628/tm.2025.02.008

        0""" 引言

        航空地面電源是用于飛機(jī)地面通電檢查及日常維護(hù)的重要設(shè)備。近年來(lái),隨著飛機(jī)多電技術(shù)快速發(fā)展,飛機(jī)數(shù)量激增,飛機(jī)所需地面電源種類越來(lái)越豐富,保障規(guī)模日益擴(kuò)大,保障任務(wù)日趨繁重,這就對(duì)航空地面電源保障裝備的小型化、功能多樣化等方面提出了新的要求?;谝陨弦?,高功率密度、多輸出保障一體化已經(jīng)成為航空地面電源的發(fā)展趨勢(shì)。

        目前,航空地面電源主要分為航空電源車、靜變電源兩類。其中傳統(tǒng)的電源車體積大、能耗高、噪聲與大氣污染重、供電品質(zhì)低,再加上20世紀(jì)70年代以來(lái)電力電子技術(shù)飛速發(fā)展,電源車有逐步被靜變電源取代的趨勢(shì)[1]。靜變電源綜合功率半導(dǎo)體器件與現(xiàn)代控制技術(shù),通過(guò)變流將工頻電源變換為飛機(jī)所需要的電源,通??芍糜陲w機(jī)機(jī)位附近,能夠縮短供電準(zhǔn)備時(shí)間,提高保障可靠性,減輕航空保障任務(wù)。但現(xiàn)有的靜變電源大多只能輸出單一類型電源,無(wú)法實(shí)現(xiàn)多機(jī)種綜合保障。

        當(dāng)前,靜變電源多采用第二代絕緣柵雙極晶體管(IGBT)功率半導(dǎo)體器件,隨著高功率密度第三代功率器件材料的發(fā)展,以碳化硅(SiC)為代表的寬禁帶材料為靜變電源在提升功率密度、促進(jìn)小型化方面提供了創(chuàng)新突破的技術(shù)條件。同時(shí),當(dāng)前飛機(jī)地面保障設(shè)備種類、數(shù)量繁多,地面電源的小型化對(duì)航空地面保障便捷性、靈活性有重要意義。因此,本文提出了一種高功率密度交直流多輸出AC115 V/400 Hz和DC28 V的航空地面電源設(shè)計(jì)。

        1""" 總體設(shè)計(jì)

        本航空地面電源總體設(shè)計(jì)方案原理如圖1所示,AC115 V/400 Hz和DC28 V為兩套基本原理相似的獨(dú)立系統(tǒng)。兩套系統(tǒng)主拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)均采用交—直—交模式,如圖2所示。前級(jí)輸入整流電路采用12脈波變壓整流器,后級(jí)逆變部分采用SVPWM組合式單相全橋逆變電路,功率開關(guān)采用碳化硅(SiC)器件,通過(guò)變壓器變換至合適的電壓并濾波后輸出。交流與直流輸出系統(tǒng)均基于電流/電壓雙閉環(huán)PI算法,采用DSP+ARM雙核全數(shù)字控制器。

        然而,供電種類與系統(tǒng)的增加提升了控制系統(tǒng)的復(fù)雜度,同時(shí)如何減小設(shè)備體積質(zhì)量并保證供電品質(zhì)與可靠性成為設(shè)計(jì)難點(diǎn)。選擇合適的功率開關(guān)器件是提升電源功率密度的核心要素,在功率電源設(shè)計(jì)中,功率開關(guān)器件的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗是制約電源體積、導(dǎo)致電路發(fā)熱的主要因素之一,且工作頻率越高,開關(guān)損耗越大。

        以碳化硅(SiC)為代表的寬禁帶材料被譽(yù)為第三代功率器件材料,具有耐高壓、易散熱、導(dǎo)通與開關(guān)損耗低等傳統(tǒng)Si功率半導(dǎo)體器件無(wú)法比擬的特性,減小了電力電子設(shè)備在高溫、高功率、高壓等惡劣工況下的設(shè)計(jì)難度。相比目前通用硅型功率器件(IGBT),2009年三菱電機(jī)研發(fā)的11 kW SiC功率變換器,功率損耗下降70%,同時(shí)SiC封裝尺寸更小,設(shè)備功率密度顯著提升[2]。本文根據(jù)高功率密度設(shè)計(jì)要求,逆變器中的核心開關(guān)器件均選用SiC MOSFET。

        2""" 12脈波變壓整流器

        50 Hz交流市電經(jīng)輸入濾波后,先由12脈波變壓器移相[3],再經(jīng)整流器分別整流并聯(lián)輸出,可減少電源對(duì)電網(wǎng)污染/畸變的影響,輸出更為平穩(wěn)的直流電。整流器由Y/Y/△型隔離變壓器、三相半控整流橋電路、平衡電抗器、濾波電容等組成,開關(guān)器件選用可控硅晶閘管,如圖3所示。

        隔離變壓器原邊的三個(gè)單相繞組互相獨(dú)立,副邊繞組分別采用星形和三角形連接,星形與三角形連接繞組匝數(shù)比為1:1: ,星形輸出電壓相位與原邊相同,三角形輸出電壓相位與原邊相差30°。在啟動(dòng)時(shí),通過(guò)調(diào)節(jié)晶閘管出發(fā)角α,逐漸增大輸出整流電壓,減小電流沖擊,實(shí)現(xiàn)軟啟動(dòng)。平衡電抗器可吸收并聯(lián)兩路整流器的瞬時(shí)電壓差,保證兩路整流橋可以獨(dú)立工作,使輸入電流波形在一個(gè)周期內(nèi)為12階梯波,輸出電壓推導(dǎo)原理如下:

        假設(shè)輸入三相電壓Vs為:

        Vs=VaVbVc= V0sin(ωt)sin(ωt-2π/3)sin(ωt+2π/3)

        式中:Va、Vb、Vc為各相電壓;V0為各相電壓的有效值;ω為輸入電壓的角頻率;t為時(shí)間。

        三相晶閘管開關(guān)函數(shù)Sv為:

        Sv(ωt)=[Sa(ωt),Sb(ωt),Sc(ωt)]

        α為導(dǎo)通角,各相晶閘管開關(guān)函數(shù)Sa(ωt),Sb(ωt),Sc(ωt)分別為:

        Sa(ωt)=+1, α+π/6≤ωt≤α+5π/6,-1, α+7π/6≤ωt≤α+11π/6,0," 其他

        Sb(ωt)=Sa(ωt-2π/3)

        Sc(ωt)=Sa(ωt+2π/3)

        調(diào)制直流輸出電壓Vd:

        Vd=Sv(ωt)·Vs

        假設(shè)α=0,則星形與三角形副邊繞組輸出整流波形每隔π/3周期重復(fù)1次,在一個(gè)工頻周期內(nèi)各脈動(dòng)6次,星形輸出電壓Vd1、三角形輸出電壓Vd2時(shí)域表達(dá)式為:

        Vd1(ωt)= V0[sin(ωt)-sin(ωt-2π/3)]

        = V0sin(ωt+π/6),ωt∈[π/6,π/2]

        Vd2(ωt)=Vd1(ωt-π/6)

        = V0sin(ωt),ωt∈[π/3,2π/3]

        當(dāng)兩組三相整流橋經(jīng)平衡電抗器并聯(lián)后,輸出電壓Vdc時(shí)域函數(shù)為:

        Vdc= (Vd1+Vd2)= V[sin(ωt+π/6)+sin(ωt)],

        ωt∈[π/3,π/2]

        經(jīng)傅里葉分解后:

        Vdc(wt)= V0- V0 cos(12wt)+…-

        V0 cos(12nwt),n=2,3,4,…

        因此,本文整流變壓器在單個(gè)工頻周期內(nèi)輸出脈動(dòng)次數(shù)可達(dá)12次,理想情況下,輸出電流僅含12n±1次諧波,輸入電流總畸變率(THD)為15.22%。

        3""" 逆變電路

        逆變器是靜變電源的關(guān)鍵技術(shù),決定輸出電能質(zhì)量。由于飛機(jī)負(fù)載常為三相不平衡的阻感性負(fù)載,且航空電源容量大,逆變部分開關(guān)管頻率高、電流大,因此選擇合適的逆變器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)十分重要。

        3.1""" 組合式多相逆變電路

        對(duì)于115 V模塊,需考慮提高對(duì)不平衡負(fù)載的適應(yīng)能力,對(duì)于28 V模塊,需考慮低壓大電流輸出的穩(wěn)定性與安全性,因此本文采用基于SVPWM的組合式單相逆變器[4]。115 V模塊由3個(gè)獨(dú)立且隔離的單相逆變器組成,級(jí)聯(lián)變壓器濾波輸出,如圖4所示。28 V直流模塊由4個(gè)單相逆變器組成,級(jí)聯(lián)變壓器整流濾波并聯(lián)輸出,如圖5所示,均采用SVPWM調(diào)制方法。

        3.2""" 單相SVPWM原理

        SVPWM主要原理是以三相對(duì)稱正弦波電壓供電時(shí)三相對(duì)稱電動(dòng)機(jī)定子理想磁鏈圓為參考,依據(jù)電機(jī)磁鏈和電壓關(guān)系,在一個(gè)開關(guān)周期內(nèi),通過(guò)對(duì)基本電壓矢量組合合成給定參考電壓矢量,建立三相全橋逆變電路中功率開關(guān)器件的導(dǎo)通狀態(tài),形成PWM波,具有直流電壓利用率高、開關(guān)損耗小、輸出諧波小等優(yōu)點(diǎn)[5-6]。

        基于三相SVPWM原理與優(yōu)點(diǎn),發(fā)展出單相SVPWM。在單相全橋逆變電路中,每個(gè)橋臂的開關(guān)狀態(tài)以Si表示,Si=1代表上管導(dǎo)通下管關(guān)斷,0則相反。功率開關(guān)管共有4種工作狀態(tài),可輸出4種基本電壓空間矢量,如表1所示。空間矢量圖如圖6所示,主要由兩個(gè)非零矢量和兩個(gè)零矢量構(gòu)成。

        根據(jù)PWM算法的伏秒平衡原則,通過(guò)控制基本電壓空間矢量作用時(shí)間,可得到參考電壓矢量Vr。其中,非零矢量作用的時(shí)間用零矢量填充,非零矢量作用時(shí)間為Tk,零矢量作用時(shí)間為T0,SVPWM調(diào)制周期為Ts,參考電壓矢量Vr表達(dá)式為:

        Vr= Vk+ V4(V3),Tk= Ts,"""""""""""""" k=1,2T0=Ts-Tk

        4""" 控制系統(tǒng)

        控制電路采用DSP+ARM雙核全數(shù)字控制,具有兩套獨(dú)立的控制電路分別控制115 V交流與28 V直流輸出,具有運(yùn)算能力強(qiáng)、速度快和任務(wù)調(diào)度能力強(qiáng)的優(yōu)點(diǎn)。DSP用于對(duì)電壓、電流等實(shí)時(shí)調(diào)控、高速測(cè)量及參數(shù)計(jì)算,可產(chǎn)生SVPWM波形控制SiC MOSFET。ARM處理器用于I/O控制、參數(shù)監(jiān)視、顯示器/按鍵與外部通信。雙核控制系統(tǒng)實(shí)時(shí)監(jiān)控設(shè)備電流、電壓以及溫度等參數(shù),具有開機(jī)自檢、故障診斷與豐富的保護(hù)功能,如輸入過(guò)壓、欠壓、相序保護(hù),逆變器故障保護(hù),直流母線過(guò)壓保護(hù),變壓器過(guò)溫保護(hù),輸出過(guò)壓、欠壓、過(guò)流保護(hù)等。電源一旦出現(xiàn)故障,立即進(jìn)入保護(hù)狀態(tài),并記錄當(dāng)前故障,便于維修查詢。

        由于飛機(jī)負(fù)載是不平衡且不固定的動(dòng)態(tài)負(fù)載,且需抑制電路本身諧波含量,本電源在控制上采用電壓外環(huán)、電流內(nèi)環(huán)的雙閉環(huán)PI控制算法[7],如圖7所示。其中,PI調(diào)節(jié)器中比例環(huán)節(jié)負(fù)責(zé)加快系統(tǒng)響應(yīng)速度,積分環(huán)節(jié)用于消除穩(wěn)態(tài)誤差,使系統(tǒng)具有更好的靜態(tài)特性。電壓外環(huán)部分將輸出反饋電壓Uf與基準(zhǔn)參考正弦電壓Uref進(jìn)行對(duì)比,差值經(jīng)過(guò)電壓PI調(diào)節(jié)器運(yùn)算,得到電流基準(zhǔn)值Ig。電流內(nèi)環(huán)部分進(jìn)一步將Ig與負(fù)載反饋電流If對(duì)比,差值經(jīng)過(guò)電流PI調(diào)節(jié)器運(yùn)算,運(yùn)算結(jié)果送入SVPWM控制環(huán)節(jié),調(diào)整功率開關(guān)導(dǎo)通時(shí)間,從而實(shí)現(xiàn)輸出電壓穩(wěn)定控制。

        在本控制方法下,當(dāng)電壓發(fā)生變化時(shí)輸出電流隨之變化,電流內(nèi)環(huán)會(huì)抑制電壓變化,從而減小電壓波動(dòng),節(jié)約電壓調(diào)節(jié)時(shí)間,加快系統(tǒng)響應(yīng)速度。

        5""" 結(jié)束語(yǔ)

        本文以保障功能齊全豐富、多機(jī)種保障、小型便捷等為出發(fā)點(diǎn),引入高功率密度的SiC MOSFET功率開關(guān)器件,設(shè)計(jì)基于SVPWM組合式單相全橋逆變器,采用DSP+ARM雙核全數(shù)字控制器,實(shí)現(xiàn)一種高功率密度、AC115 V/400 Hz和DC28 V雙路輸出的航空地面電源的設(shè)計(jì),可同時(shí)保障飛機(jī)交直流供電任務(wù),提升保障效率,節(jié)約保障成本。

        [參考文獻(xiàn)]

        [1] 丁予.飛機(jī)直線加電系統(tǒng)及其關(guān)鍵技術(shù)研究[D].南京:南京航空航天大學(xué),2013.

        [2] 王學(xué)梅.寬禁帶碳化硅功率器件在電動(dòng)汽車中的研究與應(yīng)用[J].中國(guó)電機(jī)工程學(xué)報(bào),2014,34(3):371-379.

        [3] 高朝暉,張曉斌,劉敏.帶均衡電抗器12脈波變壓整流器仿真模型的研究[J].系統(tǒng)仿真學(xué)報(bào),2006,18(7):1976-1979.

        [4] 裴雪軍,劉明先,康勇.組合式三相逆變器并聯(lián)控制技術(shù)研究[J].電力電子技術(shù),2012,46(1):99-101.

        [5] 吳立業(yè).基于SiC MOSFET與單相SVPWM技術(shù)的高頻逆變電源研究[D].濟(jì)南:山東大學(xué),2020.

        [6] 高搖光.單、三相逆變器SVPWM的新方案研究[D].濟(jì)南:山東大學(xué),2010.

        [7] 汪浩洋.基于DSP的5KVA變頻電源研制[D].北京:北京交通大學(xué),2010.

        收稿日期:2024-09-12

        作者簡(jiǎn)介:鄒家祥(1974—),男,江蘇揚(yáng)州人,碩士,高級(jí)工程師,研究方向:航空地面保障裝設(shè)備。

        通信作者:苗春存(1987—),男,山東滕州人,碩士,高級(jí)工程師,研究方向:航空地面保障裝設(shè)備。

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