司鑫陽 徐 鳴 王文豪 常家豪 王鋮杰

弱光觸發(fā)下GaAs光電導(dǎo)開關(guān)的載流子輸運(yùn)和熱失效機(jī)制

司鑫陽 徐 鳴 王文豪 常家豪 王鋮杰

（西安理工大學(xué)應(yīng)用物理系 西安 710048）

弱光觸發(fā)下高倍增砷化鎵光電導(dǎo)開關(guān)（GaAs PCSS）內(nèi)以絲狀電流為表現(xiàn)形式的載流子輸運(yùn)機(jī)制對其瞬態(tài)工作特性和壽命研究有重要意義。該文基于有限元方法構(gòu)建了GaAs PCSS的物理模型，結(jié)合絲狀電流的生熱機(jī)制對1.5 μJ弱光觸發(fā)下開關(guān)的瞬態(tài)輸出電流和晶格溫度進(jìn)行了仿真分析，考察了偏置電場對GaAs PCSS輸出特性的影響。通過不同時(shí)刻開關(guān)內(nèi)部的瞬態(tài)電場、電子濃度和晶格溫度等方面研究了高倍增模式下GaAs PCSS的光生載流子輸運(yùn)過程和損傷機(jī)理。結(jié)果表明，高密度絲狀電流的存在伴隨于高場疇的產(chǎn)生和發(fā)展。開關(guān)內(nèi)部電場越高，負(fù)微分效應(yīng)引起的載流子聚束現(xiàn)象越明顯，相應(yīng)的電子濃度和晶格溫度值也越高；在濃度達(dá)1017cm-3數(shù)量級(jí)的等離子體通道中，陽極附近電場強(qiáng)度和晶格溫度最大值分別為220 kV/cm和821.92 K。

GaAs光電導(dǎo)開關(guān) 高倍增模式 絲狀電流 輸運(yùn)機(jī)制

0 引言

砷化鎵光電導(dǎo)開關(guān)（Gallium Arsenide Photo-Conductive Semiconductor Switch, GaAs PCSS）是一種集激光技術(shù)和半導(dǎo)體技術(shù)于一體的超快光電器件，具有功率密度高、響應(yīng)速度快、觸發(fā)抖動(dòng)低、抗電磁干擾能力強(qiáng)、體積小、易集成等優(yōu)點(diǎn)，在兼顧輸出電脈沖的重復(fù)頻率和功率兩方面有不可替代的優(yōu)勢[1-8]。GaAs PCSS有兩種工作模式，分別是線性模式和高倍增模式[9-10]。相比于線性模式下每吸收一個(gè)光子產(chǎn)生一個(gè)電子-空穴對，高倍增模式下每吸收一個(gè)光子可產(chǎn)生103～105個(gè)電子-空穴對，所需光能要低3～5個(gè)數(shù)量級(jí)。因此，可以用激光二極管代替價(jià)格昂貴、體積龐大的固體激光器，實(shí)現(xiàn)脈沖功率系統(tǒng)的小型化[11-12]。然而，弱光觸發(fā)下的高倍增GaAs PCSS導(dǎo)通過程中往往會(huì)伴隨著高密度絲狀電流的出現(xiàn)，從而產(chǎn)生大量焦耳熱，而溫度過高又會(huì)發(fā)生電流集中和電場畸變現(xiàn)象，最終導(dǎo)致開關(guān)的擊穿[13-14]。因此，在弱光、強(qiáng)場的高倍增模式下對于GaAs PCSS瞬態(tài)特性的研究應(yīng)該考慮生熱過程的影響。開關(guān)內(nèi)部的晶格溫度與碰撞電離速率和電場強(qiáng)度相關(guān)，其分布可以預(yù)測熱擊穿發(fā)生的位置[15-18]。

目前通過調(diào)控GaAs PCSS內(nèi)部絲狀電流的產(chǎn)生和發(fā)展來提高其穩(wěn)定性和壽命已經(jīng)有一些報(bào)道。1990年，研究者通過紅外猝滅的方法減小高倍增模式下波形鎖定的時(shí)間，從而達(dá)到降低絲狀電流對開關(guān)損傷的目的，但這種方法會(huì)增加光路系統(tǒng)的復(fù)雜性[19]。此外，設(shè)計(jì)視距透鏡陣列和均勻光照屏蔽的PCSS能產(chǎn)生多條電流絲（約100條電流絲）[20]，在歐姆接觸之間增加n型摻雜層也可以在一定程度上緩解電流的聚集[21]。然而，對于引發(fā)絲狀電流的光生載流子的產(chǎn)生、輸運(yùn)及成疇等內(nèi)在物理過程和相關(guān)電熱耦合效應(yīng)還未見系統(tǒng)的研究報(bào)道。

本文針對高倍增模式下GaAs PCSS的瞬態(tài)輸出特性和絲狀電流導(dǎo)致的損傷問題，結(jié)合開關(guān)內(nèi)部的生熱過程建立電極間隙為1 mm的器件模型（與文獻(xiàn)[22]中實(shí)驗(yàn)所用開關(guān)的間隙一致），考察弱光觸發(fā)下偏置電場對GaAs PCSS輸出特性的影響。在偏置電場強(qiáng)度為78 kV/cm條件下對不同時(shí)刻GaAs PCSS的瞬態(tài)特性進(jìn)行研究，分析晶格溫度影響下電場畸變與載流子的產(chǎn)生、輸運(yùn)及成疇等物理過程之間的關(guān)系。

1 GaAs PCSS物理模型構(gòu)建

電熱耦合條件下GaAs PCSS的物理模型如圖1所示。仿真中建立了一個(gè)尺寸為4 mm×0.6 mm、間隙為1 mm的共面GaAs PCSS，金屬電極與半絕緣GaAs材料之間的接觸為歐姆接觸。整個(gè)開關(guān)主要被劃分為三個(gè)區(qū)域，綠色區(qū)域?yàn)镚aAs襯底，藍(lán)色區(qū)域?yàn)殡姌O（左側(cè)為陽極，右側(cè)為陰極），其余部分均為空氣?？紤]到電極附近高場和光吸收等關(guān)鍵區(qū)域，將網(wǎng)格設(shè)置為電極附近和開關(guān)表面網(wǎng)格密度高（網(wǎng)格參數(shù)為50 μm），縱向自上而下網(wǎng)格密度逐漸減小。在模擬中采用能量為1.5 μJ、脈寬為3.5 ns的弱光對GaAs PCSS進(jìn)行觸發(fā)。建模過程中考慮強(qiáng)場下載流子碰撞電離、復(fù)合以及晶格散射等多個(gè)物理過程，結(jié)合載流子的連續(xù)性方程和漂移-擴(kuò)散方程來模擬GaAs PCSS的瞬態(tài)工作特性。

圖1 GaAs PCSS的結(jié)構(gòu)示意圖

載流子連續(xù)性方程表示為

式中，和分別為電子和空穴濃度；為單個(gè)電子的電荷量；n和p分別為電子和空穴電流密度；n和p分別為電子和空穴的碰撞電離速率；n和p分別為電子和空穴的復(fù)合速率。

考慮到高倍增模式下GaAs PCSS內(nèi)電場和熱場之間的耦合過程，漂移擴(kuò)散方程增加了載流子溫度相關(guān)項(xiàng)，表達(dá)式為

式中，n和p分別為電子和空穴的遷移率；n和p分別為電子和空穴漂移-擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)所形成電場的電場強(qiáng)度；n和p分別為電子和空穴的擴(kuò)散系數(shù)，其與晶格溫度L相關(guān)；n和p分別為電子和空穴溫度，熱邊界初始值設(shè)置為300 K。

GaAs材料具有三能谷的帶隙結(jié)構(gòu)，因此，高場下電子漂移速度與電場強(qiáng)度不再是簡單的正比關(guān)系，而是隨著電場強(qiáng)度增加呈非線性降低，并最終達(dá)到飽和。電子漂移速度與電場強(qiáng)度的關(guān)系為

空穴漂移速度與電場強(qiáng)度的關(guān)系為

式中，n0為低場下電子遷移率，n0=8 000 cm2/(V·s)；p0為低場下空穴遷移率，p0=400 cm2/(V·s)；sn和sp分別為電子和空穴的飽和漂移速度，sn= 7.7×106cm/s，sp=7.7×106cm/s；c為負(fù)微分遷移率的閾值電場強(qiáng)度，c=4 kV/cm。

Okuto-Crowell碰撞電離模型具有溫度相關(guān)系數(shù)，且適用的電場范圍為105～106V/cm[23]，因此，在高倍增GaAs PCSS的建模過程中具有明顯優(yōu)勢，其電離系數(shù)的表達(dá)式為

其中，n=0.426 V-1，n=3.05×10-4K-1，n=4.81×105V/cm，n= 6.86×10-4K-1，p=0.243 V-1，p=5.35×10-4K-1，p= 6.53×105V/cm，p=5.67×10-4K-1。

2 結(jié)果和討論

2.1 電場強(qiáng)度對GaAs PCSS輸出電流的影響

根據(jù)光電閾值條件，弱光（nJ～μJ）觸發(fā)下GaAs PCSS進(jìn)入高倍增模式時(shí)往往需要偏置更高的電場，這對開關(guān)的耐壓能力、工作穩(wěn)定性和壽命是一種挑戰(zhàn)。GaAs材料在高場下存在負(fù)微分效應(yīng)，因此，偏置電場的大小會(huì)對GaAs PCSS內(nèi)部載流子的碰撞電離、復(fù)合及散射等過程產(chǎn)生影響，從而影響輸出電流的幅值和器件內(nèi)部溫度的分布。下面在考慮開關(guān)內(nèi)部生熱機(jī)制條件下對觸發(fā)光能為1.5 μJ、電極間隙為1 mm的GaAs PCSS進(jìn)行高倍增瞬態(tài)特性研究，模擬不同偏置電場下的瞬態(tài)輸出電流和晶格溫度。

圖2為光能為1.5 μJ，偏置電場強(qiáng)度分別為60、66、70、78 kV/cm時(shí)GaAs PCSS的輸出電流波形。為直觀對比不同偏置電場下PCSS瞬態(tài)輸出電流的變化趨勢，對其進(jìn)行了歸一化處理?？煽吹?，仿真中當(dāng)觸發(fā)光能保持1.5 μJ，偏置電場強(qiáng)度從60 kV/cm增加到78 kV/cm時(shí)，對應(yīng)輸出電流波形均存在明顯的拖尾（鎖定現(xiàn)象），并且不同偏置電場下的鎖定電流幾乎為同一數(shù)值；此外，隨著偏置電場強(qiáng)度的增大，輸出電流幅值相應(yīng)升高，上升時(shí)間相應(yīng)減小。這些均與文獻(xiàn)[22]中電極間隙為1 mm的GaAs PCSS在不同偏置電場下開關(guān)輸出特性的分析一致。波形圖中的鎖定現(xiàn)象是GaAs PCSS工作在高倍增模式下的一個(gè)典型特征，這是由GaAs材料所特有的負(fù)微分效應(yīng)決定的。當(dāng)偏置電場增大時(shí)，GaAs PCSS內(nèi)的負(fù)微分效應(yīng)會(huì)更加明顯，因此，載流子的碰撞電離速率也會(huì)相應(yīng)增大，從而引起輸出電流幅值的升高。

圖2 光能為1.5 μJ、不同偏置電場下的輸出電流

2.2 電場強(qiáng)度對GaAs PCSS晶格溫度的影響

高倍增模式下，GaAs PCSS內(nèi)部絲狀電流引發(fā)的熱效應(yīng)對其瞬態(tài)特性以及表面損傷問題研究具有重要意義。圖3為光能為1.5 μJ，偏置電場強(qiáng)度分別為60、66、70、78 kV/cm時(shí)，GaAs PCSS的晶格溫度峰值隨時(shí)間的變化，仿真中熱邊界的初始值為室溫300 K不變。

結(jié)合圖2的電流波形，GaAs PCSS工作過程中器件內(nèi)部晶格溫度峰值隨時(shí)間的變化分為三個(gè)階段：電流上升階段、電流下降階段和電流鎖定階段。同時(shí)，與輸出電流波形的變化趨勢相比，晶格溫度上升速率的變化會(huì)有滯后現(xiàn)象[17]。電流上升階段，峰值溫度隨時(shí)間逐漸升高，同時(shí)偏置電場越高，峰值溫度上升速率越快；電流下降階段，不同偏置電場下的峰值溫度上升緩慢，基本保持不變；電流鎖定階段，峰值溫度也隨時(shí)間呈逐漸上升的趨勢，但其上升速率與偏置電場的大小無關(guān)。當(dāng)偏置電場強(qiáng)度從60 kV/cm增加到78 kV/cm時(shí)，對應(yīng)晶格溫度的峰值分別為604.234、678.607、730.293 K和821.92 K。晶格溫度的升高是由于載流子與晶格（電子-聲子）之間發(fā)生散射使得載流子在受到強(qiáng)電場加速的同時(shí)將動(dòng)能傳遞給晶格。因此，晶格溫度的上升速率主要與開關(guān)內(nèi)部電場強(qiáng)度的大小相關(guān)，電場強(qiáng)度越大，電子-聲子散射越強(qiáng)，晶格溫度上升速率越快。電流上升階段，碰撞電離速率遠(yuǎn)大于復(fù)合速率，載流子數(shù)目急劇增長，并且電場強(qiáng)度越大會(huì)導(dǎo)致越多的載流子將能量傳遞給晶格，晶格溫度上升越快；電流下降階段，復(fù)合速率遠(yuǎn)大于碰撞電離速率，電子-聲子散射的概率非常小，晶格溫度幾乎沒有發(fā)生改變；電流鎖定階段，偏置電場的大小對鎖定電壓沒有影響，因此，開關(guān)內(nèi)部處于同一電場強(qiáng)度，晶格溫度的上升速率也一致。

圖3 光能為1.5 μJ、不同偏置電場下的晶格溫度

Fig 3 The lattice temperatures under 1.5 μJ excitation at different bias electric fields

2.3 GaAs PCSS內(nèi)部載流子的輸運(yùn)機(jī)制

相比于線性模式，GaAs PCSS的高倍增模式能使所需觸發(fā)光能降低3～5個(gè)數(shù)量級(jí)來實(shí)現(xiàn)脈沖功率系統(tǒng)的小型化，但其鎖定現(xiàn)象通常會(huì)伴隨著高密度絲狀電流的產(chǎn)生，重復(fù)頻率觸發(fā)下連續(xù)的電流生熱問題會(huì)對開關(guān)器件造成損傷。因此，載流子的聚束輸運(yùn)和絲狀電流引發(fā)的熱效應(yīng)對GaAs PCSS的工作特性和壽命有顯著影響。

在單次觸發(fā)條件下，對觸發(fā)光能為1.5 μJ、偏置電場強(qiáng)度為78 kV/cm時(shí)GaAs PCSS的高倍增特性進(jìn)行仿真，研究其內(nèi)部光生載流子的物理過程和熱失效機(jī)制。圖4為偏置電場強(qiáng)度為78 kV/cm、=10 ns時(shí)刻GaAs PCSS的瞬態(tài)特性。如圖4a所示，電場分布呈現(xiàn)中間低、電極兩側(cè)高的特點(diǎn)，陽極附近電場強(qiáng)度最大值為186 kV/cm，陰極附近電場強(qiáng)度最大值為229 kV/cm。這是由于光注入處會(huì)產(chǎn)生大量電子-空穴對，電場作用下電子和空穴分別向兩極運(yùn)動(dòng)，形成一個(gè)與外加偏置電場反向的自建電場，從而導(dǎo)致開關(guān)內(nèi)部電場分布的不均勻。圖4b為=0.48 mm處載流子濃度分布，由于GaAs材料在870 nm的光波長下吸收深度僅為幾到幾十微米，因此，相應(yīng)的電子濃度分布于器件的表層區(qū)域。=10 ns時(shí)刻光脈沖剛結(jié)束，部分光生載流子還未漂移到兩極，電子和空穴濃度分布為中間高、電極兩側(cè)低。如圖4c和圖4d所示，碰撞電離和晶格散射過程主要發(fā)生在高場區(qū)域，因此，碰撞電離速率和晶格溫度的值在開關(guān)表層的電極高場區(qū)域相對較高；同時(shí)，由于陰極是電子注入的位置，因此，陰極附近的碰撞電離速率和晶格溫度大于陽極，碰撞電離速率和晶格溫度的最大值分別為4.2×1025cm-3?s-1和408.79 K。

圖4 偏置電場強(qiáng)度為78 kV/cm，t=10 ns時(shí)刻GaAs PCSS的瞬態(tài)特性

圖5為偏置電場強(qiáng)度為78 kV/cm、=50 ns時(shí)刻GaAs PCSS的瞬態(tài)特性。其中圖5a和圖5b分別是電場和載流子濃度分布，可見陽極附近為電場分布的高場區(qū)域，陰極附近僅有電極邊緣處電場強(qiáng)度值較高。陽極附近電場強(qiáng)度最大值為220 kV/cm，陰極附近電場強(qiáng)度最大值為284 kV/cm，而電子和空穴濃度的分布為中間低、電極兩側(cè)高（約為1017cm-3數(shù)量級(jí)）。與=10 ns時(shí)刻相比，此時(shí)GaAs PCSS的負(fù)微分效應(yīng)會(huì)使得電子在陽極附近發(fā)生聚束現(xiàn)象進(jìn)而形成高場疇，疇內(nèi)電場高于疇外電場，疇內(nèi)載流子會(huì)發(fā)生劇烈的碰撞電離，載流子數(shù)目急劇增大。隨著載流子濃度的升高，其復(fù)合效應(yīng)相應(yīng)增強(qiáng)，復(fù)合輻射的光成為新的觸發(fā)光源，在開關(guān)內(nèi)部產(chǎn)生新的高場疇，最終形成一條貫穿陰陽兩極的絲狀電流通道。圖5c和圖5d分別為=50 ns時(shí)的碰撞電離速率和晶格溫度分布。碰撞電離速率與電場強(qiáng)度、載流子濃度密切相關(guān)，陽極附近高場區(qū)域的碰撞電離速率遠(yuǎn)高于其他位置，其最大值為6.2×1022cm-3?s-1。晶格溫度分布于開關(guān)表層絲狀電流的位置，陽極附近晶格溫度最大值為821.92 K，陰極附近晶格溫度最大值為702 K（仍未達(dá)到GaAs熔點(diǎn)1 238℃[24]）。

圖5 偏置電場強(qiáng)度為78 kV/cm，t=50 ns時(shí)刻GaAs PCSS的瞬態(tài)特性

高倍增模式下開關(guān)內(nèi)部載流子的輸運(yùn)過程和損傷機(jī)理與電場、電子濃度及晶格溫度等物理量的分布和大小密切相關(guān)。為進(jìn)一步探究高倍增模式下開關(guān)的熱失效機(jī)制，基于熱擊穿方程的分析來研究電場、電子濃度和晶格溫度之間的關(guān)系。由于表面損傷過程的瞬態(tài)和絕熱性質(zhì)，熱擊穿方程可以表示為

式中，為GaAs材料的比熱容；為GaAs材料的電導(dǎo)率。等式左邊是開關(guān)芯片溫度上升所需的熱量，右邊表示開關(guān)內(nèi)部電流所產(chǎn)生的焦耳熱。電流密度可以表示為

式中，?為時(shí)間增量；為GaAs材料的密度；為GaAs PCSS體積。由式（11）可知電場強(qiáng)度、電子濃度與晶格溫度增量?L三個(gè)物理量之間成正比關(guān)系。

在=50 ns時(shí)刻，由GaAs PCSS內(nèi)部微觀物理量的瞬態(tài)分布可知，碰撞電離速率和載流子濃度較高處恰好對應(yīng)著電場強(qiáng)度和晶格溫度更高的位置，這與式（11）中分析的結(jié)論一致。實(shí)際應(yīng)用中，雖然兩電極處電流密度和載流子濃度的值在同一數(shù)量級(jí)，但是陽極接觸處的退化和損壞比陰極處更嚴(yán)重。此時(shí)，開關(guān)陽極附近存在高場疇，疇內(nèi)會(huì)發(fā)生雪崩碰撞電離產(chǎn)生大量電子-空穴對，因此，陽極附近有更多的電子將溫度傳遞給晶格造成晶格熱積累。晶格溫度的分布決定著熱擊穿發(fā)生的位置，通過晶格溫度分布可以判斷熱擊穿產(chǎn)生在開關(guān)表面，并且電極（尤其是陽極）附近最為嚴(yán)重。

3 結(jié)論

本文在考慮器件生熱的條件下對1 mm間隙GaAs PCSS的高倍增瞬態(tài)特性進(jìn)行了研究。當(dāng)偏置電場強(qiáng)度從60 kV/cm增加到78 kV/cm時(shí)，GaAs PCSS輸出電流和晶格溫度的幅值相應(yīng)升高。在偏置電場強(qiáng)度為78 kV/cm條件下，根據(jù)GaAs PCSS不同時(shí)刻的瞬態(tài)特性分析了開關(guān)內(nèi)部的多個(gè)物理過程（載流子輸運(yùn)、電場畸變以及晶格生熱等），揭示了電場、電子濃度及晶格溫度三者之間的物理關(guān)系。結(jié)果表明，在=50 ns時(shí)刻GaAs PCSS會(huì)形成一條載流子濃度達(dá)1017cm-3數(shù)量級(jí)、貫穿陰陽兩極的絲狀電流通道，陽極附近晶格溫度最高達(dá)821.92 K，陰極附近晶格溫度最高達(dá)702 K。相關(guān)研究為弱光、重復(fù)頻率工作條件下，高倍增模式GaAs PCSS內(nèi)部載流子輸運(yùn)特性和損傷機(jī)理的研究提供了理論指導(dǎo)。

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Carrier Transport and Thermal Failure Mechanism of GaAs Photoconductive Semiconductor Switch at Low Optical Excitation

Si Xinyang Xu Ming Wang Wenhao Chang Jiahao Wang Chengjie

（Applied Physics Department Xi’an University of Technology Xi’an 710048 China）

Gallium arsenide photoconductive semiconductor switch (GaAs PCSS) is one of the most promising solid-state switches with a simple structure, fast response time, low jitter, strong optical trigger isolation, and easy integration, which has a wide range of applications in terahertz technology, ultra-fast pulse sources, and high power microwave. GaAs PCSS has two operating modes: linear and high gain (HG). However, the conduction process of the HG GaAs PCSS is often accompanied by the high-density filamentary current under low optical energy (nJ-μJ), which generates a lot of Joule heat to damage device. In this paper, a two-dimensional (2D) electrothermal coupling model of GaAs PCSS is set up based on the self-heating effect, and the transient characteristics of the switch are investigated at the optical excitation of 1.5 μJ.

Firstly, the output currents of HG GaAs PCSS under different bias electric fields are investigated. The results show that the corresponding output current waveforms have obvious trailing (lock-on), and the locking currents are almost the same at the optical excitation of 1.5 μJ as the bias electric field increases from 60 kV/cm to 78 kV/cm. In addition, the output current amplitude increases and the rise time decreases accordingly with the increase of the bias electric field.

Secondly, the lattice temperatures of HG GaAs PCSS are investigated under different bias electric fields, considering the influence of the thermal field on the stability and physical process of the device. The results show that the rise of lattice temperature over time is divided into three stages combined with the current waveform, namely, the current rising stage, current descending stage and current lock-on stage. The rise rate of lattice temperature is determined by the bias electric field and the rise stage. The lattice temperature increases with the increase of the bias electric field, and the maximum lattice temperature can reach 821.92 K at the bias electric field of 78 kV/cm.

Finally, the carrier transport process and thermal failure mechanism inside the switch are investigated by the distribution of the electric field, carrier concentration, impact ionization rate, and lattice temperature under single shot conditions. At=10 ns, the high-field regions of the electric field, impact ionization rate, and lattice temperature are located near the electrodes. The values near the cathode are the maximum due to electron injection, which are 229 kV/cm, 4.2×1025cm-3?s-1, and 408.79 K, respectively. At=50 ns, the filamentary current with a carrier concentration of 1017cm-3is formed on the surface of GaAs PCSS through the anode and the cathode. The high-field regions of electric field, impact ionization rate, and lattice temperature are located near the anode, where the maximum values are 220 kV/cm, 6.2×1022cm-3?s-1, and 821.92 K, respectively. The relationship between the electric field, impact ionization rate, and lattice temperature is proven, which provides the possibility to predict the position of thermal breakdown.

The relevant research providesthe theoretical guidance for the study of carrier transport characteristic and damage mechanism of HG GaAs PCSS under the condition of high repetition rate.

GaAs photoconductive semiconductor switch, high-gain mode, filamentary current, transport mechanism

10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.230198

O473；TM564

國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目（52277164, 51877177）、陜西高校青年創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)項(xiàng)目（超快光電器件與材料）、陜西省科技計(jì)劃重點(diǎn)項(xiàng)目（2021JZ-48）和陜西省教育廳青年創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)建設(shè)項(xiàng)目（21JP085, 21JP088, 22JP058）資助。

2023-02-21

2023-04-30

司鑫陽 女，1998年生，碩士研究生，研究方向?yàn)槌旃怆妼?dǎo)器件機(jī)理分析。E-mail: 1421938064@qq.com

徐 鳴 男，1979年生，教授，博士生導(dǎo)師，研究方向超快光電導(dǎo)器件及其應(yīng)用。Email: xuming@xaut.edu.cn（通信作者）

（編輯 李 冰）