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        CSAMT 在松遼盆地梅里斯地區(qū)鈾礦勘查中的應(yīng)用

        2024-03-14 02:12:10牛禹王培建張正陽(yáng)謝明宏
        世界核地質(zhì)科學(xué) 2024年1期

        牛禹,王培建,張正陽(yáng),謝明宏

        1 核工業(yè)航測(cè)遙感中心,河北 石家莊 050002

        2 中核集團(tuán)鈾資源地球物理勘查中心(重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室),河北 石家莊 050002

        3 河北航空探測(cè)和遙感技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,河北 石家莊 050002

        鈾作為重要的核能資源,不僅為我國(guó)核電發(fā)展提供了可靠的燃料,同時(shí)還滿足了國(guó)防設(shè)施的核資源需求。因此,鈾既是能源資源,更是戰(zhàn)略資源[1-4]。有研究表明松遼盆地北部鈾礦化主要受控于上白堊紀(jì)曲流河三角洲沉積體系,主要含礦層為上白堊統(tǒng)四方臺(tái)組下段,巖性以灰綠色、灰色砂巖夾泥巖為主,其中砂巖以中粒砂巖及細(xì)粒砂巖為主[5],多呈板狀、透鏡狀。礦體規(guī)模與砂體規(guī)模、層數(shù)等密切相關(guān),砂體規(guī)模越大,礦化層越多,礦體規(guī)模越大,反之則規(guī)模越?。?]。但是,該套砂體在松遼盆地西部超覆帶內(nèi)發(fā)育情況尚不明確。

        可控源音頻大地電磁測(cè)深(CSAMT)是一種使用人工場(chǎng)源、通過(guò)改變發(fā)射頻率進(jìn)行測(cè)深的頻率域電磁勘探方法[7],在地?zé)峥辈椋?]、尋找隱伏構(gòu)造[9]及煤田采空區(qū)[10]等方面具有廣泛的應(yīng)用。近年來(lái),CSAMT 在鄂爾多斯盆地北西緣、柴達(dá)木盆地北緣和二連盆地砂巖型鈾礦勘查中,尤其是尋找砂體[11]、圈定古河道[12]等方面取得了一定應(yīng)用效果。本文即以松遼盆地梅里斯地區(qū)CSAMT 探測(cè)實(shí)例來(lái)說(shuō)明其在鈾礦勘查中的應(yīng)用效果。

        1 研究區(qū)地質(zhì)概況

        松遼盆地前中生代大地構(gòu)造為一穩(wěn)定地塊[13],其是在海西褶皺帶基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的中-新生代沉積大型陸相盆地,呈NNE 方向展布的不規(guī)則菱形[14]。盆地演化經(jīng)歷了熱隆張裂階段(AnJ3)、裂陷階段(K1)、坳陷階段(K2)以及萎縮褶皺與抬升掀斜(K2末期至古近紀(jì))等4個(gè)階段[15-16]。

        研究區(qū)位于松遼盆地西部斜坡區(qū)的西部超覆帶內(nèi)的梅里斯地區(qū)。西部斜坡區(qū)在盆地發(fā)展過(guò)程中長(zhǎng)期處于區(qū)域性單斜狀態(tài)[17],基底平緩向東傾斜,傾角較小[18]。在坳陷期,地層逐層向西超覆,基底巖性以海西期花崗巖為主[19],局部地區(qū)有上古生界和前古生界變質(zhì)巖。蓋層主要為中-新生界沉積巖(圖1),自下而上發(fā)育侏羅系、白堊系、新近系以及第四系地層[20]。其中侏羅系為地塹式沉積,白堊系自下而上發(fā)育上白堊統(tǒng)泉頭組、青山口組、姚家組、嫩江組、四方臺(tái)組和明水組,新近系主要包括大安組和泰康組,第四系主要為黃土或黑色腐殖土、灰黃色松散砂層、砂礫層等。

        上白堊統(tǒng)泉頭組(K2q)為一套暗紫、紫紅色泥巖和淺灰色、灰白色砂礫巖、粗砂巖、中砂巖、細(xì)砂巖以及粉砂巖;青山口組(K2qn)巖性為黑色、黑褐色油頁(yè)巖,灰、灰綠色、棕紅色泥巖,局部介形蟲(chóng)化石富集成層;姚家組(K2y)巖性區(qū)域上以棕紅色泥巖夾灰綠色粉砂質(zhì)泥巖為主,局部發(fā)育層狀細(xì)砂巖;嫩江組(K2n)巖性底部為厚層的砂巖、砂礫巖夾泥巖,上部為灰黑、深灰色泥頁(yè)巖。研究區(qū)找礦目標(biāo)層為上白堊統(tǒng)四方臺(tái)組(K2s)砂巖,其以粉砂巖、細(xì)砂巖和中砂巖為主,底部多為含礫砂巖。四方臺(tái)組底部的砂體粒度較大,且與嫩江組不整合接觸,因此嫩江組上部泥巖可作為鈾成礦所必須的隔水層,亦是研究區(qū)最重要的標(biāo)志層。明水組(K2m)巖性為棕紅、灰綠、灰黑、灰色泥巖、砂質(zhì)泥巖與灰綠色砂巖。

        2 數(shù)據(jù)采集與處理

        2.1 數(shù)據(jù)采集

        為查明研究區(qū)大致地層結(jié)構(gòu)、斷裂發(fā)育以及找礦目標(biāo)層四方臺(tái)組的分布情況,在研究區(qū)內(nèi)共布設(shè)CSAMT 測(cè)線3 條。測(cè)線方向123°,線距10 km,點(diǎn)距200 m(圖1),測(cè)線長(zhǎng)度共計(jì)102 km。

        CSAMT 數(shù)據(jù)采集利用GDP—32Ⅱ多功能電法儀,采用赤道偶極裝置進(jìn)行TM 模式標(biāo)量測(cè)量。發(fā)射偶極距AB=1 km,接收偶極距MN=100 m,收發(fā)距控制在3~4 km(圖2)。發(fā)射端供電電流最小為2 A,最大為10 A,發(fā)射頻率大多數(shù)介于1~8 192 Hz 之間,個(gè)別測(cè)點(diǎn)最小頻率為0.5 Hz。

        圖2 梅里斯地區(qū)CSAMT 數(shù)據(jù)采集裝置示意圖Fig. 2 Schematic diagram of CSAMT data acquisition device in Meilisi area

        2.2 數(shù)據(jù)處理

        2.2.1 數(shù)據(jù)預(yù)處理

        數(shù)據(jù)預(yù)處理包括數(shù)據(jù)剔除與靜態(tài)校正,其中數(shù)據(jù)剔除主要是剔除進(jìn)入過(guò)渡區(qū)和近區(qū)的電磁數(shù)據(jù)。CSAMT 數(shù)據(jù)進(jìn)入近區(qū)的表現(xiàn)主要有:1)磁場(chǎng)振幅達(dá)到飽和[21];2)視電阻率曲線在電阻率-頻率雙對(duì)數(shù)曲線圖上,由高頻向低頻呈45°的直線上升;3)阻抗相位接近于0 mrad?;谏鲜鎏卣鳎_定本次近區(qū)數(shù)據(jù)的最低頻率為2 Hz(圖3),局部基底凸起地段為16 Hz。

        圖3 梅里斯地區(qū)近區(qū)數(shù)據(jù)特征曲線示意圖Fig. 3 Schematic diagram of the characteristic curve of near-field data in Meilisi area

        為消除靜態(tài)效應(yīng)引起的反演電阻率剖面上虛假的陡立低阻或高阻異常,對(duì)CSAMT 數(shù)據(jù)進(jìn)行了靜態(tài)校正,校正前后的電阻率剖面分別如圖4A 和B 所示。

        圖4 梅里斯地區(qū)CSAMT 數(shù)據(jù)靜態(tài)校正前后擬斷面圖Fig. 4 The pseudosection map of CSAMT data in Meilisi area before and after static correction

        2.2.2 數(shù)據(jù)反演

        為獲得松遼盆地北部梅里斯地區(qū)的地電模型,采用Occam 算法對(duì)CSAMT 數(shù)據(jù)進(jìn)行二維反演。由于初始模型首層厚度、圓滑系數(shù)的大小將影響反演電阻率斷面的粗糙程度,同時(shí)對(duì)某些地質(zhì)信息也會(huì)造成丟失或放大,進(jìn)而影響成果資料解釋的準(zhǔn)確性。因此,將數(shù)據(jù)反演的首層厚度定為30 m,圓滑系數(shù)為0.5,層遞增系數(shù)為1.1。

        3 數(shù)據(jù)綜合解釋

        3.1 地層電阻率特征

        根據(jù)收集、整理的梅里斯地區(qū)測(cè)井資料可知:盆地基底表現(xiàn)為相對(duì)高阻,電阻率一般大于200 Ω·m,蓋層中隨沉積物粒級(jí)增大,電阻率隨之增大,即泥巖電阻率最低,礫巖電阻率最高。其中泥巖平均電阻率介于6~13 Ω·m 之間,地質(zhì)解釋標(biāo)志層嫩江組泥巖電阻率一般小于10 Ω·m;粉砂巖、細(xì)砂巖平均電阻率介于11~26 Ω·m 之間;中砂巖平均電阻率在不同地層中大小也不盡相同,嫩江組和姚家組中平均電阻率介于31~33 Ω·m 之間,而青山口組平均電阻率只有12 Ω·m;砂礫巖、粗砂巖的電阻率介于39~118 Ω·m 之間。目標(biāo)層四方臺(tái)組位于嫩江組上部,以砂巖、砂礫巖為主,表現(xiàn)為相對(duì)中阻特征(表1)。上述電阻率差異,為后期的數(shù)據(jù)解釋提供了依據(jù)。

        表1 梅里斯地區(qū)巖層電阻率統(tǒng)計(jì)表Table 1 Statistics of rock resistivity in Meilisi area

        3.2 反演剖面標(biāo)定解釋

        反演電阻率斷面在縱向上可分為6 個(gè)電性層(圖5),自上至下依次呈高阻-中高阻-中低阻-低阻-中高阻—高阻分布,結(jié)合鉆孔揭露情況,建立了各電性層與地層對(duì)應(yīng)關(guān)系(表2)。由表2 可知:第1 電性層反演電阻率值大于30 Ω·m,呈相對(duì)高阻特征,為第四系松散砂礫、黏土的反映;第2 電性層反演電阻率值介于22~30 Ω·m 之間,表現(xiàn)為相對(duì)中高阻特征,為上新統(tǒng)泰康組砂礫巖、砂巖的反映;第3電性層反演電阻率值介于9~22 Ω·m 之間,呈中低阻特征,為上白堊統(tǒng)明水組、四方臺(tái)組砂巖夾少量泥巖的反映,中間夾持有呈透鏡狀、似層狀分布的中高阻層,為粗砂、砂礫巖的反映;第4 電性特征反演電阻率值頂部小于9 Ω·m,底部大于5 Ω·m,呈低阻特征,為上白堊統(tǒng)嫩江組泥巖的反映;第5 電性特征反演電阻率值大于5 Ω·m,小于13 Ω·m,呈逐漸升高的趨勢(shì),為上白堊統(tǒng)青山口組和上白堊統(tǒng)姚家組砂巖的反映;第6 電性層反演電阻率值大于13 Ω·m,呈相對(duì)高阻特征,為華力西期花崗巖的反映。

        表2 梅里斯地區(qū)地層(巖性)與反演電阻率斷面電性層對(duì)應(yīng)關(guān)系表Table 2 Corresponding relationship between strata (lithology) and inverted resistivity and electrical layer in Meilisi area

        圖5 梅里斯地區(qū)電性層與鉆孔揭露地層對(duì)照?qǐng)DFig. 5 Contrast diagram of electrical layer and borehole exposed stratum in Meilisi area

        3.3 綜合解釋

        3.3.1 剖面解釋

        由梅里斯地區(qū)各線反演電阻率及地質(zhì)解釋斷面圖(圖6)可知,在L01 線平距3 000 m、L02 線平距3 500 m 和L03 線平距7 500 m 附近,反演電阻率斷面上出現(xiàn)低阻帶特征,推斷解釋為斷裂F1。該斷裂位于梅里斯地區(qū)西部,性質(zhì)為正斷裂,走向NE,傾向NW,傾角較陡,切割深度均大于800 m,分析認(rèn)為是嫩江—高力板斷裂。在L01 線平距32 000 m、L02 線平距30 500 m 附近,反演電阻率斷面上電性層厚度發(fā)生明顯變化,且出現(xiàn)梯度帶特征,推斷解釋為斷裂F2。該斷裂性質(zhì)為正斷層,走向NE,傾向SE,傾角較陡,切割深度大于500 m,分析認(rèn)為是區(qū)域斷裂嫩江—白城斷裂的一條次級(jí)斷裂。

        圖6 梅里斯地區(qū)各測(cè)線反演電阻率推斷解釋地質(zhì)斷面圖Fig. 6 Geological cross section of inverted resistivity inference and interpretation for each lines in Meilisi area

        斷裂F1以南地層呈斜坡?tīng)钕蚰蠔|傾伏,且在反演電阻率斷面中部存在一個(gè)連續(xù)、穩(wěn)定的低阻電性層(第4電性層),頂部電阻率小于9 Ω·m,底部電阻率小于5 Ω·m,分析認(rèn)為是區(qū)域標(biāo)志層—嫩江組泥巖的反映。該層傾向E,傾角較緩,厚度自西向東逐漸變大,在研究區(qū)東部,沉積厚度可達(dá)400 m。

        標(biāo)志層上部電阻率大于9 Ω·m,小于22 Ω·m 的中阻層(第3 電性層),分析認(rèn)為是明水組和四方臺(tái)組的綜合反映,中間夾雜的透鏡狀中阻體,分析認(rèn)為是河道砂體的反映。該地層只在工作區(qū)的南東部出現(xiàn),厚度東厚西薄,沿測(cè)線方向自南東向北西厚度逐漸變小,直至尖滅,與上覆上新統(tǒng)泰康組呈角度不整合接觸;地表電阻率大于22 Ω·m 的高阻層,分析認(rèn)為是上新統(tǒng)泰康組(第2電性層)和第四系(第1電性層)的綜合反映,新生界整體厚度介于150~200 m 之間,其中泰康組巖性以砂礫、砂巖為主,泥巖較薄,第四系主要為松散砂礫和黏土。綜合分析認(rèn)為:研究區(qū)內(nèi)在明水紀(jì)、四方臺(tái)紀(jì)時(shí)期,沉積中心向東移動(dòng),導(dǎo)致明水組、四方臺(tái)組在研究區(qū)南東沉積;后期泰康組又超覆于明水組之上,說(shuō)明在上新統(tǒng)時(shí)期,沉積中心又一次向西發(fā)生偏移。

        標(biāo)志層下部電阻率大于5 Ω·m,小于13 Ω·m的中阻層(第5 電性層),分析認(rèn)為是上白堊統(tǒng)青山口組和姚家組的綜合反映,斷面最底部電阻率大于13 Ω·m 的高阻層(第6 電性層),分析認(rèn)為是基底的反映,巖性主要以花崗巖為主,電阻率最高達(dá)200 Ω·m 以上。

        3.3.2 平面解釋

        在研究區(qū)內(nèi),基底整體上呈現(xiàn)出“北西高,南東低”的特征(圖7)。在研究區(qū)北西端存在一個(gè)凸起,凸起中心呈NE 走向,L02 線附近凸起中心處的基底埋深海拔大于50 m,自凸起中心向東西兩側(cè)逐漸減小。另外在L02線北西端存在一個(gè)上白堊統(tǒng)的沉積凹陷,最深處基底標(biāo)高小于-600 m,埋深大于800 m;在L01 線北西端,第四系覆蓋較薄,局部基底出露;在工作區(qū)的南東端,即嫩江西岸,基底埋深海拔小于-1 000 m。

        圖7 梅里斯地區(qū)基底起伏形態(tài)示意圖Fig. 7 Schematic diagram of the undulating morphology of the basement in Meilisi area

        找礦目標(biāo)層上白堊統(tǒng)四方臺(tái)組只分布于研究區(qū)的中東部,西部缺失。其與上覆地層上新統(tǒng)泰康組呈角度不整合接觸,厚度小于180 m,且自北西向南東,自南西向北東,厚度逐漸增大(圖8)。

        圖8 梅里斯地區(qū)上白堊統(tǒng)四方臺(tái)組厚度圖Fig. 8 Thickness contour map of Sifangtai group in Meilisi area

        3.3.3 砂體驗(yàn)證情況

        由于找礦目的層上白堊統(tǒng)四方臺(tái)組砂體以河道砂體為主,巖性主要為砂礫巖、砂巖,故在反演電阻率斷面圖上表現(xiàn)為中高阻的透鏡狀分布,具有等值線底部呈凹形、頂部稍凸或水平、兩端漸薄,反演電阻率值由中心向兩端逐漸降低等特征。后期收集了研究區(qū)內(nèi)施工的鉆探剖面(圖9),經(jīng)過(guò)與反演電阻率斷面進(jìn)行對(duì)比可知,推斷解釋的四方臺(tái)組砂體與鉆孔揭露埋深、厚度情況基本一致。

        圖9 梅里斯地區(qū)ZK31-ZKL24-ZKL22-ZKL21-ZKL25 鉆孔連孔剖面圖Fig. 9 Connection profile of Borehole ZK31-ZKL24-ZKL22-ZKL21-ZKL25 in Meilisi area

        4 結(jié) 論

        通過(guò)松遼盆地西部斜坡區(qū)梅里斯地區(qū)CSAMT 資料采集、處理與反演,結(jié)合鉆孔資料綜合解釋,獲得以下認(rèn)識(shí):

        1)梅里斯地區(qū)基底存在一個(gè)NE 走向的凸起,其中目標(biāo)層上白堊統(tǒng)四方臺(tái)組主要分布在該凸起的南東方向,沉積厚度自南東向北西逐漸變薄,直至尖滅,厚度介于0~180 m 之間。另外在L02 線西端存在一局部小凹陷,沉積了幾百米厚的上白堊統(tǒng)。

        2)梅里斯地區(qū)斷裂主要發(fā)育有斷裂F1和斷裂F2,其中F1走向NE,傾向NW,F(xiàn)2走向NE,傾向SE。

        3)梅里斯地區(qū)上白堊統(tǒng)四方臺(tái)組砂體只分布于研究區(qū)的中東部,斷面上呈不連續(xù)分布,其厚度小于180 m,且自北西向南東厚度逐漸增大。

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