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        CsPbX3鈣鈦礦納米晶中Mn(Ⅱ)離子的可控摻雜及其發(fā)光性能研究

        2024-03-11 12:14:26陳潔訚哲王立瑾李宇王帥冰林歐陽唐愛偉滕楓
        發(fā)光學報 2024年2期

        陳潔, 訚哲, 王立瑾, 李宇, 王帥冰, 林歐陽, 唐愛偉, 滕楓

        (北京交通大學 物理科學與工程學院, 北京 100044)

        1 引言

        全無機鹵化鈣鈦礦最早是由Loredana Protesescu等于2015年采用高溫熱注射法合成[1],由于其簡單的合成工藝、高光致發(fā)光量子產(chǎn)率(PLQY)、較窄的半峰寬以及可調(diào)諧的PL光譜成為當前最具潛力的光電材料之一[2-5],相比于制備成本較高的硒化鎘(CdSe)[6]和磷化銦(InP)[7-8]等納米晶表現(xiàn)出獨特的優(yōu)勢。過去的十年中,CsPbX3(X= Cl,Br,I)全無機鈣鈦礦蓬勃發(fā)展,不論在制備方面,還是在發(fā)光二極管、光電探測以及太陽能電池等應用領(lǐng)域均取得了巨大進展,具有非常廣闊的前景[9-13]。然而,其穩(wěn)定性和Pb毒性問題極大地限制了該材料的實際應用[14-16]。因此,科研人員致力于尋找無毒或低毒的化學元素以替代傳統(tǒng)鈣鈦礦中有毒的Pb元素。目前最常用的替代元素包括Sn、Ge、Bi和Sb等[17-19],通過將Pb全部取代,合成了多種具有相似結(jié)構(gòu)的無鉛鈣鈦礦材料。然而,Pb的高離子電導率是鈣鈦礦納米晶具有高離子性的關(guān)鍵因素[20],有助于Pb基鈣鈦礦保持高PLQY和穩(wěn)定性[21];此外,由于CsPbX3鈣鈦礦具有較小的Stokes位移,其發(fā)射譜比較單調(diào),存在較強的重吸收效應[1]。因此,使用其他金屬離子部分替代Pb是一個可取途徑。

        近幾年來,使用過渡金屬離子部分取代CsPbX3鈣鈦礦中的Pb多有報道[22-24]。其中,使用Mn2+進行部分摻雜的方法得到了廣泛關(guān)注。Mn2+的摻雜既可以減少鈣鈦礦中的Pb含量,降低毒性,又可以提高鈣鈦礦材料的穩(wěn)定性以及光致發(fā)光效率,還能夠引入新的激子躍遷途徑從而改變材料的發(fā)射特性[25-28]。雖然在實驗過程中原料的投入量是一定的,但實際參與反應的量、Mn2+的摻雜比例根據(jù)實驗條件而定,不易控制。因此,探索納米晶的制備過程實現(xiàn)Mn2+的可控摻雜具有重要意義。此外,摻雜結(jié)構(gòu)與合金結(jié)構(gòu)在組成與發(fā)光方式方面均存在明顯不同,但目前尚未有研究在CsPbCl3∶Mn2+體系中的摻雜與合金化過程進行明確區(qū)分[29-31]。本文通過一步和兩步熱注射法合成了不同Pb∶Mn投料比的CsPbCl3∶Mn2+納米晶(NCs),對Mn2+的實際摻雜含量進行了大范圍和精確調(diào)控,有效控制了Mn2+的摻雜速率和實際摻雜含量,同時將所得樣品納米晶明確區(qū)分為合金結(jié)構(gòu)和摻雜結(jié)構(gòu)。合金結(jié)構(gòu)中引入離子較多,且由多種物質(zhì)組成;而摻雜結(jié)構(gòu)只是微量引入摻雜離子,只會稍改變其晶格參數(shù),而不會改變其原有的晶體結(jié)構(gòu)。兩種結(jié)構(gòu)中Mn2+的引入均顯著提高了材料的穩(wěn)定性和光致發(fā)光量子產(chǎn)率,由3%分別提高至77%和66%。同時對兩種方法調(diào)控Mn2+摻雜量的反應機制進行了探究。為了實現(xiàn)光譜的可調(diào)性,使用一步熱注射法合成了一系列不同Br-含量的CsPb-(Clx/Br1-x)3∶Mn2+,將納米晶發(fā)光顏色從藍色調(diào)至橙色。

        2 實驗

        2.1 油酸銫前驅(qū)體的合成

        CsPbCl3∶Mn2+鈣鈦礦均采用熱注射法合成,根據(jù)原料MnCl2加入的時間不同,將其分為一步法和兩步法。將2.5 mmol碳酸銫(Cs2CO3)、2.5 mL油酸(OA)與40 mL十八碳烯(ODE)混合置于四口燒瓶中,溫度升至120 ℃,真空環(huán)境下加熱30 min,之后通N2,保持120 ℃加熱,直至完全溶解。使用前需120 ℃預熱。

        2.2 一步法

        將0.7515 mmol氯化鉛(PbCl2)、0.7515 mmol氯化錳(MnCl2)和20 mL ODE、2 mL OA、2 mL油胺(OM)混合置于四口燒瓶中,在真空環(huán)境下升溫至120 ℃,并保持1 h;隨后將溫度升至180 ℃,快速注入1.6 mL油酸銫,立即冰水浴。將所得液體在6000 r/min的速度下離心15 min,倒掉上清液,將所得沉淀用5 mL正己烷溶解,再離心一次,將上清液倒入西林瓶中進行保存。

        2.3 兩步法

        首先使用上述一步法合成純CsPbCl3樣品。然后準備MnCl2的前驅(qū)體溶液:將MnCl2(0.7515 mmol)與7.5 mL ODE、1.5 mL OA、1.5 mL OM混合,真空情況下120 ℃加熱至完全溶解,使用前120 ℃預熱。最后將CsPbCl3加熱至120 ℃并保持5 min,向其中快速注入MnCl2的前驅(qū)體溶液,立即冰水浴;隨后6000 r/min離心15 min,倒掉上清液,使用6 mL正己烷溶解沉淀,再離心一次,將上清液放在西林瓶中進行保存。調(diào)整MnCl2的使用量,得到不同Pb∶Mn的樣品。也可先合成CsMn-Cl3后加入PbCl2。

        2.4 CsPb(Clx/Br3-x)∶Mn2+的合成

        基于一步法,固定反應物Pb2+與Mn2+的量均為0.7515 mmol,調(diào)整鹵素比例(Cl∶Br),使得Br-取代Cl-的含量分別為25%、50%、75%、100%。

        2.5 樣品表征

        材料的形貌和尺寸使用JEM-1400(100 kV)透射電子顯微鏡(TEM)和JME-F200(200 kV)高分辨率透射電子顯微鏡(HRTEM)進行表征。材料的X射線衍射(XRD)譜使用輻射源為Cu Kα(λ= 0.154056 nm)的Bruker D8 Advance X射線衍射儀測定。樣品的X射線光電子能譜(XPS)使用輻射源為300 W、Al Kα的VG ESCALAB 220i-XL能譜儀進行表征。樣品的元素含量采用Nex-ION300x電感耦合等離子體質(zhì)譜(ICP-MS)測定。材料的吸收光譜通過Ocean Optics USB 2000 分光光度計進行測量。材料的熒光壽命使用FLS1000瞬態(tài)穩(wěn)態(tài)熒光光譜儀測量。材料的發(fā)光光譜和相對光致發(fā)光量子產(chǎn)率(PLQY)均采用FLUORAT-02-PANORAMA熒光光譜儀測定。以羅丹明B為標準參比物(QY為97%,溶劑為乙醇)測定PLQY,計算公式如下:

        其中,η為量子產(chǎn)率;I為PL強度測量的積分面積;n為折射率(正己烷為1.375,乙醇為1.362);A為激發(fā)波長處的吸光度,通常小于0.10。下標R表示羅丹明B, S表示所得樣品,所有數(shù)據(jù)均在365 nm激發(fā)波長下測量。所有測量均在室溫下進行。

        3 結(jié)果與討論

        3.1 CsPbCl3∶Mn2+ NCs的組分調(diào)控及發(fā)光性能

        研究發(fā)現(xiàn),Pb2+與Mn2+的投料比對于CsPbCl3∶Mn2+納米晶的合成起著決定性作用。因此,在本工作中,保持油酸銫的注入量一致,首先采用一步熱注射法合成了不同Pb∶Mn的納米晶。圖1(a)為所制備的CsPbCl3∶Mn2+鈣鈦礦納米晶的TEM和HRTEM圖像,隨著Mn2+投料量的增加,納米晶的尺寸明顯減小。一方面是由于半徑較小的Mn2+已經(jīng)成功取代Pb2+,導致晶格收縮;另一方面是由于Mn2+引入后,表面電荷密度增加,由于電荷斥力的影響,帶負電荷的Cl-向表面擴散的過程會被抑制,從而導致尺寸減小[32]。HRTEM圖像顯示清晰的晶格條紋,表明所得納米晶具有良好的結(jié)晶性。Pb∶Mn=1∶1.0時的晶格間距(d=0.39 nm)略小于Pb∶Mn=1∶0時的晶格間距(d=0.40 nm)[21],更加表明了Mn2+的引入。為了驗證引入Mn所處的狀態(tài),我們對其進行了結(jié)構(gòu)和成分分析。圖1(b)顯示了所得納米晶的XRD圖像,與標準卡片(PDF#180036)相比,含有Mn2+的CsPb-Cl3與不含Mn2+的CsPbCl3均具有相同的四方結(jié)構(gòu)。我們可以明顯觀察到,隨著Mn含量的增加,衍射峰向大角度移動,這表明半徑較小的Mn2+取代了NCs中半徑較大的Pb2+,導致晶格收縮。這也進一步證明了Mn2+的成功引入。此外,隨著Mn2+投料量的增加,出現(xiàn)了CsMnCl3的衍射峰(紅色虛線框標注),兩種物質(zhì)相互混合,這說明采用一步法合成的納米晶為合金結(jié)構(gòu)。利用XPS對樣品中各元素的表面組成和化學狀態(tài)進行了分析(如圖1(c)、(d)所示)。不同Pb∶Mn投料比所合成的CsPbCl3∶Mn2+NCs都出現(xiàn)了額外的Mn信號,并且Mn和Pb均以二價形式存在。隨著Mn2+含量的增加,Pb2+的信號向高結(jié)合能輕微紅移,這主要是由于Mn2+取代Pb2+后晶場環(huán)境發(fā)生了改變。以上結(jié)果有力地證明了Mn2+進入晶格,占據(jù)了Pb2+的位置。

        圖1 PbCl2定量時,一步法所合成的不同Pb∶Mn投料比的CsPbCl3∶Mn2+ NCs的TEM圖像(標尺為100 nm)和HRTEM圖像(a)、XRD譜(b)、XPS譜((c)~(d))以及吸收光譜和光致發(fā)光光譜(λex=365 nm) (e);(f)Pb∶Mn=1∶1.0時,不同反應時間下所合成的CsPbCl3∶Mn2+ NCs的光致發(fā)光光譜Fig.1 TEM images(the scale bar is 100 nm) and HRTEM images(a), XRD pattern(b), XPS patterns((c)-(d)) and photoluminescence spectra(e) of CsPbCl3∶Mn2+ NCs with different Pb∶Mn feeding ratios synthesized by one-step method during PbCl2 quantification. (f)Photoluminescence spectra of CsPbCl3∶Mn2+ NCs synthesized by rough control method at different reaction time when Pb∶Mn=1∶1.0

        另外對所得鈣鈦礦納米晶的發(fā)光性質(zhì)進行了表征。圖1(e)為所合成的CsPbCl3∶Mn2+納米晶溶液的吸收光譜和在365 nm激發(fā)光下的光致發(fā)光光譜,所有樣品在365 nm處具有相同的吸光度??梢钥闯觯S著Mn2+投料量的增加,Mn2+與CsPbCl3合金化,使得納米晶尺寸減小,帶隙增大,激子吸收峰逐漸藍移。合成的CsPbCl3∶Mn2+NCs除了CsPbCl3固有的400 nm的激子發(fā)光峰外,均出現(xiàn)了610 nm左右的橙光發(fā)射,這來源于Mn2+的自旋禁止的4T1g→6A1gd-d躍遷[26-27]。但是,610 nm的發(fā)射峰強度明顯高于400 nm的發(fā)射峰,而且610 nm的發(fā)光峰強度隨著Mn2+投料量的增加先升高后降低,在Pb∶Mn=1∶1.0時達到最高,之后強度下降主要是由于Mn晶體場中交叉弛豫引起的非輻射躍遷[29]。我們還探究了反應時間對反應過程的影響,圖1(f)為Pb∶Mn=1∶1.0時所得樣品隨時間變化的光致發(fā)光圖像。反應時間為0 h時所得樣品的PL強度已經(jīng)是最大值,說明該反應過程速率極快,不易控制,在注入油酸銫前驅(qū)體一瞬間即可完成反應,增加反應時間反而不利于該反應過程,只能對Mn2+的摻雜量進行大范圍調(diào)控。

        為了對Mn2+的摻雜含量進行更精細的調(diào)控,控制反應速率,我們采用兩步熱注射法在相同Pb∶Mn投料比的情況下合成了CsPbCl3∶Mn2+NCs。圖2(a)為所得納米晶的TEM圖像,可以看出隨著Mn2+投料量的增加,納米晶的尺寸減小,說明Mn2+成功摻入;但在相同Pb∶Mn投料比下,兩步法所得納米晶的尺寸略大于一步法所得納米晶。進一步對兩步法所得納米晶的發(fā)光性質(zhì)進行了研究,其PL光譜如圖2(b)所示,與一步法所得納米晶相同,均含有400 nm的激子發(fā)射峰和610 nm的Mn2+特征峰,且隨著Mn2+投料量的增加,400 nm的發(fā)射峰強度增強,但610 nm處Mn2+的特征峰強度明顯較低。對Pb∶Mn=1∶0和Pb∶Mn=1∶0.5的樣品分別測試其發(fā)光壽命,如圖2(c)、(d)所示,使用三指數(shù)衰減函數(shù)擬合本征激子發(fā)光和Mn2+特征發(fā)光的壽命(LT)衰減曲線,發(fā)現(xiàn)摻雜Mn2+后本征激子發(fā)光壽命下降(從33.5 ns下降到22.8 ns)。這也歸因于Mn2+摻雜使納米晶的光載流子復合路徑發(fā)生改變,部分能量從宿主激子轉(zhuǎn)移到Mn2+的摻雜能級上,從而加速了激子復合過程;另外,由于Mn2+離子的4T1g和6A1g電子態(tài)之間的自旋禁止躍遷,摻雜發(fā)光的壽命比本征激子發(fā)光的壽命長得多(0.637 msvs33.5 ns)。此外,對一步法和兩步法所得樣品的光致發(fā)光量子產(chǎn)率進行比較。圖2(e)為納米晶的PLQY曲線,與一步法相比,兩步法所得納米晶的PLQY略低,但仍能大幅提升CsPbCl3NCs的PLQY。這主要是因為Mn2+的摻雜引入了摻雜能級,激發(fā)到導帶的電子會部分轉(zhuǎn)移到摻雜能級,引起摻雜發(fā)光,進而減少非輻射復合消耗的電子數(shù)的緣故。以上現(xiàn)象與納米晶中實際Mn2+含量也密切相關(guān),因此我們通過ICP對CsPbCl3∶Mn2+NCs中Mn2+的實際摻雜含量進行測定,如圖2(f)所示。在相同Pb∶Mn投料比的情況下,一步法比兩步法所得到的樣品納米晶中具有更高的Mn含量,且實際Mn2+含量與Mn2+投料量成正比。這合理解釋了與一步法所得納米晶相比,兩步法所得納米晶尺寸更大,610 nm的發(fā)射峰強度更弱;也進一步表明一步法是合金化過程,引入Mn2+較多,而兩步法是摻雜過程,只引入微量Mn2+。圖2(g)為所得納米晶溶液在紫外燈下的圖像。兩步法所得納米晶溶液能夠基本維持CsPbCl3NCs原有的發(fā)光顏色;而一步法在開始引入Mn2+時所得納米晶溶液就已經(jīng)出現(xiàn)了Mn2+相關(guān)的明亮的橙色發(fā)光,掩蓋了CsPbCl3NCs在400 nm處的本征激子發(fā)光。這與兩種方法的實際Mn2+含量相一致。以上實驗均是在實驗體系中PbCl2定量的情況下進行的,通過單獨調(diào)控MnCl2的投料量即可實現(xiàn)對Mn2+摻雜量的調(diào)控。

        圖2 PbCl2定量時,(a)兩步法合成的不同Pb∶Mn投料比的CsPbCl3∶Mn2+ NCs的TEM圖像(標尺為100 nm),(b)兩步法所合成的不同Pb∶Mn投料比的CsPbCl3∶Mn2+ NCs的光致發(fā)光光譜(插圖為放大圖),(c)兩步法合成的Pb∶Mn=1∶0和Pb∶Mn=1∶0.5的CsPbCl3∶Mn2+ NCs的本征激子發(fā)光壽命圖譜,(d)兩步法合成Pb∶Mn=1∶0.5的CsPbCl3∶Mn2+ NCs的Mn2+特征發(fā)光壽命圖譜;一步法和兩步法合成的CsPbCl3∶Mn2+ NCs的PLQY(e)、實際Mn含量與Pb∶Mn投料比的關(guān)系曲線(f)、正己烷溶液熒光照片(365 nm激發(fā))(g)及兩種不同的形成機制示意圖(h)Fig.2 (a)TEM images(the scale bar is 100 nm) of CsPbCl3∶Mn2+ NCs with different Pb∶Mn feeding ratios synthesized by twostep method during PbCl2 quantification. (b)Photoluminescence spectra of CsPbCl3∶Mn2+ NCs with different Pb∶Mn feeding ratios synthesized by two-step method during PbCl2 quantification(inset is amplification of spectra). (c)Intrinsic exciton luminescence lifetime of CsPbCl3∶Mn2+ NCs synthesized by two-step method with Pb∶Mn=1∶0 and Pb∶Mn=1∶0.5. (d)The characteristic luminescence lifetime of Mn2+ of CsPbCl3∶Mn2+ NCs synthesized by two-step method with Pb∶Mn=1∶0.5. PLQY(e), the relationship between the real Mn content and the Pb∶Mn feeding ratio(f), PL image of n-hexane solution NCs under 365 nm irradiation(g), and schematic illustration of mechanisms(h) of CsPbCl3∶Mn2+ NCs synthesized by one-step and two-step methods

        以上結(jié)果表明,在相同Pb∶Mn投料量下Mn2+的實際摻雜量存在巨大差異,兩步法可以更加精確調(diào)控Mn2+的摻雜含量。因此,我們認為一步法和兩步法在調(diào)控CsPbCl3∶Mn2+NCs中Mn2+的實際摻雜含量時存在兩種反應過程(如圖2(h)所示)。采用一步法進行粗略調(diào)控時,PbCl2和MnCl2同時存在于反應溶液中,Pb2+和Mn2+同時形成一定數(shù)目的[PbCl6]4-和[MnCl6]4-,在高溫下和Cs+直接結(jié)合形成CsPbCl3∶Mn2+NCs。采用兩步法進行精細調(diào)控時,最初反應體系中只存在PbCl2,先合成CsPb-Cl3NCs,之后再單獨注入MnCl2的前驅(qū)體溶液,此時新加入的Mn2+要取代晶格中的Pb2+,就需要克服Pb與晶格中周圍Cs、Cl之間的結(jié)合力,將[Pb-Cl6]4-八面體打開[33-34],所以Mn2+的摻雜會更加困難。因此在Pb∶Mn投料比相同的情況下,一步法合成的納米晶比兩步法合成的納米晶實際Mn2+摻雜量更高,第二種方案更容易達到精細調(diào)控CsPbCl3NCs中實際Mn2+摻雜量的目的。

        同時,我們采用兩步法先合成CsMnCl3NCs,再注入PbCl2前驅(qū)體溶液。由圖3(a)的光致發(fā)光光譜可以看出,剛合成的CsPbCl3∶Mn NCs溶液在Pb含量較少時僅顯示400 nm處的激子發(fā)射峰,610 nm與Mn相關(guān)的發(fā)射峰隨著Pb含量增加才慢慢顯現(xiàn),但仍然強度較低,最終400 nm的光占主導。這說明此時仍然可以實現(xiàn)對Mn2+的精細調(diào)控。兩步法中向先合成的CsMnCl3中加入Pb2+,除了要克服Mn2+與周圍離子之間的形成能外,Pb2+的半徑較大,容易誘發(fā)正應力畸變,導致形成能提高,使反應不易進行,從而可以達到精細調(diào)控的目的。我們對其晶體結(jié)構(gòu)進行了表征,圖3(b)為兩步法所得樣品的XRD圖像,隨著Pb-Cl2注射量的增加,納米晶由CsMnCl3相逐漸轉(zhuǎn)變?yōu)榧僀sPbCl3相,與一步法明顯不同的是兩步法合成的納米晶沒有出現(xiàn)CsMnCl3的衍射峰,Mn2+的加入沒有改變納米晶的晶體結(jié)構(gòu),證明此時合成的納米晶并不是合金結(jié)構(gòu),而是Mn2+摻雜的CsPbCl3NCs。

        圖3 MnCl2定量時,兩步法所得納米晶的光致發(fā)光光譜(a)及XRD譜(b)Fig.3 Photoluminescence spectra(a) and XRD pattern(b) of NCs synthesized by two-step method during MnCl2 quantification

        3.2 CsPbCl3∶Mn NCs的穩(wěn)定性

        對所得樣品進行了穩(wěn)定性分析,圖4(a)為一步法進行粗調(diào)時所得納米晶在室溫下存放四周后的TEM圖像。純CsPbCl3相對水氧極不穩(wěn)定,放置四周后已有部分樣品解離;而少量Mn2+合金化后的樣品形貌無明顯變化,Mn2+過多時會導致鈣鈦礦加速解離,不利于鈣鈦礦穩(wěn)定性的提升。放置四周后樣品的XRD譜顯示Pb∶Mn投料比為1∶0.5和1∶1.0時鈣鈦礦晶相相對穩(wěn)定(如圖4(b)所示)。圖4(c)為相對應的PL光譜與剛合成樣品的PL光譜對比,與剛合成的樣品相比,四周后樣品的發(fā)射峰強度均降低。Pb∶Mn=1∶1.0的樣品610 nm處的發(fā)射峰強度明顯降低,與Pb∶Mn=1∶0.5的樣品610 nm處的發(fā)光強度一致,而Pb∶Mn=1∶2.0的樣品放置四周后不再發(fā)光;同時,四周后樣品的發(fā)射峰位置發(fā)生一定程度的藍移,可能是四周后Mn2+析出,Mn2+-Mn2+對數(shù)目減少所致[35]。另外,對兩步法合成的摻雜結(jié)構(gòu)進行穩(wěn)定性分析,以Pb∶Mn=1∶1.0時的樣品為例,圖4(d)為所得納米晶在室溫下放置兩周后的TEM圖像。兩周后該樣品納米晶尺寸明顯增大,且已有CsMnCl3相析出;同時,400 nm的激子發(fā)射峰和600 nm的與Mn相關(guān)的發(fā)射峰強度均明顯降低,Pb∶Mn=1∶0.5與Pb∶Mn=1∶1.5時的樣品放置兩周后Mn2+的特征峰消失,Pb∶Mn=1∶2.0時的樣品兩周后不再發(fā)光。無論是合金結(jié)構(gòu)的納米晶還是摻雜結(jié)構(gòu)的納米晶,放置一段時間后雙峰強度均降低,但是合金結(jié)構(gòu)的納米晶本征激子發(fā)射峰強度比摻雜結(jié)構(gòu)降低較少。以上結(jié)果表明,進入鈣鈦礦晶格中的Mn2+可以有效地提高鈣鈦礦的穩(wěn)定性。這主要是由于適量的Mn2+引入后會導致晶格收縮,使納米晶形成能提高;而且Mn2+的來源是MnCl2,會額外引入Cl-,減少鹵素空位,鈍化納米晶原有的表面缺陷,從而抑制非輻射復合的發(fā)生。但是,過量的Mn2+容易破壞鈣鈦礦晶格,加速鈣鈦礦解離。此外,一步法形成的合金結(jié)構(gòu)對于鈣鈦礦穩(wěn)定性的提升比兩步法合成的摻雜結(jié)構(gòu)更加有利,這可能是由于兩步法合成時Mn2+進入鈣鈦礦晶格需要打開[PbCl6]4-八面體對鈣鈦礦晶格本身產(chǎn)生了輕微破壞所導致的。

        3.3 CsPb(ClxBr3-x)∶Mn2+ NCs的合成及發(fā)光性能

        根據(jù)以上研究結(jié)果可知,一步法熱注射法可以對Mn2+的實際摻雜含量進行大范圍調(diào)控,合成的納米晶中Mn2+含量更高,且發(fā)光性能更好,在此基礎(chǔ)上研究了鹵素離子對發(fā)光性能的影響。圖5(a)為CsPb(ClxBr3-x)∶Mn2+NCs的XRD譜,隨著Br-的增加,納米晶由CsPbCl3相逐漸向CsPbBr3相轉(zhuǎn)變。圖5(b)為CsPb(ClxBr3-x)∶Mn2+NCs光致發(fā)光光譜以及在紫外燈照射下的溶液圖像。通過觀察我們可以看到,隨著Br-含量由0%逐漸增加到100%,Br-和Cl-交換導致CsPbX3的激子發(fā)射峰逐漸紅移。然而,當Br-含量在0~50%時,存在Mn2+的特征峰;當Br-含量達到50%后,Mn2+的特征峰消失。這主要是由于CsPbBr3的能帶結(jié)構(gòu)與Mn2+的4T1-6A1能級不匹配,因此在Br-含量較高的情況下不會出現(xiàn)Mn2+的特征峰。當Br-含量較低時,體系中以CsPbCl3為主要組成,大半徑的Br-的少量加入可以使鉛鹵八面體打開一個較大的空位,為Mn2+的摻雜提供了條件,從而使Mn的特征峰得以顯現(xiàn)。

        圖5 Pb∶Mn=1∶1.0時,采用一步法熱注射法合成的不同Cl∶Br投料比的CsPb(ClxBr3-x)∶Mn2+ NCs的XRD圖像(a)和光致發(fā)光光譜(b),插圖為樣品的正己烷溶液在365 nm紫外燈照射下的圖片F(xiàn)ig.5 XRD pattern(a) and photoluminescence spectra(b) of CsPb(ClxBr3-x)∶Mn NCs with different Cl∶Br feeding ratios synthesized by one-step hot injection method during Pb∶Mn = 1∶1.0. Inset: colloidal solution in n-hexane under UV light(λ = 365 nm)

        4 結(jié)論

        本文揭示了CsPbCl3鈣鈦礦納米晶中Mn2+的可控摻雜途徑,通過控制反應體系中的Pb∶Mn投料比,采用一步法和兩步法對Mn2+的摻雜量進行了粗略和精細調(diào)控,有效控制Mn2+的摻雜速率,形成了合金和摻雜結(jié)構(gòu),分別將CsPbCl3鈣鈦礦納米晶的光致發(fā)光量子產(chǎn)率由3%提升到77%和66%,同時顯著提升了鈣鈦礦納米晶結(jié)構(gòu)和發(fā)光的穩(wěn)定性。進一步闡述了一步法和兩步法中CsPbCl3∶Mn2+NCs的形成過程,為Mn2+的可控摻雜提供了理論基礎(chǔ),解決了Mn2+摻雜速率過快的問題。最后,通過對鹵素離子的調(diào)控,將CsPb-(ClxBr3-x)∶Mn2+NCs的發(fā)光顏色從藍光調(diào)至橙光,實現(xiàn)了發(fā)射光譜的可調(diào)性,為CsPbX3鈣鈦礦納米晶的顯示應用奠定了理論基礎(chǔ)。

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