張曉輝, 饒其峰, 張世超
(佛山通寶精密合金股份有限公司,廣東佛山 528131)
銀基電工合金材料廣泛應(yīng)用于低壓電器領(lǐng)域。在實(shí)際使用過(guò)程中因環(huán)境條件、負(fù)載條件的差異,對(duì)材料的抗熔焊性、溫升、耐電弧燒損等性能的要求各不相同;在不同環(huán)境下不被腐蝕或減緩腐蝕是材料在服役過(guò)程中保持優(yōu)異導(dǎo)電性的重要要求。
電接觸元件在生產(chǎn)、存放、服役過(guò)程中其表面的成分、組織結(jié)構(gòu)、性質(zhì)各不相同,并且會(huì)隨著時(shí)間的變化而發(fā)生變化,對(duì)接觸電阻產(chǎn)生重要影響。接觸電阻主要由收縮電阻與表面膜電阻組成,其中收縮電阻與材料的材質(zhì)、表面的粗糙度等因素相關(guān);膜電阻與表面的氧化膜、硫化膜、油膜、水膜有關(guān);氧化膜與硫化膜等的形成與周圍的環(huán)境介質(zhì)的腐蝕相關(guān)[1]。金屬腐蝕是一種自發(fā)的趨勢(shì),不可避免[2-4]。應(yīng)防止或減緩膜電阻的形成,減緩材料被周圍環(huán)境的腐蝕。根據(jù)金屬腐蝕及緩蝕過(guò)程的復(fù)雜性及緩蝕劑的多樣性,主要存在3種緩蝕作用機(jī)理。(1)成相膜理論。該理論認(rèn)為緩蝕劑在金屬表面形成一層難溶解的保護(hù)膜以阻止介質(zhì)對(duì)金屬的腐蝕,該種保護(hù)膜包括氧化膜及沉淀膜[5]。(2)吸附膜理論。該理論認(rèn)為某些緩蝕劑通過(guò)其分子或離子在金屬表面的物理吸附或化學(xué)吸附形成吸附保護(hù)膜,從而抑制介質(zhì)對(duì)金屬的腐蝕。有機(jī)緩蝕劑與金屬表面形成配位鍵而發(fā)生化學(xué)吸附,其親水基團(tuán)吸附于金屬表面,疏水基遠(yuǎn)離金屬表面,形成的吸附層將金屬活性中心覆蓋,阻止介質(zhì)對(duì)金屬的侵蝕[6]。(3)電化學(xué)理論。該理論認(rèn)為緩蝕劑通過(guò)加大腐蝕的陰極過(guò)程或陽(yáng)極過(guò)程的阻力進(jìn)而減小金屬的腐蝕速率。
有機(jī)緩蝕劑在金屬表面的吸附有物理及化學(xué)吸附兩類,可能的吸附方式有離子交換吸附、離子對(duì)吸附、形成氫鍵吸附、π 電子極化吸附、色散力吸附、憎水作用吸附[7]。在實(shí)際應(yīng)用情況下,可能以一種或多種方式表現(xiàn)。芳香雜環(huán)化合物在金屬表面的吸附通過(guò)3 種途徑實(shí)現(xiàn)[8-10]:芳香雜環(huán)化合物的π電子和金屬正電荷之間的相互作用;B、N、S 等雜原子上的孤對(duì)電子和金屬表面負(fù)電荷之間的相互作用;化合物的質(zhì)子化片段與金屬表面負(fù)電荷之間的相互作用。根據(jù)雜原子的不同,緩蝕率一般遵循以下變化規(guī)律:P>Se>S>N>O。緩蝕劑的協(xié)同效應(yīng)[8]也會(huì)顯著提高其緩蝕效果,其機(jī)理是金屬表面吸附了某種帶電荷的離子后,再吸附另外一種離子導(dǎo)致覆蓋度增大,因而提高了緩蝕效果。因此,針對(duì)銀鎳合金選定了兩類芳香雜環(huán)化合物:BTA(苯并三氮唑)及BTA+PMTA(苯并三氮唑+巰基苯基四氮唑)作為主要研究對(duì)象。
1.2.1 試劑
用體積比為乙醇∶水=4∶5 的稀釋劑配置BTABTA+PMTA(BTA∶PMTA(質(zhì)量比)=1∶1)緩蝕劑溶液。
1.2.2 試驗(yàn)設(shè)備
鉚釘冷鐓機(jī)、離心光飾機(jī)、自動(dòng)化清洗線、真空熱處理爐及溫控器裝配線。
1.2.3 試樣
采用銀鎳合金(AgNi(12))以復(fù)合鉚釘?shù)男问缴a(chǎn),然后按照后處理流程進(jìn)行處理:復(fù)合鉚釘—清洗除油—清洗—緩蝕劑浸泡處理(常溫狀態(tài)下,浸泡2 min)—清洗—裝配成溫控器。其中AgNi(12)合金含有12%(質(zhì)量百分?jǐn)?shù))的鎳,其余為銀,電阻率1.96 μΩ·cm,密度10.2 g/cm3,HV0.2≥90。合金的金相組織如圖1 所示,圖1(a)為橫向,圖1(b)為縱向。從圖1可以看出,經(jīng)過(guò)粉末燒結(jié)擠壓后,其組織沿著擠壓方向呈纖維狀分布,鎳質(zhì)點(diǎn)垂直于觸點(diǎn)工作面,具有低的接觸電阻。
圖1 AgNi(12)合金金相組織
把經(jīng)兩類工藝浸泡處理的鉚釘與一組不用試劑處理的鉚釘各裝配成30 組溫控器,如圖2 所示(圖2(a)為AgNi(12)合金觸點(diǎn)組件,圖2(b)和圖2(c)分別為動(dòng)觸點(diǎn)和靜觸點(diǎn))。經(jīng)過(guò)4 個(gè)環(huán)節(jié)后測(cè)試溫控器裝配過(guò)程的接觸電阻:組件階段;封裝成溫控器階段(組件到封裝需要1 d);溫控器熱處理階段(封裝到熱處理需要1 d,熱處理工藝180 ℃/1 h);溫控器熱處理后存放階段(常溫、常態(tài)下放置30 d),這4 個(gè)階段都在同一環(huán)境條件下。溫控器相關(guān)參數(shù)見表1。
表1 溫控器接觸電阻測(cè)試條件及參數(shù)
圖2 AgNi(12)合金
1.2.4 測(cè)試設(shè)備
金相檢測(cè)采用Metallograph Versamet3 金相顯微鏡;顯微硬度檢測(cè)采用MⅠCROMET 2003硬度計(jì);接觸電阻采用同惠TH2511型電阻測(cè)試儀。
圖3 為組件階段接觸電阻數(shù)據(jù),圖4 為封裝后接觸電阻數(shù)據(jù),圖5 為溫控器處理后接觸電阻數(shù)據(jù),圖6 為熱處理后存放30 d 接觸電阻數(shù)據(jù)。表2 為3組樣品各階段平均接觸電阻。接觸電阻由收縮電阻及表面膜電阻兩部分組成。影響接觸電阻的因素主要有接觸形式、接觸壓力、溫度、化學(xué)腐蝕、接觸面的光潔度、導(dǎo)體材料的性質(zhì)等。對(duì)于所裝配的3 組溫控器樣品而言,接觸壓力、鉚釘表面的光潔度、鉚釘硬度、銀鎳合金、環(huán)境因素是一致的;對(duì)于所測(cè)的接觸電阻的明顯變化而言,更多反映的是膜電阻的變化。對(duì)于銀合金,膜電阻的變化主要是由于環(huán)境因素的變化導(dǎo)致的化學(xué)腐蝕造成。
表2 3組樣品各階段平均接觸電阻
圖3 組件階段接觸電阻數(shù)據(jù)
圖4 封裝后接觸電阻數(shù)據(jù)
圖5 溫控器處理后接觸電阻數(shù)據(jù)
圖6 熱處理后存放30 d接觸電阻數(shù)據(jù)
在組件及封裝階段,3 組樣品接觸電阻的平均接觸電阻的數(shù)值都很接近,均值都在10 mΩ 以下,說(shuō)明在這兩個(gè)階段3組銀鎳合金樣品表面未出現(xiàn)因氧化腐蝕而影響膜電阻。此時(shí)環(huán)境介質(zhì)中影響銀鎳合金表面腐蝕的因素影響不大,所以表面經(jīng)過(guò)緩蝕處理的樣品與對(duì)照組樣品的數(shù)據(jù)基本一致。
在后兩個(gè)階段,熱處理階段中參照組的接觸電阻變化明顯,接觸電阻的平均值上升到了20.5 mΩ;到存放階段后又上升到56.9 mΩ;而與之對(duì)比的兩組緩蝕劑處理后的樣品表現(xiàn)相對(duì)較好,其中BTA+PMTA 復(fù)合緩蝕劑組在4 個(gè)階段接觸電阻的變化是最小的:說(shuō)明環(huán)境介質(zhì)中影響銀鎳合金表面腐蝕的因素隨著溫度、時(shí)間的不同對(duì)表面產(chǎn)生了影響;而經(jīng)過(guò)緩蝕處理后的銀鎳合金對(duì)其表面的防護(hù)是有效的。這是由于BTA 與PMTA 同屬于芳香雜環(huán)化合物,PMTA 相對(duì)BTA 在結(jié)構(gòu)上多了一個(gè)巰基(—SH 官能團(tuán))。結(jié)構(gòu)上的差異導(dǎo)致BTA 與PMTA 與銀表面分別形成了線型與面型的配合物膜。
對(duì)于芳香雜環(huán)化合物而言,其π 電子及質(zhì)子化片段與金屬電荷之間有相互作用形成吸附點(diǎn)外,官能團(tuán)上的N 及S上的孤對(duì)電子也能與金屬電荷形成相互作用。PMTA 帶有巰基官能團(tuán)能形成面型PMTA 配合物膜,比線型的BTA 配合膜結(jié)構(gòu)更加致密,所以在銀表面的覆蓋能力強(qiáng)于BTA。PMTA 在與BTA 搭配后形成吸附—聚合作用,所形成的聚合膜有更好的致密性,這也很好地說(shuō)明了BTA-PMTA 與BTA 在所測(cè)熱處理階段及存放30 d 這兩組數(shù)據(jù)表現(xiàn)出的接觸電阻數(shù)值差異。
由于金屬表面微觀是粗糙的,吸附活性并非處處相等,吸附活化能隨覆蓋度而變化;緩釋劑在金屬表面可以是單分子層吸附,也可以是多分子層吸附[10]。高溫在削弱緩釋膜保護(hù)的同時(shí),也加速了銀鎳合金表面的腐蝕氧化,加之吸附膜覆蓋度及覆蓋層的差異性,導(dǎo)致后兩個(gè)階段BTA-PMTA與BTA接觸電阻數(shù)據(jù)變大。
(1)利用有機(jī)緩蝕的協(xié)同效應(yīng)所配制的BTAPMTA混合緩蝕體系,在常溫常態(tài)的條件下,能有效改善銀鎳合金在溫控器生產(chǎn)環(huán)節(jié)接觸電阻。
(2)針對(duì)銀鎳合金材料,BTA-PMTA 混合緩蝕劑體系,較之單一的BTA 的線型膜,在銀基合金表面形成的緩蝕膜更加致密,在常溫常態(tài)下受環(huán)境介質(zhì)影響最小,接觸電阻的波動(dòng)最小。