程相正,邵 銘,曲衛(wèi)東,邵俊峰,李武周,范 瑜
(1.中國人民解放軍63891部隊(duì),河南 洛陽 471003;2.光電對抗測試評估技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,河南 洛陽 471003;3.中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所,吉林 長春 130033)
自1960年第一臺激光器問世,激光在軍事領(lǐng)域的應(yīng)用研究即隨之展開,各種軍用激光技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生[1]。近年來,隨著激光技術(shù)的發(fā)展,大功率激光武器成為各國研究的熱點(diǎn)[2-3]。大功率激光武器通過對光電制導(dǎo)觀瞄裝備的探測器實(shí)施致盲損傷,從而達(dá)到降低敵作戰(zhàn)能力的目的[4]。CCD探測器具有成像分辨率高、功耗和成本低、靈敏度高、動態(tài)范圍大等特點(diǎn),廣泛應(yīng)用于光電觀瞄、光電制導(dǎo)等軍事領(lǐng)域[5-6]。利用激光破壞CCD探測器的成像性能,是軍事競爭雙方削弱對方戰(zhàn)斗力的重要手段之一。
激光對CCD的干擾損傷效應(yīng)研究是近期研究熱點(diǎn)。譚群[7]、袁航[8]、聶勁松[9]、易瑔[10]等學(xué)者開展了激光輻照CCD、TDI-CCD相機(jī)干擾損傷效應(yīng)機(jī)理進(jìn)行了仿真分析,建立了激光輻照CCD探測器的數(shù)學(xué)模型,利用有限元法分析了1.06 μm激光輻照CCD探測器中的溫度和應(yīng)力分布。但已有研究尚未分析連續(xù)激光損傷CCD多層結(jié)構(gòu)的時間演化規(guī)律,尚未開展連續(xù)激光對CCD探測器損傷實(shí)驗(yàn)對仿真模型進(jìn)行驗(yàn)證。本文選用波長為1080 nm的典型大功率連續(xù)激光,針對大功率激光輻照可見光成像探測器損傷機(jī)理,建立了連續(xù)激光對CCD探測器熱效應(yīng)損傷模型,仿真分析了連續(xù)激光損傷CCD多層結(jié)構(gòu)的時間演化規(guī)律,開展了連續(xù)激光對CCD探測器損傷實(shí)驗(yàn),分析了CCD探測器各層熔融情況,對模型仿真與損傷實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行了對比,并分析了存在差異的原因。
典型CCD探測器結(jié)構(gòu)如圖1所示,按入射光線方向組成材料依次為微透鏡層、金屬遮光Al膜層、SiO2增厚層、Si電極層、SiO2絕緣層、基底Si層[10],其中構(gòu)成微透鏡的主要材料為聚酰亞胺PI。PI及SiO2對1080 nm的激光吸收率幾乎為0,激光能量被微透鏡通過金屬層開口聚焦到基底Si表面,金屬Al層不受激光輻照,基底Si對1080 nm激光有較強(qiáng)的吸收率[11]。因此,可以將激光輻照CCD看成是CCD基底Si上加了一個熱源?;谶@種思想,對CCD探測器熱效應(yīng)損傷模型進(jìn)行簡化。
圖1 典型CCD探測器結(jié)構(gòu)
連續(xù)激光損傷機(jī)理主要為熱效應(yīng),可根據(jù)熱傳導(dǎo)理論模擬連續(xù)激光與CCD相互作用的過程。對于CCD探測器層狀材料,熱傳導(dǎo)方程為:
Q(i=1,2,…)
(1)
式中,Ti(x,y,z,t)、ρi、ci、ki分別表示CCD第i層溫度場分布、材料密度、比熱容、熱傳導(dǎo)率;Q為沉積在基底硅層的激光體熱源。
邊界條件為:
(2)
初始條件為:
?T(x,y,z,t)|t=0=T0
(3)
其中,T0為初始溫度;假設(shè)為298 K。
各層材料之間滿足溫度連續(xù)及熱流平衡條件材料均勻且各向同性,材料的各熱學(xué)和力學(xué)參數(shù)不隨溫度的升高而變化,取為常數(shù),則材料的熱力學(xué)參數(shù)見表1。
表1 材料的熱力學(xué)參數(shù)
由于PI、SiO2層對1080 nm激光的吸收系數(shù)很小,認(rèn)為不吸收光能,故沉積在基底Si層的激光能量為:
Q=I0α(1-R)fSi(x,y)g(t)exp(-αz)
(4)
式中,I0為入射激光功率密度;硅層的吸收系數(shù)α為800 cm-1;反射系數(shù)R約為0.33;fSi(x,y)為沉積在Si層的激光能量空間分布;g(t)為激光能量時間分布。
基于1080 nm激光輻照CCD探測器熱效應(yīng)損傷模型,固定激光輻照時間400 ms,設(shè)置的激光半徑為5 μm,能量分布滿足高斯分布,利用COMSOL Multiphasic軟件對CCD瞬態(tài)溫度場和應(yīng)力場進(jìn)行數(shù)值模擬,分析連續(xù)激光損傷CCD多層結(jié)構(gòu)的時間演化規(guī)律。
t=0時刻,激光開始輻照探測器,光斑中心位置開始升溫,但溫升幅度非常小。熱源加載到基底Si層,由于Si對1080 nm連續(xù)激光的吸收系數(shù)很小,材料層厚度很薄,因此激光對Si的穿透力很強(qiáng),此時還沒有出現(xiàn)明顯的熱傳遞現(xiàn)象,如圖2所示。
圖2 t=0時刻CCD內(nèi)部熱力學(xué)表面分布
從圖2可以看出,除了光斑中心區(qū)域,其他區(qū)域材料的溫度基本沒有變化,非常接近初始值溫度293.15 K。全域應(yīng)力最大值為7.1×103N/m2,位置出現(xiàn)在SiO2和Si接觸面附近,最大位移為1.7×10-7μm,位置出現(xiàn)在SiO2層。因此,在初始時刻全域基本沒有溫升和熱傳遞發(fā)生,內(nèi)部沒有大的應(yīng)力和位移形變。
時間t=160 ms時刻,模型全域最高溫度達(dá)到721 K,最低溫度超過720 K。最低溫度出現(xiàn)在PI層,其已經(jīng)熔化,但是PI層以外區(qū)域溫度均未達(dá)到熔點(diǎn)因此并沒有發(fā)生熔化,如圖3所示。
圖3 t=160 ms時刻CCD內(nèi)部熱力學(xué)表面分布
時間t=240 ms時刻,模型全域溫度將近1000 K,超過了Al層的熔點(diǎn),此時Al層發(fā)生熔化。從表面應(yīng)力分布上來看,應(yīng)力最大值出現(xiàn)在Al和SiO2層接觸的附近,達(dá)到了1.77×109N/m2,說明在此溫度下,模型內(nèi)部已經(jīng)出現(xiàn)了比較大的位移變形,如圖4所示。
圖4 t=240 ms時刻CCD內(nèi)部熱力學(xué)表面分布
時間t=400 ms時刻,模型全域溫度達(dá)到1310 K,多晶Si和SiO2之間的應(yīng)力值達(dá)到最大2.86×109N/m2,位移變形進(jìn)一步擴(kuò)大,但增長幅度有限,如圖5所示。因此,從t=240 ms到t=400 ms,內(nèi)部主要是以熱傳導(dǎo)的方式繼續(xù)向周圍進(jìn)行擴(kuò)散,直到其他區(qū)域Al層和PI層的溫度超過熔點(diǎn)發(fā)生熔化。從仿真結(jié)果來看,探測器表面至少10×10像素范圍內(nèi)的PI層和Al層達(dá)到熔點(diǎn),出現(xiàn)熱燒蝕現(xiàn)象,已經(jīng)到了面損傷層級,激光功率為1.45×106W/cm2,即1080 nm連續(xù)激光輻照可見光CCD探測器400 ms時的損傷閾值為1.45×106W/cm2。
圖5 t=400 ms時刻CCD內(nèi)部熱力學(xué)表面分布
通過研究最高溫度變化曲線可以得到內(nèi)部的傳熱關(guān)系。圖6為CCD模型各層結(jié)構(gòu)在不同計算時間下的最高溫度,可以看出各層最高溫度隨時間呈線線性變化。因此可以判斷,如果激光繼續(xù)加載,那各層最高溫度將在此基礎(chǔ)上繼續(xù)線性變化。此外,可以看出各層之間最高溫度的差距較小,說明長時間照射導(dǎo)致內(nèi)部升溫比較均勻,沒有出現(xiàn)大的溫差。
圖6 各層最高溫度隨時間變化曲線
圖7 各層最大應(yīng)力隨時間變化曲線
圖8 各層最大位移隨時間變化曲線
從最大應(yīng)力圖上看出,最大應(yīng)力隨時間同樣呈現(xiàn)線性變化,最大應(yīng)力在SiO2層,其次Al層,Si層和PI層應(yīng)力最小。時間越長,溫度越高,應(yīng)力差距越大。從最大位移圖上看出,最大位移隨時間呈現(xiàn)線性變化,最大位移出現(xiàn)在PI層,其次Al層,Si層的位移變形量基本為0,變化最小。
實(shí)驗(yàn)選用光纖激光器輸出1080 nm連續(xù)激光對CCD探測器進(jìn)行損傷實(shí)驗(yàn)。光纖激光器的輸出激光功率30 W~3000 W,連續(xù)波(CW)單模輸出光,光束質(zhì)量M2不大于1.2,功率不穩(wěn)定性優(yōu)于2 %。WAT-902b型CCD探測器光譜響應(yīng)范圍0.4 μm~1.1 μm,像元數(shù)752×582,像元尺寸8 μm。實(shí)驗(yàn)布局如圖9所示,分束鏡將一路激光導(dǎo)入功率計進(jìn)行功率監(jiān)測,另一路激光對CCD探測器進(jìn)行直瞄式干擾,圖像采集處理系統(tǒng)實(shí)時采集和存儲CCD輸出圖像。實(shí)驗(yàn)時,利用光開關(guān)固定激光輻照時間400 ms(與仿真一致),通過衰減片、格蘭棱鏡、半波片逐步增大到靶激光功率,完成了連續(xù)激光對CCD探測器損傷實(shí)驗(yàn)。
圖9 損傷實(shí)驗(yàn)布局圖
逐步增大到靶激光功率,當(dāng)功率密度增大至2.13×106W/cm2時,CCD探測器出現(xiàn)面損傷,輸出圖像如圖10所示。因此,可得CCD探測器實(shí)驗(yàn)損傷閾值為2.13×106W/cm2。
圖10 CCD輸出圖像(面損傷)
金相顯微鏡下可以觀察到,CCD探測器燒蝕區(qū)域近乎圓形,直徑約為71 μm,如圖11所示。燒蝕邊緣區(qū)域主要是PI層出現(xiàn)熔融現(xiàn)象,但并不徹底。在越靠近燒蝕中心區(qū)域,燒蝕現(xiàn)象越嚴(yán)重,受到金相顯微鏡物鏡景深所限,不能夠進(jìn)一步觀察清楚。
圖11 損傷形貌(金相顯微鏡)
在掃描電子顯微鏡下,可以明顯看清燒蝕后的內(nèi)部結(jié)構(gòu),如圖12所示。燒蝕區(qū)域的最外層是不完全燒蝕的PI層,該層由于PI層熔化從而鋪滿整個的外層區(qū)域,此時最外層區(qū)域的像素分界線無法分辨。從形貌上看,PI層呈現(xiàn)明顯的中心向外的波浪形燒蝕形貌且較為平整,中心區(qū)域燒蝕形貌并不規(guī)則,燒蝕區(qū)域的中心層和外層存在明顯的分割線。
圖12 損傷形貌(掃描電鏡)
圖13 線元素分析結(jié)果
畫一條貫穿損傷區(qū)域的直線對燒蝕區(qū)域進(jìn)行線分析,結(jié)果顯示燒蝕區(qū)域主要包含C元素、O元素和Si元素。在外層邊緣區(qū)域相較于中心區(qū)域C和O元素含量明顯更高,對應(yīng)了燒蝕區(qū)域外層主要是不完全熔化后的PI層。燒蝕中心區(qū)域C和O元素含量明顯低,Si含量比較高,這是由于在中心區(qū)域PI層燒蝕后露出了內(nèi)部材料,由于元素中不再包含Al元素,說明燒蝕中心區(qū)域,不光發(fā)生了PI氣化,遮光Al層也熔化后消失。Si元素的分布有所不同,除了在燒蝕中心區(qū)域會有明顯的強(qiáng)度分布,燒蝕外圍同樣有強(qiáng)度分布,這是由PI層燒蝕不完全,厚度降低,其下方的Si元素的強(qiáng)度增加所導(dǎo)致。
模型仿真和損傷實(shí)驗(yàn)結(jié)果均表明,CCD探測器在損傷前,PI層都出現(xiàn)有大規(guī)模的燒蝕現(xiàn)象,金屬Al膜層均發(fā)生了融化。1080 nm連續(xù)激光輻照可見光CCD探測器400 ms時的仿真損傷閾值為1.45×106W/cm2,實(shí)驗(yàn)損傷閾值2.13×106W/cm2,誤差約為31.9 %,驗(yàn)證了仿真模型的科學(xué)性、準(zhǔn)確性。
經(jīng)分析,仿真與實(shí)驗(yàn)損傷閾值存在偏差的原因主要有兩個方面:一方面,模型仿真時CCD各層材料比熱容、熱傳導(dǎo)率等參數(shù)均設(shè)定為常數(shù),沒有考慮材料的參數(shù)隨溫度的變化,因而造成了一定的誤差。另一方面,雖然CCD的某層結(jié)構(gòu)已經(jīng)被損傷破壞,但實(shí)際損傷實(shí)驗(yàn)時,該材料并未消失,仍然會對激光的輻照造成一定的影響,而模型仿真中,忽略了殘留物質(zhì)對激光入射的影響。此外,仿真計算時,圓形激光光斑擴(kuò)展后,模擬激光正面直接輻照;在實(shí)際的損傷實(shí)驗(yàn)中,不能夠保證絕對精準(zhǔn)的正面入射,因此實(shí)際燒蝕形貌并非絕對的的圓形。
本文主要以1080 nm連續(xù)激光輻照損傷CCD探測器為例,開展了模型仿真及損傷實(shí)驗(yàn)。首先,基于CCD典型結(jié)構(gòu)及各層材料特性,建立了連續(xù)激光對CCD探測器熱效應(yīng)損傷模型,仿真模擬了CCD各層瞬態(tài)溫度場和應(yīng)力場分布;其次,開展了連續(xù)激光對CCD探測器損傷實(shí)驗(yàn),獲取了CCD損傷閾值,并利用金相顯微鏡、掃描電鏡對CCD探測器各層熔融情況進(jìn)行了分析;最后,對模型仿真與損傷實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行了對比。結(jié)果表明,1080 nm連續(xù)激光輻照可見光CCD探測器400 ms時的仿真損傷閾值為1.45×106W/cm2,實(shí)驗(yàn)損傷閾值2.13×106W/cm2,誤差約為31.9 %,驗(yàn)證了仿真模型的準(zhǔn)確性。CCD探測器熱效應(yīng)損傷模型對預(yù)估探測器損傷閾值具有一定的參考意義,仿真與實(shí)驗(yàn)結(jié)果對探究大功率激光輻照CCD探測器損傷機(jī)理、評估干擾效果具有一定的參考意義。