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        關(guān)于板級(jí)設(shè)計(jì)的晶體準(zhǔn)確度研究

        2023-11-30 05:58:50張清媛
        無(wú)線互聯(lián)科技 2023年18期
        關(guān)鍵詞:主板晶體電容

        作者簡(jiǎn)介:張清媛(1993— ),女,內(nèi)蒙古赤峰人,工程師,碩士;研究方向:電子產(chǎn)品的部件及系統(tǒng)可靠性。

        摘要:電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)階段,因晶體頻率不準(zhǔn)確問(wèn)題,會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品的研發(fā)周期不必要的延長(zhǎng),甚至?xí)绊懙匠善返馁|(zhì)量。文章主要研究的是在電子產(chǎn)品研發(fā)階段主板上晶體頻率準(zhǔn)確度的優(yōu)化方案,以晶體的實(shí)際應(yīng)用電路為參考,分析了晶體的頻率偏差規(guī)律,構(gòu)建了晶體頻率參數(shù)的測(cè)試系統(tǒng)。通過(guò)對(duì)測(cè)試數(shù)據(jù)的處理,分析了晶體外圍匹配電路的電容容值對(duì)晶體頻率的影響。同時(shí),綜合考慮后提供了減小晶體頻率偏差的原則,也就是外圍匹配電路上電容容值的選擇方法。

        關(guān)鍵詞:主板;晶體;電容

        中圖分類號(hào):TN606? 文獻(xiàn)標(biāo)志碼:A

        0? 引言

        晶體作為一種基礎(chǔ)電子元器件,具備為電路提供穩(wěn)定時(shí)鐘信號(hào)以及無(wú)線載波信號(hào)的特性,廣泛應(yīng)用于電子信息產(chǎn)業(yè)中,市場(chǎng)規(guī)模也一直處于穩(wěn)定狀態(tài)。但近年來(lái),隨著智能AI、無(wú)線系統(tǒng)和汽車電子等應(yīng)用場(chǎng)景需求的提升,對(duì)物聯(lián)網(wǎng)的技術(shù)要求也是越來(lái)越高,連接設(shè)備的數(shù)量也隨之快速增長(zhǎng)。對(duì)于不可或缺的晶體來(lái)說(shuō),有了更高精確度和更高穩(wěn)定度的要求[1],電子產(chǎn)品研發(fā)階段的晶體準(zhǔn)確度更是關(guān)鍵,為此設(shè)計(jì)了一套測(cè)試系統(tǒng)來(lái)測(cè)量晶體頻率的準(zhǔn)確度。

        1? 晶體的關(guān)鍵參數(shù)

        電子產(chǎn)品中常用的晶體是石英晶體諧振器,特有壓電效應(yīng),機(jī)械能和電能之間的相互轉(zhuǎn)換,等效RC振蕩電路,如圖1所示。其中,C1為動(dòng)態(tài)電容;L1為動(dòng)態(tài)電感;R1為動(dòng)態(tài)電阻;C0為靜態(tài)電容。電路中晶體的符號(hào)標(biāo)識(shí)如圖2所示。

        在電子產(chǎn)品主板電路上最常用的電路之一是Pierce電路,如圖3所示。

        其中,Cg和Cd均是電路中匹配電容,Rf是連接芯片端的反饋電阻,Rd是用于輸出端起限流作用的電阻[2]。

        1.1? 頻偏

        頻偏是指晶體的標(biāo)稱頻率較實(shí)際頻率的偏差,是非常關(guān)鍵的參數(shù),象征著時(shí)鐘信號(hào)的準(zhǔn)確度,偏差超出可承受的范圍會(huì)使得時(shí)鐘信號(hào)不準(zhǔn)確,進(jìn)而導(dǎo)致芯片無(wú)法正常工作,公式如下所示。

        Δf=(f標(biāo)-f測(cè))×106f標(biāo)

        其中,f標(biāo)為晶體振蕩器的標(biāo)稱頻率,f測(cè)為晶體振蕩器的實(shí)測(cè)頻率,Δf為頻偏值,單位是ppm。

        1.2? 負(fù)載電容

        負(fù)載電容是決定晶體頻率的重要參數(shù),用CL表示。晶體元件datasheet中CL是一個(gè)測(cè)試參數(shù),也是一個(gè)應(yīng)用參數(shù),這個(gè)值可在用戶使用時(shí)根據(jù)具體電路情況作適當(dāng)調(diào)整,來(lái)微調(diào)晶體的實(shí)際工作頻率。CL和實(shí)際應(yīng)用電路中焊接的電容息息相關(guān)[2],具體有如下關(guān)系:

        CL=Cg×CdCg+Cd+C0+Cs

        其中,CL為負(fù)載電容,Cs為雜散電容,Cg和Cd如圖3所示。

        2? 板級(jí)晶體測(cè)試方法

        2.1? 測(cè)試設(shè)備

        晶體在電路上被通電后,會(huì)產(chǎn)生有規(guī)律的振動(dòng)并輸出信號(hào),即有頻率產(chǎn)生,典型的晶體波形如圖4所示。

        2.1.1? 示波器

        晶體在電子產(chǎn)品的應(yīng)用電路中輸出的頻率是否正確,波形是否完整,使用TEKTRONIX或其他示波器進(jìn)行測(cè)試。

        2.1.2? 頻率計(jì)

        電子產(chǎn)品中使用的晶體一般頻率都較高,除RTC是32.768 kHz,其余均為MHz級(jí)別,對(duì)于頻偏參數(shù),精度需精確到1 Hz,故需使用高精度Agilent頻率計(jì)測(cè)試。頻率計(jì)也被稱為頻率計(jì)數(shù)器,是一種專門對(duì)被測(cè)信號(hào)頻率進(jìn)行測(cè)量的電子測(cè)量?jī)x器,該設(shè)備測(cè)量精確度可達(dá)0.001 Hz。

        2.1.3? 有源探針和無(wú)源探針

        儀器測(cè)試搭配使用的探針是必需的,應(yīng)用的探針包含兩種,示波器上應(yīng)用的是有源探針,頻率計(jì)上應(yīng)用的是無(wú)源探針。

        2.2? 測(cè)試方法

        2.2.1? 示波器截取波形

        定位到電子產(chǎn)品的主板上待測(cè)晶體,將電子產(chǎn)品通電,使用有源探針點(diǎn)測(cè)晶體管腳,測(cè)試晶體的頻率,抓取波形,并分析正確性。

        2.2.2? 頻率計(jì)測(cè)試頻率

        (1)電子設(shè)備需要在通電狀態(tài)下測(cè)試.

        (2)將無(wú)源探針接地端接在測(cè)量晶體附近任一地電位,另一端點(diǎn)測(cè)到晶體的管腳位置。

        (3)點(diǎn)擊run按鍵,等待頻率計(jì)顯示數(shù)據(jù)穩(wěn)定后,點(diǎn)擊stop/single按鍵暫停,讀取數(shù)據(jù)并記錄即可。

        3? 晶體準(zhǔn)確度優(yōu)化方案

        3.1? 時(shí)間偏差大

        時(shí)間偏差較大,以年為單位漂移。電腦上有時(shí)間顯示功能,即便是關(guān)機(jī),內(nèi)部的時(shí)間也不會(huì)錯(cuò)亂,下次開機(jī)后時(shí)間顯示仍是準(zhǔn)確的,原因是電腦主板上有一顆電池,它的主要功能就是為電腦內(nèi)部時(shí)鐘供電,以及保存設(shè)置好的主板BIOS信息。若時(shí)間偏差較大,大概率是主板電池的電量被耗盡,導(dǎo)致時(shí)間等內(nèi)部信息恢復(fù)到出廠的設(shè)置,可通過(guò)更換電池來(lái)解決[3]。

        3.2? 時(shí)間偏差小

        3.2.1? 溫度漂移影響

        電子產(chǎn)品出現(xiàn)時(shí)間逐漸變快或變慢現(xiàn)象,可能出現(xiàn)了溫漂。為了解決溫度偏差帶來(lái)的影響,系統(tǒng)應(yīng)根據(jù)實(shí)際需求選擇精度更高的溫補(bǔ)晶振,如NTC晶體(帶有熱敏電阻的晶體)。溫補(bǔ)晶振是通過(guò)感應(yīng)環(huán)境溫度,然后將溫度信息轉(zhuǎn)換成可控制量,在線補(bǔ)償后控制晶振的輸出頻率[4]。

        3.2.2? 電容不匹配影響

        主板上外接電容不匹配,導(dǎo)致晶體振蕩器頻偏超出主板對(duì)晶體的要求,spec要求頻偏小于30 ppm,實(shí)測(cè)的25 MHz晶體在電路中頻率比標(biāo)稱頻率小,實(shí)測(cè)的48 MHz晶體在電路中頻率比標(biāo)稱頻率小。

        優(yōu)化的方案是通過(guò)更換外圍電路上的匹配電容,因電容尺寸影響,結(jié)合實(shí)際可操作性,固定Cg的容值不變化,調(diào)整Cd的容值,根據(jù)多次更換并測(cè)試,匯總?cè)绫?—2所示數(shù)據(jù),分別為25 MHz和48 MHz晶體[5]。

        25 MHz和48 MHz晶體的頻率偏移值與不同電容容值的趨勢(shì)如圖5所示。

        通過(guò)示波器抓取了晶體的實(shí)際波形,如圖6所示。

        從以上圖中數(shù)據(jù)對(duì)比分析后發(fā)現(xiàn),當(dāng)頻率出現(xiàn)負(fù)向偏移,也就是實(shí)測(cè)頻率小于標(biāo)稱頻率時(shí),可將電路中匹配的電容之一,更換為同尺寸且容值偏小一些的,晶體振蕩器頻偏會(huì)符合要求。

        4? 結(jié)語(yǔ)

        綜上所述,本文從晶體的基本原理到關(guān)鍵參數(shù)都進(jìn)行了分析,從實(shí)際測(cè)試的角度深入分析了晶體的應(yīng)用,搭建了準(zhǔn)確實(shí)用的測(cè)試系統(tǒng)?;谀嫦蚍治霭l(fā)現(xiàn),通過(guò)調(diào)整晶體外圍匹配電路的電容容值可改善晶體頻率。這種簡(jiǎn)單實(shí)用的方式,能夠縮短工程師分析的時(shí)間,提高測(cè)試的效率,為業(yè)界同類問(wèn)題的測(cè)試提供參考。

        參考文獻(xiàn)

        [1]薛超.晶體振蕩器頻率老化特性及頻率老化標(biāo)準(zhǔn)要求分析[J].中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)化,2020(S1):153-157.

        [2]王濤.具有掉電應(yīng)急處理能力的RTC設(shè)計(jì)[D].成都:電子科技大學(xué),2022.

        [3]應(yīng)用達(dá)人.花錢裝機(jī)性能不好?[N].電腦報(bào),2021-08-02(6).

        [4]李二鵬,文開章,馮保紅,等.石英晶體振蕩器頻率特性的測(cè)量與分析[J].測(cè)控技術(shù),2010(1):81-83.

        [5]林海,周強(qiáng).石英晶體諧振器的負(fù)載電容參數(shù)選擇原則研究[J].電子制作,2018(8):25-26,53.

        (編輯? 沈? 強(qiáng))

        Research on crystal accuracy of mainboard design

        Zhang? Qingyuan

        (Lenovo(Beijing)Co., Ltd., Beijing 100089, China)

        Abstract:? In the design stage of electronic products, the issue of inaccurate crystal frequency can lead to unnecessary extension of the product development cycle, and even affect the quality of the finished product. The main research of this article is on optimizing the accuracy of crystal frequency on the motherboard during the development stage of electronic products. Taking our actual application circuit of crystals as a reference, the frequency deviation law of crystals is analyzed, and a testing system for crystal frequency parameters is constructed. By processing the test data, the influence of the capacitance value of the crystal peripheral matching circuit on the crystal frequency was analyzed. At the same time, after comprehensive consideration, the principle of reducing crystal frequency deviation is also provided, which is the method of selecting the capacitance value of the capacitor on the peripheral matching circuit.

        Key words: mainboard; crystal; capacitance

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