肖苗苗,任翔,馬帥帥,李靜,高鵬鵬,鄧嘉輝
(航天科工防御技術(shù)研究試驗(yàn)中心,北京 100854)
國外對于微波器件測試技術(shù)研究較早,在微波S參數(shù)全溫測試技術(shù)方面,Rumiantsev A等人提出應(yīng)該在不同的溫度下分別研制且定義校準(zhǔn)件,以此來提高在片S參數(shù)高低溫測試系統(tǒng)的準(zhǔn)確度。美國Cascade公司認(rèn)可上述觀點(diǎn),并發(fā)明了一個主卡盤和兩個輔助卡盤回,在校準(zhǔn)的過程中,將DUT放在主卡盤上,校準(zhǔn)件放在輔助卡盤上。當(dāng)主卡盤的溫度發(fā)生變化時(-55~125)℃,輔助卡盤的溫度變化較?。?5~55)℃,這樣便可消除溫度對校準(zhǔn)件的影響,近似地解決了上述問題,但是此設(shè)備價格昂貴,不易推廣。
國內(nèi)微波器件生產(chǎn)廠家開展的微波高低溫測試,均采用先常溫狀態(tài)下校準(zhǔn),后施加高低溫環(huán)境的方式,測試準(zhǔn)確性和可靠性難以保證。因此開展微波器件S參數(shù)全溫在線測試、校準(zhǔn)技術(shù)研究十分必要。
要實(shí)現(xiàn)微波器件箱內(nèi)校準(zhǔn)和測試,需要設(shè)計一套微波器件程控測試及校準(zhǔn)程序,通過LabVIEW編程環(huán)境實(shí)現(xiàn)溫箱、矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀、電源等硬件設(shè)備的程控,同時通過數(shù)字板卡控制微波開關(guān)實(shí)現(xiàn)校準(zhǔn)和測試通道切換。
網(wǎng)絡(luò)分析儀系統(tǒng)中可能存在的測量誤差可以分漂移誤差、隨機(jī)誤差和系統(tǒng)誤差三大類[1-3]。系統(tǒng)誤差是網(wǎng)絡(luò)分析儀系統(tǒng)中最大的誤差源,我們可通過S參數(shù)測試前的校準(zhǔn)步驟去除。因此,校準(zhǔn)方法的選用在整個S參數(shù)測試中起著非常重要的作用[4]。本項(xiàng)目的校準(zhǔn)方法采用TRL(直通-反射-線路)校準(zhǔn)方式,在常規(guī)測試過程中測試適配器往往需要進(jìn)行同軸與微帶線的轉(zhuǎn)換,相比SOLT(短路-開路-負(fù)載-直通)的校準(zhǔn)方式,TRL校準(zhǔn)更加精確,成本也更低。本項(xiàng)目以雙端口微波器件為研究對象,分別選取兩款聲表濾波器、一款數(shù)控衰減器兩類共三個型號典型微波器件作為樣片開展研究。
本項(xiàng)目基于LabVIEW編程環(huán)境,集成矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀、電源、溫箱等硬件設(shè)備。通過編寫測試軟件,實(shí)現(xiàn)溫箱溫度的在線調(diào)節(jié)和控制,利用數(shù)字板卡控制微波開關(guān)實(shí)現(xiàn)校準(zhǔn)和測試通道的切換,通過控制矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀實(shí)現(xiàn)S參數(shù)的測試、校準(zhǔn)及數(shù)據(jù)存儲,測試原理圖見圖1。
圖1 微波器件S參數(shù)高低溫測試系統(tǒng)原理圖
以雙端口微波器件為研究對象,設(shè)計一套S參數(shù)高低溫校準(zhǔn)兼測試裝置,采用多線TRL校準(zhǔn)方法實(shí)現(xiàn)微波器件S參數(shù)高低溫環(huán)境下的在線校準(zhǔn)和測試,詳見圖2。測試裝置的設(shè)計滿足測試精度的同時兼顧通用性,通過替換專用測試插座可實(shí)現(xiàn)多種類微波器件的高低溫測試。
圖2 S參數(shù)高低溫校準(zhǔn)兼測試裝置原理框圖
對于微波器件在常溫測試時的校準(zhǔn)工作,可通過一系列的手動切換不同校準(zhǔn)模塊即可完成,但在高低溫環(huán)境下無法實(shí)現(xiàn)手動切換,強(qiáng)制的手動操作對測試結(jié)果具有較大的影響。
解決措施:將THRU、SHORT、LINES、LOAD四種校準(zhǔn)件與測試模塊集成到測試夾具上,夾具的射頻輸入和輸出端分別連接兩個單刀六擲開關(guān)。實(shí)際測試過程中,首先將測試斷面校準(zhǔn)到開關(guān)的測量端面,再將測試夾具置于溫度試驗(yàn)箱中,兩個單刀六擲開關(guān)置于溫箱外,連接網(wǎng)絡(luò)分析儀、開關(guān)、測試夾具組成測試系統(tǒng),通過開關(guān)進(jìn)行切換,實(shí)現(xiàn)高低溫環(huán)境下的一系列校準(zhǔn)操作。
程序主體基于LabVIEW標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)機(jī)構(gòu)成,將整套測試流程分為多個狀態(tài)進(jìn)行狀態(tài)切換,分別進(jìn)行矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀設(shè)置、電源設(shè)置、溫箱設(shè)置、數(shù)據(jù)采集以及測試完成后儀器的關(guān)閉操作?;趦x器驅(qū)動所提供的相關(guān)功能,進(jìn)行測試參數(shù)的設(shè)定,以實(shí)現(xiàn)矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀的測試程序設(shè)置。在進(jìn)行校準(zhǔn)程序設(shè)置時,擬通過數(shù)字板卡建立數(shù)字輸出任務(wù),實(shí)現(xiàn)TTL電平輸出,控制微波開關(guān)完成通道切換以實(shí)現(xiàn)校準(zhǔn)操作。電源控制同樣基于儀器驅(qū)動,以達(dá)到電源通道、輸出電壓、輸出電流等控制。數(shù)據(jù)采集功能基于SCPI指令實(shí)現(xiàn)完成目標(biāo)頻率范圍內(nèi)一條或多條Trace中最大值與最小值的數(shù)值獲取,并結(jié)合報表生成工具包實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)獲取。主程序控制界面及程序框圖見圖3、圖4。
圖3 主程序控制界面
圖4 程序框圖
本項(xiàng)目在進(jìn)行TRL校準(zhǔn)件設(shè)計時,采用Rogers板材,工作頻率范圍從10 MHz~18 GHz,滿足6 GHz的指標(biāo)要求。因頻率跨度大于8,故采用2條延遲線。利用安捷倫的TRL計算器軟件可直接計算出SHORT、OPEN、LOAD、THRU、LINE1、LINE2的傳輸線長度。根據(jù)計算結(jié)果可進(jìn)行TRL校準(zhǔn)件的PCB設(shè)計,見圖5。根據(jù)選取的三款樣片的尺寸,工作頻段等指標(biāo),設(shè)計PCB測試板。
圖5 TRL校準(zhǔn)件PCB設(shè)計版圖
TRL校準(zhǔn)件設(shè)計時包含THRU、SHORT、LINES、LOAD四種校準(zhǔn)件。即反射校準(zhǔn)件使用短路件,延時校準(zhǔn)件分段,720 MHz以下使用負(fù)載;720 MHz~3.6 GHz使用延時線1;(3.6~18)GHz使用延時線2。延時線1和延時線2根據(jù)不同頻段相對于直通的相對長度不同。其中SHORT校準(zhǔn)件和負(fù)載校準(zhǔn)件需對寄生電容電感做補(bǔ)償。使用HFSS仿真后,延時線到6 GHz駐波小于1.14,插損小于0.25 dB,滿足0.3 dB的技術(shù)指標(biāo)要求。短路器SHORT駐波大于5 000,能夠滿足校準(zhǔn)要求。負(fù)載LOAD在工作頻帶內(nèi),駐波小于1.05,能夠滿足校準(zhǔn)要求。
根據(jù)原理圖,見圖1,搭建微波器件S參數(shù)全溫在線測試系統(tǒng)。硬件設(shè)備情況見表1。
表1 硬件設(shè)備情況
工控機(jī)與溫箱、矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀、電源采用GPIB通訊,LabVIEW測試軟界面可進(jìn)行設(shè)備地址選擇,調(diào)用該設(shè)備。測試時將校準(zhǔn)、測試工裝置于箱內(nèi),其余硬件均置于箱外。兩個微波開關(guān)的供電分別由兩個數(shù)字板卡提供。通過程序界面左上角的八個通道開關(guān)可實(shí)現(xiàn)微波開關(guān)通道的切換,最終實(shí)現(xiàn)在線校準(zhǔn)和測試。
開展兩款聲表濾波器及一款數(shù)控衰減器的全溫測試,進(jìn)行驗(yàn)證比對。每款型號選取2只樣片進(jìn)行試驗(yàn),因三款型號的工作溫度范圍為(-40~+85)℃,故選取-40 ℃、+25 ℃、+85 ℃三個溫度點(diǎn)進(jìn)行測試。測試驗(yàn)證試驗(yàn):
第一種:常溫+25 ℃下校準(zhǔn),溫箱溫度設(shè)置為-40 ℃、+85 ℃,到達(dá)該溫度點(diǎn)后分別停留半個小時以上,進(jìn)行測試,記錄測試數(shù)據(jù)。
第二種:常溫+25 ℃下校準(zhǔn),溫箱溫度設(shè)置為-40 ℃、+85 ℃,到達(dá)該溫度點(diǎn)后分別停留半個小時以上,進(jìn)行該溫度點(diǎn)下二次校準(zhǔn),再進(jìn)行測試,記錄測試數(shù)據(jù)。具體測試數(shù)據(jù)見表2~表4。
表2 聲表濾波器1測試數(shù)據(jù)
表3 聲表濾波器2測試數(shù)據(jù)
表4 數(shù)控衰減器測試數(shù)據(jù)
表5 板材的介電常數(shù)隨溫度的變化率
根據(jù)常溫下校準(zhǔn)、高低溫下測試與常溫下校準(zhǔn)、高低溫下二次校準(zhǔn)后再測試的數(shù)據(jù),我們可以看到,二次校準(zhǔn)后插入損耗指標(biāo)普遍更小、阻帶抑制更大。
由于測試用校準(zhǔn)件及測試適配器的板材均為羅杰斯高頻板材,該高頻板材的介電常數(shù)εr為3.48±0.05。TRL校準(zhǔn)件設(shè)計時也是基于此指標(biāo)進(jìn)行的仿真,本項(xiàng)目的TRL校準(zhǔn)件εr指標(biāo)設(shè)置為3.45。因微波器件測試常用高頻板材主要為羅杰斯板材,選取兩款不同羅杰斯板材,可知它們的εr隨溫度的變化率很小,見下表,基本可以忽略。
為了了解兩種板材的傳輸特性指標(biāo)隨溫度的變化情況,補(bǔ)充以下試驗(yàn):
使用羅杰斯板材1制作的TRL中的直通校準(zhǔn)件,放置在溫箱內(nèi),設(shè)置溫度點(diǎn)分別為-40 ℃、+25 ℃、+85 ℃,每個溫度點(diǎn)放置半小時以上,測試三個溫度點(diǎn)下直通校準(zhǔn)件(THRU)的S參數(shù)指標(biāo)。測試頻率范圍為10 MHz~18 GHz。選取多個頻點(diǎn)進(jìn)行試驗(yàn),記錄S參數(shù)的測試數(shù)據(jù)。繪制高溫、低溫、常溫下S21、S11測試曲線,見圖6、圖7。
圖6 羅杰斯板材1的TRL直通件在高溫、低溫、常溫下的S21測試曲線
圖7 羅杰斯板材1的TRL直通件在高溫、低溫、常溫下的S11測試曲線
將使用羅杰斯板材2制作的直通校準(zhǔn)件放置在溫箱內(nèi),設(shè)置溫度點(diǎn)分別為-40 ℃、+25 ℃、+85 ℃,每個溫度點(diǎn)放置半小時以上,測試三個溫度點(diǎn)下該直通校準(zhǔn)件的S參數(shù)指標(biāo)。測試頻率范圍為10 MHz~18 GHz。選取多個頻點(diǎn)進(jìn)行試驗(yàn),記錄S參數(shù)的測試數(shù)據(jù)。繪制高溫、低溫、常溫下S21、S11測試曲線,見圖8、圖9。
圖8 羅杰斯板材2直通件在高溫、低溫、常溫下的S11測試曲線
圖9 羅杰斯板材2直通件在高溫、低溫、常溫下的S21測試曲線
因兩端口直通校準(zhǔn)件的傳輸指標(biāo)和反射指標(biāo)都是對稱的,因此傳輸以S21為例,反射以S11為例繪制測試曲線,能夠更直觀的看到插入損耗和駐波的變化情況。通過圖8、圖9,我們可以了解到隨著溫度變化,不同板材的直通件的S參數(shù)指標(biāo)變化均為相同頻率點(diǎn)下,溫度越低插入損耗指標(biāo)S21越好,溫度越高插入損耗指標(biāo)S21越差。反射指標(biāo)S11隨溫度變化不大,隨頻率變化較大。隨著頻率升高(6 GHz以上)呈現(xiàn)出低溫較高溫偏離理想值更大的情況。
通過以上附加試驗(yàn),我們了解到TRL校準(zhǔn)件在溫箱內(nèi)校準(zhǔn)的方式仍存在誤差,且校準(zhǔn)件長時間放置在高低溫環(huán)境下會引起微帶線形變及板材老化,繼而影響性能指標(biāo)。對于研究性質(zhì)的試驗(yàn)可采用高低溫下校準(zhǔn)方式,但涉及大規(guī)模產(chǎn)線測試,高低溫下校準(zhǔn)的方式適用性不強(qiáng)。提高高低溫測試下的校準(zhǔn)精度,可采用以下思路:
1)建立校準(zhǔn)件在高低溫環(huán)境下的誤差模型。模型建立有兩種方式,第一種:測試不同尺寸、不同材質(zhì)的校準(zhǔn)件在不同溫度條件下的S參數(shù),將測試數(shù)據(jù)模型化。第二種:考慮溫度場、電磁場、物理場等多應(yīng)力場的邊界條件,建立多應(yīng)力場仿真模型。
2)校準(zhǔn)件置于溫箱外,常溫下校準(zhǔn),高低溫測試前,引入誤差模型,實(shí)現(xiàn)高低溫的精準(zhǔn)測試。
通過測試適配器及校準(zhǔn)件的設(shè)計、測試平臺搭建、程控軟件的編寫最終實(shí)現(xiàn)了典型微波器件,聲表濾波器、數(shù)控衰減器的S參數(shù)全溫在線校準(zhǔn)、測試。通過TRL校準(zhǔn)件的應(yīng)用實(shí)現(xiàn)了S參數(shù)高精度測試的目標(biāo)。另外通過補(bǔ)充試驗(yàn)了解了不同板材的S參數(shù)隨溫度變化的趨勢,為后續(xù)相關(guān)試驗(yàn)研究提供了數(shù)據(jù)支撐,提出了建立高低溫環(huán)境下多應(yīng)力場仿真模型的新思路。